H01L 21/208 — рідинним напиленням

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Боскін Олег Осипович, Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: H01L 21/208, C30B 19/00, H01L 21/20 ...

Мітки: очищення, розчину-розплаву, спосіб, фазі, рідинної, епітаксії, змочування, підкладки

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Номер патенту: 103253

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кононов Алєксандр, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Кушнір Костянтин Вадимович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Мітки: структур, точками, рідкої, квантовими, фазі, вирощування, наногетероепітаксійних, установка

Формула / Реферат:

Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази, що складається з вакуумно-газорозподільної системи, комп'ютеризованої системи автоматики, управління та контролю параметрів процесу, систем електроживлення, технологічної системи, яка включає корпус, піч опору, в якій розміщений кварцовий реактор з металевими кришками, що мають отвори для штоків, технологічне оснащення, яке містить касету для...

Номер патенту: 73670

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович, Тимчишин Вікторія Романівна

МПК: H01L 21/208

Мітки: касета, двосторонніх, отримання, графітова, епітаксійних, структур

Формула / Реферат:

Графітова касета для отримання двосторонніх епітаксійних структур, що складається з корпусу з отвором для зливу розчинів-розплавів у поршневу камеру, контейнера для розчинів-розплавів з кришкою, тримача підкладки, поршня, двох допоміжних пластин, яка відрізняється тим, що у корпусі виконана нижня поршнева камера і отвір, який суміщається з отворами, виконаними в поршні та допоміжній пластині, призначеними для зливу розчинів-розплавів із...

Номер патенту: 68748

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович, Масол Ігор Віталійович, Дяченко Ольга Дмитрівна

МПК: H01L 21/208

Мітки: напівпровідників, підкладок, пристрій, отримання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання підкладок напівпровідників, що містить підкладку з ростовими комірками, тримач підкладок, маніпулятор, систему управління, систему забезпечення технологічного середовища, який відрізняється тим, що система забезпечення технологічного середовища виконана із системи гетероепітаксійного росту напівпровідників, зокрема нітридів галію, індію і алюмінію, розрахована на епітаксійний ріст напівпровідникових структур з...

Номер патенту: 58298

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/208

Мітки: керування, розчину, твердого, складом, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб керування складом твердого розчину, що полягає у створенні двох різних насичених рідинних фаз, що контактують одна з одною, в ізотермічних умовах та їх змішуванні для росту шарів з пересиченого розчину-розплаву за допомогою електричного струму, який відрізняється тим, що керування процесом змішування здійснюють за допомогою змінного електричного струму.

Номер патенту: 41395

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: спосіб, отримання, шарів, розчинів, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів твердих розчинів, що полягає у створенні двох різних насичених рідинних фаз в ізотермічних умовах та їх змішуванні для росту шарів з перенасиченого розчину-розплаву, який відрізняється тим, що створюють єдиний розчин-розплав з двох різних рідинних фаз, що контактують одна з одною, а змішування здійснюють поступово протягом всього процесу вирощування за допомогою постійного електричного струму.

Номер патенту: 36791

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Михащук Юрій Сергійович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: структур, графітова, поршнева, касета, отримання, багатошарових

Формула / Реферат:

Графітова поршнева касета для отримання багатошарових структур, що складається з корпусу, всередині якого знаходиться тримач підкладки з кришкою, в котрому виконано вхідний та зливний отвори, рухомого поршня, який щільно контактує зі стінкою тримача підкладки, зверху касета містить рухомий контейнер з комірками для розчинів-розплавів, а знизу розміщений зливний контейнер, яка відрізняється тим, що в нижній частині тримача підкладки виконано...

Номер патенту: 21855

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Цибуленко Вадим Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/208

Мітки: електроепітаксії, рідиннофазної, установка

Формула / Реферат:

Установка для рідиннофазної електроепітаксії, що містить кварцовий реактор, який встановлений в електричну піч для забезпечення контролю температури, два електроди, один з яких жорстко закріплений до верхньої пластини, джерела постійного струму, та касети, що має верхню пластину, яка одночасно є електричним контактом до розчинів-розплавів, середню ізолюючу пластину, яка є електричним ізолятором між верхньою та нижньої пластинами і має отвір...

Номер патенту: 14302

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Андронова Олена Валеріївна, Курак Владислав Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...

Мітки: установка, епітаксії, рідкофазної

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, вікно у вигляді отвору над підкладкою, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок для підведення підкладки в комірки, і термопару, яка відрізняється тим, що комірки знаходяться у слайдері, а підкладка розміщена у нерухомій основі касети, в якій під підкладкою розташований теплообмінник, що...

Номер патенту: 14281

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...

Мітки: фазі, спосіб, епітаксійних, шарів, одержання, рідкої

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів із рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, охолодження підкладки за допомогою приведення поверхні підкладки, що протилежна робочій, у контакт із теплопоглиначем, проведення кристалізації та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом, який відрізняється тим, що охолодження...

Номер патенту: 14276

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Єрохін Сергій Юрійович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/208

Мітки: рідкофазної, установка, епітаксії

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка виконана у вигляді розбірної конструкції, і має основу, прикріплену до основи пластину з ростовими комірками, що містить систему каналів і отворів, де ростові комірки мають змінні вкладиші для регулювання висоти ростових зазорів, де вкладиші виконані з пазами для розміщення фальшпідкладок, утримуючий підкладку слайдер, що має вікно над підкладкою і встановлений...

Номер патенту: 2748

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Тетерьвова Наталія Олексіївна, Полухін Олексій Степанович, Рачинський Любомир Ярославович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: напівпровідникового, приладу, наскрізною, р-областю, периферійною, кристал

Формула / Реферат:

1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...

Номер патенту: 62235

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Андронова Олена Валеріївна, Марончук Ігор Євгенович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...

Мітки: шарів, спосіб, гетероепітаксійних, фазі, одержання, рідкої

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...

Номер патенту: 62234

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Журба Олександр Михайлович, Марончук Ігор Євгенович, Цибуленко Вадим Володимирович, Курак Владислав Володимирович, Калашников Андрій Веніамінович

МПК: H01L 21/208

Мітки: установка, епітаксії, рідкофазної

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок, для підведення підкладки в комірки, а також контейнери для гомогенізації і термопару, яка відрізняється тим, що касета виконана у вигляді розбірної конструкції, яка складається з основи, у пазу якої встановлений із можливістю переміщення слайдер...

Номер патенту: 50883

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 21/208

Мітки: галію, спосіб, напівізолювального, шару, отримання, арсеніду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...

Номер патенту: 41209

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Полухін Олексій Степанович, Семенов Олег Сергійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: епітаксіальних, областями, кремнієвих, структур, периферійними, спосіб, відокремлюючими, матричних, виготовлення

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур і периферійними відокремлюючими областями, який включає підготовку пластини-джерела і підкладки, утворення відокремлюючих р+областей, формування зони капілярним втягуванням металу-розчинника на основі алюмінію в щілину між пластиною-джерелом і підкладкою, перекристалізацію пластини-джерела зоною, що просувається в полі градієнта температури під час термоміграції, і...