Ваків Микола Михайлович

Номер патенту: 73670

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Ваків Микола Михайлович, Тимчишин Вікторія Романівна, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: касета, отримання, структур, двосторонніх, епітаксійних, графітова

Формула / Реферат:

Графітова касета для отримання двосторонніх епітаксійних структур, що складається з корпусу з отвором для зливу розчинів-розплавів у поршневу камеру, контейнера для розчинів-розплавів з кришкою, тримача підкладки, поршня, двох допоміжних пластин, яка відрізняється тим, що у корпусі виконана нижня поршнева камера і отвір, який суміщається з отворами, виконаними в поршні та допоміжній пластині, призначеними для зливу розчинів-розплавів із...

Номер патенту: 73666

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Круковський Семен Іванович, Круковський Ростислав Семенович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: епітаксійних, виготовлення, методом, реакцій, спосіб, газотранспортних, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів InP методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - індію, а як джерела елемента п'ятої групи - трихлорид фосфору з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (750-820 °С) до фосфору та утворення тут хлориду індію, які транспортують у низькотемпературну зону (690-710 °С), кристалізують на підкладці у вигляді InP, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 55340

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Круковський Семен Іванович, Тимчишин Вікторія Романівна, Ваків Микола Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Круковський Ростислав Семенович

МПК: F24J 2/42, H01L 31/04

Мітки: енергії, сонячної, перетворювач

Формула / Реферат:

1. Перетворювач сонячної енергії, що містить герметичний корпус з теплоізоляцією, оснащений прозорим покриттям, під яким розташовані фотоелектричні перетворювачі, встановлені з забезпеченням теплового контакту на випарних зонах теплових труб, конденсаційні зони яких мають тепловий контакт з теплоносієм, який відрізняється тим, що фотоелектричні перетворювачі виконано у вигляді епітаксійних тандемних гетероструктур на основі сполук А3В5, а...

Номер патенту: 50362

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: епітаксійних, спосіб, чистих, виготовлення, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів InAs методом рідиннофазної епітаксії, що включає використання індію як розчинника, введення в нього ітербію або гадолінію в кількості 0,002-0,003 мол. % та кристалізацію шару InAs в інтервалі температур 650-600 °С на підкладці InAs, який відрізняється тим, що в розчин-розплав індію додається алюміній в кількості 0,001-0,003 мол. %.

Номер патенту: 43134

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Михащук Юрій Сергійович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: епітаксійних, методом, спосіб, реакцій, виготовлення, шарів, газотранспортних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів GaAs методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - галію, а  як джерела арсену - трихлорид арсену з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (780-850 °С) до арсену, та утворення тут хлориду галію, які, транспортуючись у низькотемпературну зону (730-750 °С), кристалізуються на підкладці у вигляді GaAs, який відрізняється тим, що галієве джерело...

Номер патенту: 43132

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: варізонною, nalgaаs-palgaas-p+algaas, спосіб, гетероструктурі, отримання, активною, областю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-p+AlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії в температурному інтервалі 850-700 °С, що передбачає на першій стадії на підкладці nGaAs формування буферного шару nAlxGa1-xAs, а на другій стадії утворення р-n-переходу в цьому шарі, який відрізняється тим, що формування буферного варізонного епітаксійного шару nAlxGa1-xAs із зростанням ширини...

Номер патенту: 36791

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Михащук Юрій Сергійович, Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01L 21/208

Мітки: касета, структур, отримання, поршнева, багатошарових, графітова

Формула / Реферат:

Графітова поршнева касета для отримання багатошарових структур, що складається з корпусу, всередині якого знаходиться тримач підкладки з кришкою, в котрому виконано вхідний та зливний отвори, рухомого поршня, який щільно контактує зі стінкою тримача підкладки, зверху касета містить рухомий контейнер з комірками для розчинів-розплавів, а знизу розміщений зливний контейнер, яка відрізняється тим, що в нижній частині тримача підкладки виконано...

Номер патенту: 59061

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Доценко Юрій Павлович, Сиворотка Ігор Михайлович, Матковський Андрій Орестович, Іжнін Ігор Іванович, Мельник Сергій Степанович, Ваків Микола Михайлович, Ларкін Сергій Юрійович, Убізський Сергій Борисович

МПК: H01S 3/11

Мітки: активних, мікрочіпових, пасивно-модульованою, середовищ, структур, лазерів, спосіб, добротністю, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур AIГ:Nd/AІГ:Cr4+ та ГГГ:Nd/ГГГ:Cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення підкладки з алюмо-ітрієвого гранату, легованого іонами неодиму (AІГ:Nd), або галій-гадолінієвого гранату, легованого іонами неодиму (ГГГ:Nd), відповідно, в пересичений розчин-розплав суміші гранатоутворюючих оксидів Y2O3, Аl2О3 або Gа2O3, Gd2O3,...

Номер патенту: 50883

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Ваків Микола Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: спосіб, арсеніду, напівізолювального, отримання, галію, шару

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...

Номер патенту: 47534

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Мруз Оксана Ярославівна, Ковальський Андрій Павлович, Кравців Микола Михайлович, Ваків Микола Михайлович, Шпотюк Олег Йосипович, Гадзаман Іван Васильович

МПК: C04B 35/00, H01C 7/04, C04B 35/01 ...

Мітки: матеріал, терморезистивний

Формула / Реферат:

Терморезистивний матеріал, що містить в складі катіони трьох металів Cu, Mn, Ni,  який відрізняється тим, що в його склад введені катіони четвертого металу Co, синтезований твердий розчин із структурою кубічної шпінелі має склад CuxNi1-x-yCo2yMn2-yO4, де ; ,  при цьому терморезистивний матеріал є...