Патенти з міткою «галію»

Номер патенту: 111242

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Хитрич Валентина Федорівна, Баранов Володимир Іванович, Блайда Ірина Андріївна, Васильєва Наталія Юріївна, Васильєва Тетяна Володимирівна

МПК: C22B 41/00, C22B 58/00, C22B 3/18 ...

Мітки: ефективності, германію, галію, підвищення, спосіб, біовилуговування

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ефективності біовилуговування галію і германію з відходів, що полягає в чановому біовилуговуванні з використанням окислювальної діяльності представників силікатних і ацидофільних хемолітотрофних бактерій аборигенної мікробіоти субстратів, що включає обробку твердої фази поживним мінеральним середовищем при співвідношенні Т:Р=1:10; рH 6,0-7,0 і 1,8-2,2; температурі 28-32 °C, який відрізняється тим, що як поживне...

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: шарів, арсеніду, поруватих, галію, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Номер патенту: 104268

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Іваниця Володимир Олексійович, Семенов Константин Іванович, Васильєва Тетяна Володимирівна, Баранов Володимир Іванович, Блайда Ірина Андріївна, Слюсаренко Лариса Іванівна

МПК: C22B 3/18, C22B 58/00, C22B 41/00 ...

Мітки: спосіб, галію, двостадійного, біовилуговування, германію

Формула / Реферат:

Спосіб двостадійного біовилуговування галію і германію з відходів, який полягає в чановому біовилуговуванні з використанням окислювальної діяльності представників ацидофільних хемолітотрофних бактерій аборигенної мікробіоти субстратів, що включає обробку твердої фази поживним мінеральним середовищем при співвідношенні Т:Р=1:10, рН 1,8-2,2, температурі 28-32 °C, який відрізняється тим, що як поживне використовують середовище 9К складу,...

Номер патенту: 95094

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Дмитрієв Вадим Сергійович

МПК: H01L 29/47

Мітки: спосіб, виготовлення, галію, контактів, шотткі, бар'єром, арсеніді

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення контакту з бар'єром Шотткі на арсеніді галію GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування випрямляючих контактів з Ag до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2O2-1H2O, витримують у винній кислоті продовж 15-25 хв., промивають в етиловому...

Номер патенту: 93598

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Блайда Ірина Андріївна, Шулякова Світлана Миколаївна, Васильєва Тетяна Володимирівна, Слюсаренко Лариса Іванівна, Іваниця Володимир Олексійович, Баранов Володимир Іванович

МПК: C22B 3/18, C22B 58/00

Мітки: галію, вугільної, спосіб, біовилуговування, промисловості, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб біовилуговування галію з відходів вугільної промисловості з використанням культурального поживного середовища при рН 1,8-2,0, який відрізняється тим, що процес проводять при температурі 28,0-30,0 °C протягом 24 годин поживним середовищем Летена з залізом (складу, г/дм3: (NH4)2SO4 - 0,15; Ca(NO3)2 - 0,01; MgSO4 - 0,5; К2НРО4 - 0,1; Na2S2O3 - 2,0; FeSO4×7H2O - 1,00), як посівний матеріал використовується аборигенна мікробіота...

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Хандожко Віктор Олександрович, Раранський Микола Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Саміла Андрій Петрович, Балазюк Віталій Назарович

МПК: G01N 24/00

Мітки: процес, галію, реєстрації, монокристалу, основі, температури, селеніду

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Номер патенту: 70433

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Чеботарьов Олександр Миколайович, Рахлицька Олена Михайлівна

МПК: B01D 15/04

Мітки: галію, розділення, ультратонкого, індію, спосіб, елементів-аналогів, ііі

Формула / Реферат:

Спосіб ультратонкого розділення елементів-аналогів галію (ІІІ) та індію (ІІІ), який полягає в тому, що в аналітичному зразку водної суміші мікрокількостей вказаних елементів встановлюють певне значення кислотності середовища, кількісно переносять до ємності з сорбентом, як сорбент використовують гідрофобний органокремнезем, який відрізняється тим, що сорбцію проводять в статичному режимі в одну стадію, що спрощує процес розділення і не...

Номер патенту: 68850

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Антал Ірина Петрівна, Кормош Жолт Олександрович

МПК: G01N 33/15

Мітки: визначення, галію, екстракційно-фотометричного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб екстракційно-фотометричного визначення галію, що включає зв'язування Ga-вмісної речовини в іонний асоціат із поліметиновим барвником в водно-органічному середовищі, екстракцію отриманого комплексу толуеном та наступне фотометрування екстракту, який відрізняється тим, що як реагент для визначення Галію використовують поліметиновий барвник...

Номер патенту: 65755

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Павлик Богдан Васильович, Леновенко Анатолій Михайлович, Ковальчук Надія Орестівна, Григоренко Вадим Валентинович, Іванова Катерина Петрівна

МПК: G05D 23/275, G05D 23/32

Мітки: температурної, пристрій, частоти, галію, точки, топлення, відтворення, реперної, малогабаритний, автоматизований, ядерно-квадрупольного, еталона

Формула / Реферат:

1. Автоматизований малогабаритний пристрій для відтворення реперної температурної точки топлення галію для ядерно-квадрупольного еталона частоти, що складається із зовнішнього термостата, в камері якого розміщена ампула реперної температурної точки, що містить тигель з реперним металом, вмонтований термометричний канал із схемою вимірювання температури і терморезистивний елемент на поверхні тигля, який відрізняється тим, що додатково містить...

Номер патенту: 62771

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Рахлицька Олена Михайлівна, Чеботарьов Олександр Миколайович

МПК: B01D 15/04

Мітки: алюмінію, галію, ультратонкого, відокремлення, мікрокількостей, елементів-аналогів, ііі, спосіб, індію

Формула / Реферат:

Спосіб ультратонкого відокремлення мікрокількостей алюмінію (III) від його елементів-аналогів галію (III) та індію (III), який полягає в тому, що в аналітичному зразку водної суміші вказаних елементів в інтервалі концентрацій 0,5÷5 мкг/мл встановлюють певне значення кислотності середовища, кількісно переносять до ємності з сорбентом, як такий використовують диметилхлорсиланаеросил (ДМХСА), який попередньо гідрофілізують, який...

Номер патенту: 54765

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, отримання, нановіскерів, галію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, на яку попередньо наносять мікрочастинки золота, джерела арсену та галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, яка завантажена арсенідом галію у твердому стані з розташованою...

Номер патенту: 87302

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Кобаясі Ясусі, Сано Хіросі, Ваказукі Акіхіро

МПК: C01G 15/00, C25C 1/00

Мітки: галію, містить, витягання, розчину, алюмінатного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб витягання галію з алюмінатного розчину, що його містить, в якому приводять у контакт алюмінатний розчин з хелатуючим агентом, що складається з водонерозчинного заміщеного хінолінолу, проводять екстрагування галію шляхом приведення у контакт розчину для зворотного захоплення, що складається з кислотного водного розчину, який містить заміщений хінолінол, з хелатуючим агентом, що містить захоплений галій, і витягають металічний галій з...

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Дьяк Віталій Пилипович

МПК: H01L 31/18

Мітки: діодних, фосфіду, спосіб, високотемпературних, отримання, галію, температури, n-p+-типу, сенсорів, епітаксійних, структур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 39148

Опубліковано: 10.02.2009

Автор: Родіонов Валерій Євгенович

МПК: C01B 13/14, C01B 13/32, B22F 9/14 ...

Мітки: спосіб, галію, порошку, ультрадисперсного, оксиду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання ультрадисперсного нанорозмірного порошку оксиду галію, що включає просочення целюлози солями галію з наступним термічним відпалом в повітряному потоці, який відрізняється тим, що як матрицю використовують трикарбоксилцелюлозу з обмінною ємністю 6,0-12 мг.екв/г, а термічне розкладання проводять при температурі 600-650 °С у киснево-аргонному потоці, як сіль використовують водно-ізопропіленовий розчин нітриту галію.

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/20

Мітки: діапазону, структур, епітаксійних, детекторів, спосіб, отримання, арсеніду, рентгенівського, галію, фотовольтаїчних, випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 38629

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Яковенко Сергій Миколайович, Журба Олександр Михайлович

МПК: H01L 21/02, C30B 19/00

Мітки: рідкої, арсеніду, фазі, галію, графоепітаксії, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб графоепітаксії арсеніду галію із рідкої фази, що включає формування орієнтуючого мікрорельєфу на робочій поверхні аморфної підкладки, приведення її в контакт з попередньо насиченим розчином-розплавом, розміщеним в зазорі між аморфною підкладкою, розташованою робочою поверхнею униз, та обмежувальною пластиною, вирощування графоепітаксійної плівки напівпровідника шляхом пересичування розчину-розплаву за рахунок його примусового...

Номер патенту: 38025

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Козін Леонід Хомич, Гайдін Олександр Володимирович

МПК: C22B 9/00, C22B 58/00

Мітки: рафінуванням, високої, чистоти, спосіб, галію, електрохімічним, апаратурне, оформлення, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання галію високої чистоти електрохімічним рафінуванням, що включає фільтрацію галію, міжфазовий обмін домішок з галієм та електрохімічне рафінування з металом-депресантом домішок у лужному фторидно-трилонатному електроліті, який відрізняється тим, що eлектрохімічне рафінування галію проводять в замкнутому циклі в двосекційному електролізері, який включає секцію а для фільтрації галію і міжфазового обміну електронегативних...

Номер патенту: 34736

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/02

Мітки: отримання, спосіб, випромінювання, світлодіодів, інфрачервоного, епітаксійних, галію, структур, діапазону, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Рубан Роман Володимирович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: кристала, спосіб, розподілом, галій-індій-сурма, розчинів, однорідним, вирощування, кристалів, уздовж, твердих, галію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Номер патенту: 31066

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Шварц Юрій Михайлович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H05B 33/00

Мітки: високотемпературних, температури, фосфіду, типу, сенсорів, структура, галію, діодних, епітаксійна

Формула / Реферат:

Епітаксійна структура фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що містить підкладку n+-GaP, леговану телуром, на якій розташовані епітаксійний шар бази діода n-GaP і шар емітера p+-GaP, легований цинком, яка відрізняється тим, що шар бази містить ізовалентну легуючу домішку азоту з концентрацією (1¸3)´1018 см-3, товщина шару бази складає 5¸10 мкм, шару емітера - 15¸25 мкм, діапазон...

Номер патенту: 82180

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Гаршінскі Єжі, Сешпутовскі Лешек П., Двілінскі Роберт, Дорадзінскі Роман, Канбара Ясуо

МПК: C30B 9/00, C30B 25/18, C30B 29/38 ...

Мітки: галію, варіанти, основа, об'ємний, епітаксії, нітриду, монокристал

Формула / Реферат:

1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: отримання, арсеніду, шарів, гомоепітаксійних, товстих, спосіб, галію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Номер патенту: 72858

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Печеркін Дмитро Геннадійович, Міняфаєв Вадим Рафікович, Сацюк Костянтин Олександрович, Гузеєв Олег Олександрович, Бабенков Валерій Леонідович

МПК: C22B 58/00, C22B 41/00

Мітки: галію, сполук, спосіб, германію, уловлювання, парів

Формула / Реферат:

1. Спосіб уловлювання парів германію, галію і їх сполук, що включає спалювання вуглецевмісної сировини в топках теплоенергетичних агрегатів і селективний відбір з відхідних димових газів товарних твердих частинок летючої золи винесення, на яких конденсуються і/або десублімуються пари германію, галію і їх сполук, що уловлюються, який відрізняється тим, що в потік відхідних димових газів перед зоною, де температура газів вище критичної...

Номер патенту: 79316

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Кі Леслі Енн, Пейн Марк Джон, Пул Ендрю Девід

МПК: C07C 51/12, C07C 53/08

Мітки: цьому, кислоти, способи, ртуті, оцтової, кадмію, індію, цинку, стабілізатора, одержання, спосіб, галію, застосування

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання оцтової кислоти карбонілюванням метанолу і/або його реакційноздатної похідної монооксидом вуглецю, який відрізняється тим, що його здійснюють в щонайменше одній реакційній зоні карбонілювання, що містить рідку реакційну композицію, яка включає іридієвий каталізатор карбонілювання, метилйодидний співкаталізатор, воду в обмеженій концентрації, оцтову кислоту, метилацетат, щонайменше один промотор, вибраний з рутенію, осмію...

Номер патенту: 22877

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Кравченко Олександр Іванович, Ковтун Геннадій Прокопович

МПК: C22B 58/00

Мітки: спосіб, галію, рафінування

Формула / Реферат:

Спосіб рафінування галію, який включає стадію вакуумної термообробки при температурі 1000±50 °С і наступну стадію вакуумної перегонки при температурі 1250±50 °С, який відрізняється тим, що між цими стадіями галій піддають термообробці у атмосфері повітря.

Номер патенту: 64602

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Щербань Олексій Петрович, Ковтун Генадій Прокопович, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: C30B 29/42, C30B 15/00

Мітки: арсеніду, галію, спосіб, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію, який включає розплавлення полікристалічного матеріалу під шаром герметизуючого флюсу, що містить вологу, в атмосфері високочистого інертного газу та витягування монокристалу з розплаву на затравку, який відрізняється тим, що перед витягуванням монокристалу з розплаву здійснюють вертикальну спрямовану кристалізацію розплаву у напрямку до флюсу із швидкістю 0,008...0,3 мм/хв з одночасним обертанням...

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: галію, надвисокочастотний, ганна, діод, арсеніду, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 57444

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Коваленко Віктор Федорович, Літвінова Марина Борисівна

МПК: G01J 3/28

Мітки: концентрацій, монокристалах, визначення, миш'яку, співвідношення, нелегованого, величини, вакансій, спосіб, галію, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає опромінювання зразка лазером, регістрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, який відрізняється тим, що на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за...

Номер патенту: 53848

Опубліковано: 17.02.2003

Автор: Зубова Лілія Григоріївна

МПК: C22B 3/08

Мітки: алюмінію, відходів, одержання, виробництва, спосіб, галію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галію з відходів виробництва алюмінію, що включає виділення з сировини гідроокису алюмінію, а потім при зниженні рН осадження гідроокису галію, який відрізняється тим, що попередньо здрібнену відвальну породу териконів розміщують у спеціальних ємностях з дренажем, зволожують, контролюючи процес виміром рН середовища, розбавляють сульфат алюмінію водою, одержують в осаді спочатку гідроокис алюмінію, потім гідроокис галію...

Номер патенту: 50883

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: отримання, напівізолювального, шару, арсеніду, спосіб, галію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...

Номер патенту: 45105

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Козін Валентин Хомич, Омельчук Анатолій Опанасович

МПК: C22B 58/00

Мітки: галію, спосіб, рафінування, реалізації, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб рафінування галію, що включає електроліз в розплавлених електролітах в електролізерах з біполярними електродами, який відрізняється тим, що рафінування ведуть в гетерофазній суміші розплавленого дихлориду галію та b-глинозему, а біполярні електроди відділяються від композиційного електроліту діафрагмами.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що рафінування ведуть в електролітній суміші такого складу, мас. % ...

Номер патенту: 39937

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Фомічов Юрій Олександрович, Полякова Ольга Павлівна, Скворцов Олександр Юрійович

МПК: C22B 58/00, C02F 1/42, C22B 3/42 ...

Мітки: спосіб, десорбції, галію

Формула / Реферат:

Способ десорбции галлия из азотсодержащего комплексообразующего ионита, отличающийся тем, что десорбцию проводят водой или слабощелочным раствором при рН = 6 ¸ 12 при температуре 40 ¸ 90°С.

Номер патенту: 37222

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Скворцов Олександр Юрійович, Фомічов Юрій Олександрович

МПК: C22B 58/00, C02F 1/42

Мітки: десорбції, реагентом, лужним, спосіб, галію

Формула / Реферат:

Способ   десорбции   галлия   щелочным   реагентом   из азотсодержащего  комплексообразующего  ионита,  включающий насыщение  ионита  галлием  при  контакте  со  щелочными галлийсодержащими  растворами  и  последующую  десорбцию, отличающийся  тем,   что  десорбцию  проводят  растворами алюмината  натрия  с  содержанием  Al2O3  5-250  г/л  при температуре 20-95°С.

Номер патенту: 26859

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Фомічов Юрій Олександрович, Скворцов Олександр Юрійович

МПК: C22B 58/00, C01G 15/00

Мітки: спосіб, галію, сорбцією, вилучення

Формула / Реферат:

Способ извлечения галлия сорбцией из щелочных алюминатных ратворов, включающий предварительную обработку раствора и последующее сорбционное извлечение галлия, отличающийся тем, что предварительная обработка заключается в выделении алюминия из раствора в осадок путем крабонизации растворов углекислым газом, а сорбцию проводят из карбонизированной пульпы или раствора после фильтрации такой пульпы.

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксійних, шарів, галію, рідкофазною, одержання, спосіб, кремнієвих, основах, епітаксією, арсеніду

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Номер патенту: 21747

Опубліковано: 20.01.1998

Автори: Шляховенко Володимир Олексійович, Кокозей Володимир Миколайович, Загоруйко Лідія Іллівна, Чернова Антоніна Степанівна, Миліневська Віра Олександрівна

МПК: A61K 31/00, A61K 33/00

Мітки: дію, бензімідазолом, виявляє, галію, комплекс, нітрату, протипухлинну, ііі

Формула / Реферат:

Комплекс нітрату галію (III) з бензімідазо-лом формули Gа(МО3)3 • L, де L - бензімідазол, який виявляє протипухлинну дію.

Номер патенту: 18621

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Воронін Валєрій Олександрович, Губа Сергій Констянтинович, Плахотка Лариса Степанівна

МПК: H01L 21/18

Мітки: одержання, польових, структур, галію, схем, інтегральних, шотткі, спосіб, арсеніду, основі, транзисторів

Формула / Реферат:

Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя  -типа проводимости и контактного слоя  -типа проводимости,...

Номер патенту: 17714

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Мякуш Оксана Романівна, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C22C 19/07

Мітки: резистивний, основі, сплав, галію

Формула / Реферат:

Резистивний сплав на основі галію, який відрізняється тим, що додатково містить гольмій   І   рутеній   при   слідуючому співвідношенні компонентів, ваг. %:Гольмії                            52,0-47,0Рутеній                             16,0-48,0Галій                                32,0-5,0

Номер патенту: 10898

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Молчанова Тетяна Вікторівна, Мауріна Анжела Георгіївна, Жукова Неллі Гарифівна, Водолазов Лев Іванович, Гончарук Олег Володимирович, Мєшин Віталій Веніаминович, Родионов Володимир Васильович, Ласкорін Борис Миколайович, Фомічов Юрій Олександрович, Коваленко Євген Петрович, Скворцов Олександр Юрійович, Фролов Олександр Іванович, Александров Віктор Михайлович, Жарова Євгенія Василівна, Толкачьов Олександр Борисович

МПК: C02F 1/42

Мітки: пульп, вилучення, виробництва, спосіб, лужних, глинозему, розчинів, галію

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ извлечения галлия из щелочных растворов и пульп производства глинозема, включающий сорбцию галлия на азотсодержащем комплексообразующем ионите, последующую десорбцию галлия раствором серной кислоты, отличающийся тем, что после сорбции галлия на ионите, последний промывают раствором, содержащим 4-6 г/л оксида натрия в точение 0,5-2,0 час, затем дополнительно проводят десорбцию галлия сернокислым раствором при рН 1-2,5 и времени...

Номер патенту: 11021

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Толкачьов Олександр Борисович, Фомічов Юрій Олександрович, Скворцов Олександр Юрійович

МПК: C01F 7/46, C01G 15/00, C22B 58/00 ...

Мітки: галію, добування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ извлечения галлия из щелочных алюминийсодержащих растворов, включающий осаждение из них алюминия с получением пульпы и сорбцию галлия ионообменником, отличающий­ся тем, что осаждение алюминия ведут в виде каль­циевого гидроалюмината обработкой раствора кальцийсодержащим реагентом, а сорбцию галлия ведут из пульпы или из растворов после выделения осадка из пульпы.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в каче­стве...