Патенти з міткою «транзисторах»
Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів в польових транзисторах з бар’єром шоткі
Номер патенту: 27246
Опубліковано: 15.08.2000
Автори: Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович, Горев Микола Борисович, Макарова Тетяна Викторівна, Еппель Володимир Ілліч, Коджеспірова Іна Федорівна
МПК: H01L 21/66
Мітки: центрів, польових, визначення, шоткі, глибоких, незаповнених, спосіб, транзисторах, концентрації, бар'єром
Текст:
...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...
Однорозрядний суматор на мон транзисторах
Номер патенту: 23051
Опубліковано: 30.06.1998
Автор: Паньків Руслан Степанович
МПК: G06F 7/503, G06F 7/48
Мітки: суматор, транзисторах, мон, однорозрядний
Формула / Реферат:
Однорозрядний суматор на МОН транзисторах, який має в своєму складі два навантажувальні транзистори і шість функціональних транзисторів, входи першого і другого операндів, вхід переноса та виходи суми і переноса, причому стоки першого і другого функціональних транзисторів з'єднані між собою і під'єднані до витоку третього, до заслонів четвертого і п'ятого функціональних транзисторів і до стоку першого навантажувального транзистора, витоки...