Патенти з міткою «напівізолювального»

Номер патенту: 50883

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Ваків Микола Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: арсеніду, галію, напівізолювального, отримання, спосіб, шару

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...