Патенти з міткою «мон»
Пристрій для встановлення мін типу мон
Номер патенту: 73240
Опубліковано: 10.09.2012
Автори: Мезенцев Ігор Іванович, Баранов Олександр Петрович, АНДРІЄВСЬКИЙ АНДРІЙ ПЕТРОВИЧ, Волощенко Олександр Іванович, Бобрун Олександр Вікторович, Горбняк Анатолій Андрійович, Сулім Олександр Вікторович
МПК: F16B 1/00
Мітки: типу, пристрій, мон, мін, встановлення
Формула / Реферат:
1. Пристрій для встановлення міни типу МОН, що містить раму, платформу, штир, фіксатор, горизонтальні засоби кріплення з гвинтовою різзю, при цьому фіксатор закріплено горизонтальними засобами кріплення на рамі, а раму закріплено на платформі, штир нерухомо закріплено до платформи, причому в рамі та в платформі виконано горизонтальні пази, який відрізняється тим, що додатково містить пружні пластини та вертикальні засоби кріплення з...
Мон накопичувач дози іонізуючих випромінювань
Номер патенту: 94111
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ
МПК: G01T 1/24, G01T 1/00, H01L 31/02 ...
Мітки: мон, дози, іонізуючих, накопичувач, випромінювань
Формула / Реферат:
1. МОН накопичувач дози іонізуючих випромінювань, що складається з кремнієвої основи, на якій сформовані два МОН транзистори з товстим шаром підзатворного діелектрика та затворами, який відрізняється тим, що МОН транзистори, наприклад р-канальні, виконані за єдиною технологією та мають спільний шар підзатворного діелектрика (6), а на поверхні цього шару діелектрика сформовані поляризаційні електроди. 2. МОН накопичувач за п. 1, який...
Однорозрядний суматор на мон транзисторах
Номер патенту: 23051
Опубліковано: 30.06.1998
Автор: Паньків Руслан Степанович
МПК: G06F 7/48, G06F 7/503
Мітки: транзисторах, суматор, мон, однорозрядний
Формула / Реферат:
Однорозрядний суматор на МОН транзисторах, який має в своєму складі два навантажувальні транзистори і шість функціональних транзисторів, входи першого і другого операндів, вхід переноса та виходи суми і переноса, причому стоки першого і другого функціональних транзисторів з'єднані між собою і під'єднані до витоку третього, до заслонів четвертого і п'ятого функціональних транзисторів і до стоку першого навантажувального транзистора, витоки...