Патенти з міткою «напівпровідниковим»

Номер патенту: 82006

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Бувайло Олена Анатоліївна, Грищук Олег Іванович, Мніх Надія Володимирівна, Колупаєв Борис Сергійович, Нестеренко Гелена Мечиславівна, Нізельський Юрій Миколайович, Кокозей Володимир Миколайович, Козак Наталія Віталівна, Нестеров Дмитро Сергійович

МПК: C08G 18/10, C08K 3/10, C08G 18/22 ...

Мітки: поліуретанів, одержання, спосіб, рівнем, провідності, напівпровідниковим

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поліуретанів з напівпровідниковим рівнем провідності шляхом введення сполук металів в органічних розчинниках до реакційної суміші поліуретанового форполімеру на основі поліолу та діізоціанату, який відрізняється тим, що як сполуку металу використовують бі-  або триметалічні полігетероядерні координаційні комплекси перехідних металів, попередньо готують 0,2-2,0 % мас. розчин цих сполук з наступним введенням його до...

Номер патенту: 25450

Опубліковано: 10.08.2007

Автор: Чернишев Аркадій Олексійович

МПК: H02P 5/74, G05D 13/00, H02M 7/66 ...

Мітки: гальмових, вмикачем, перетворювач, інвертором, резисторів, напівпровідниковим

Формула / Реферат:

Перетворювач з інвертором і напівпровідниковим вмикачем гальмових резисторів, який відрізняється тим, що згаданий вмикач утворений з тиристорів, з'єднаних попарно зустрічно-паралельно, які приєднують гальмові резистори до фаз змінного струму інвертора.

Номер патенту: 24435

Опубліковано: 25.06.2007

Автор: Чернишев Аркадій Олексійович

МПК: G05D 13/00, H02M 7/66, H02P 5/74 ...

Мітки: перетворювач, резисторів, трифазним, вмикачем, інвертором, напівпровідниковим, гальмових

Формула / Реферат:

Перетворювач з трифазним інвертором і напівпровідниковим вмикачем гальмових резисторів, який відрізняється тим, що згаданий вмикач утворено з трьох тиристорів, з'єднаних послідовно один за одним у трикутник, між вершинами якого і фазами змінного струму інвертора включені гальмові резистори.

Номер патенту: 67866

Опубліковано: 15.07.2004

Автор: Райнер Роберт

МПК: G07D 7/00, G07D 7/02

Мітки: чіпом, площинний, напівпровідниковим, щонайменше, одним, носій

Формула / Реферат:

1. Площинний носій (1) зі щонайменше одним напівпровідниковим чіпом (4), з'єднаним з антеною (5а, 5b) для обміну даними і енергією з електронним приладом (13), причому антена складається із двох електричних провідників (5а, 5b), який відрізняється тим, що на носії (1) передбачено електропровідну плівку (6а, 6b), яка перекриває електричні провідники (5а, 5b).2. Носій за п. 1, який відрізняється тим, що кожен із двох електричних...

Номер патенту: 29431

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Базакуца Вікторія Вікторівна, Кипенський Андрій Володимирович, Сокіл Євген Іванович, Івашов Олег Володимирович

МПК: H02M 7/12

Мітки: керування, перетворювачем, здійснення, спосіб, електроенергії, напівпровідниковим, пристрій, мікропроцесорного

Текст:

...полупроводникового преобразователя путем обеспечения ее инвариантности по отношению к изменениям напряжения питающей сети Поставленная задача решается при помощи то го, что в способе микропроцессорного управления полупроводниковым преобразователем электроэнергии, включающем запись в таймер числа, предварительно преобразованного по выражению , ч F (N) *= f-W - N , где Nmax - максимальное значение числа, которое может быть записано в...

Номер патенту: 23060

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Рябенький Володимир Іванович, Сокіл Євген Іванович, Поленов Олександр Миколаєвич, Кипенський Андрій Володимирович

МПК: H02M 7/12

Мітки: напівпровідниковим, перетворювачем, керування, електроенергії, пристрій, прямого, спосіб, здійснення, мікропроцесорного

Формула / Реферат:

1. Способ прямого микропроцессорного управления полупроводниковым преобразователем электроэнергии, включающий преобразование исходного числа N, эквивалентного сигналу управления, в соответствии с выражениемF(N) = Nmax - N,где F(N) - результат преобразования исходного числа, полученный выполнением операции вычитания;-Nmax - значение числа (постоянная величина), которое при записи в таймер обеспечивает формирование...

Номер патенту: 16883

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Сенько Віталій Іванович, Калініченко Олександр Павлович, Макаренко Микола Петрович, Святненко Вадим Анатолійович

МПК: H02M 1/08

Мітки: керування, ключем, силовим, пристрій, напівпровідниковим

Формула / Реферат:

Устройство для управления силовым полупроводниковым ключом, содержащее генератор импульсов, основной трансформатор, вторичная обмотка которого выполнена со средним выводом, использованным в качестве первой выходной клеммы устройства, два ключа с двусторонней проводимостью, первые выводы которых соединены с соответствующими крайними выводами вторичной обмотки основного трансформатора, а вторые выводы объединены и использованы в качестве второй...