Патенти з міткою «резисторів»

Номер патенту: 108581

Опубліковано: 12.05.2015

Автор: Кондратов Владислав Тимофійович

МПК: G01R 27/02, G01R 27/00

Мітки: сенсорів, резистивних, спосіб, супернадлишкових, опору, понаднадлишкових, вимірювань, резисторів

Формула / Реферат:

1. Спосіб понаднадлишкових вимірювань опору резисторів і резистивних сенсорів, оснований на формуванні нормованого за значенням струму , де  - похибка формування, пропусканні цього струму через зразковий резистор з нормованим значенням опору

Номер патенту: 68124

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Лепіх Ярослав Ілліч, Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавренова Тетяна Іванівна

МПК: C03C 14/00, H01C 17/00

Мітки: товстоплівкових, скло, легкоплавке, резисторів

Формула / Реферат:

Легкоплавке скло для товстоплівкових резисторів, що включає SiO2, Ві2О3, СdO, яке відрізняється тим, що додатково містить ZnO, MgO, В2О3, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (%, мас): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 В2О, 7,5-10,0 CdO 3,0-8,5 ...

Номер патенту: 25450

Опубліковано: 10.08.2007

Автор: Чернишев Аркадій Олексійович

МПК: G05D 13/00, H02M 7/66, H02P 5/74 ...

Мітки: вмикачем, напівпровідниковим, гальмових, резисторів, перетворювач, інвертором

Формула / Реферат:

Перетворювач з інвертором і напівпровідниковим вмикачем гальмових резисторів, який відрізняється тим, що згаданий вмикач утворений з тиристорів, з'єднаних попарно зустрічно-паралельно, які приєднують гальмові резистори до фаз змінного струму інвертора.

Номер патенту: 24435

Опубліковано: 25.06.2007

Автор: Чернишев Аркадій Олексійович

МПК: G05D 13/00, H02P 5/74, H02M 7/66 ...

Мітки: трифазним, перетворювач, інвертором, вмикачем, напівпровідниковим, гальмових, резисторів

Формула / Реферат:

Перетворювач з трифазним інвертором і напівпровідниковим вмикачем гальмових резисторів, який відрізняється тим, що згаданий вмикач утворено з трьох тиристорів, з'єднаних послідовно один за одним у трикутник, між вершинами якого і фазами змінного струму інвертора включені гальмові резистори.

Номер патенту: 20814

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Сидорець Ростислав Григорович, Смирнов Анатолій Миколайович, Пучкова Надія Сергіївна

МПК: C03C 14/00

Мітки: високовольтних, товстоплівкових, резисторів, скло

Формула / Реферат:

1. Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів, що містить PbO, SiО2, Al2O3, яке відрізняється тим, що додатково містить ТіО2 і ВаО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО – 50...60, SiO2 - 25...35, Al2O3 - 5...10, ВаО - 5...10, ТiO2 - 1...5.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після здрібнювання (помелу) на планетарному млині його додатково класифікують методом центрифугування за розмірами частинок 1-0...

Номер патенту: 19879

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Сафронов Сергій Антонович, Гончарко Володимир Семенович, Демченко Валентина Андріївна

МПК: H01C 7/00

Мітки: матеріал, резисторів, виготовлення, резистивний, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить нікель, хром і кремній, який відрізняється тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 30,00-35,00 кремній 2,0-3,0 нікель решта.

Номер патенту: 19878

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Гончарко Володимир Семенович, Демченко Валентина Андріївна, Сафронов Сергій Антонович

МПК: H01C 7/00

Мітки: матеріал, тонкоплівкових, виготовлення, резистивний, резисторів

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить хром і кремній, який відрізняється тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 25,0-28,0 кремнію решта.

Номер патенту: 19877

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Сафронов Сергій Антонович, Гончарко Володимир Семенович, Демченко Валентина Андріївна

МПК: H01C 7/00

Мітки: резистивний, матеріал, резисторів, тонкоплівкових, виготовлення

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить хром і кремній, який відрізняється тим, що він додатково містить ванадій, при цьому зазначені речовини використовують у вигляді вільних елементів, при наступному вмісті компонентів, мас. %: ванадій 13,0-17,0 кремнію 50,00-55,00 хрому ...

Номер патенту: 16229

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Тельніков Євгеній Якович, Шибаєв Володимир Олександрович, Максимов Володимир Миколайович

МПК: H01B 1/00, H05B 3/00

Мітки: матеріал, товстоплівкових, резисторів

Формула / Реферат:

1. Матеріал для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу і склозв'язуюче, який відрізняється тим, що провідна фаза містить бориди металів, наприклад: ТіВ2, CrB2, NiB, Ni2B, Ni3B, Ni3B-Ni, ВаВ6, СаВ6, і т.ін., а склозв'язуючим є скло, що кристалізується.2. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що провідна фаза містить ТіВ2 та/або CrB2, та/або NiB, та/або N2B, та/або Ni3В, та/або Ni3В-Ni, та/або ВаВ6, та/або СаВ6 і...

Номер патенту: 75288

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Білецька Ольга Євгенівна, Рябцев Сергій Іванович, Большаков Володимир Іванович, Башев Валерій Федорович, Брехаря Григорій Павлович, Доценко Федір Федорович

МПК: H01C 7/10, C21D 10/00, C22C 38/00 ...

Мітки: спосіб, тонкоплівкових, одержання, сплав, резисторів

Формула / Реферат:

1. Сплав для тонкоплівкових резисторів, що містить залізо та вуглець, який відрізняється тим, що він містить залізо та вуглець у такому співвідношенні компонентів (ат.%):вуглець - 65,0 - 75,0, залізо - решта.2. Спосіб одержання сплаву для тонкоплівкових резисторів, який включає триелектродне іонно-плазмове розпилення набірних мішеней, які складаються зі статистично рівномірно розташованих квадратів чистих елементів, що...

Номер патенту: 12849

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Пучкова Надія Сергіївна, Вікулін Іван Михайлович, Сидорець Ростислав Григорович, Смирнов Анатолій Миколайович

МПК: H01C 17/06, C03C 14/00

Мітки: товстоплівкових, скло, резисторів

Формула / Реферат:

1. Скло для товстоплівкових резисторів, яке містить PbO, SiO2 і Ві2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить CdO і Аl2О3 при наступному співвідношенні компонентів, мас %:PbO                55-65SiO2                20-30Ві2О3                1-3CdO                  4-7Аl2О3                5-10.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після подрібнення (помелу) на планетарному млині воно...

Номер патенту: 49730

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Браташ Віктор Олександрович, Артюх Володимир Степанович, Денисенко Віктор Романович

МПК: H01C 3/00

Мітки: пускогальмівних, резисторів, блок

Формула / Реферат:

Пульт керування, що містить каркас, панелі інформації і командоапаратів і панелі керування, який відрізняється тим, що поверхня пульта керування з панелями інформації і командоапаратів утворюють коритоподібний профіль з нерівними сторонами, які утворені трапеціями, з'єднаними між собою під кутами 90°<α<180°, при цьому поверхня пульта з панелями керування обмежена також коритоподібним профілем.

Номер патенту: 42176

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Мазурик Станіслав Васильович, Глот Олександр Борисович

МПК: H01C 7/10

Мітки: резисторів, нелінійних, спосіб, багатошарових, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатошарових нелінійних резисторів, який включає приготування шихти змішуванням оксиду цинку з оксидами кобальту і бору, отримання з шихти шлікера на органічному зв'язуючому, формування плівок сирої кераміки, нанесення електродної пасти на плівки сирої кераміки, пресування заготовок нелінійних резисторів з плівок сирої кераміки, і випал заготовок в окислювальній атмосфері, який відріз­няється тим, що при приготуванні...

Номер патенту: 19294

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Яворів Ігор Богданович, Левін Євген Михайлович, Прокопишин Іван Юрійович, Калашник Ліна Дмитрівна, Тебенько Ігор Васильович, Шередько Микола Андрійович

МПК: H01C 7/00, H01B 1/06

Мітки: матеріал, товстоплівкових, резисторів

Формула / Реферат:

Материл для толстопленочных резисторов, включающий борсодержащий силицид никеля в количестве 30-60 мас.% и стекло-связующее на основе системы B2O3-AI2O3-ZnO-MnO-Na2O-Li2O в количестве 40-70 мас.%, отличающийся тем, что он дополнительно содержит в составе стекло-связующего оксид калия при следующем соотношении компонентов стеклосвязующего, мас.%: 

Номер патенту: 13234

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Левін Євген Михайлович, Балабін Міхаіл Юрьєвіч, Марковський Олексій Анатолійович, Мінєєв Олексій Семенович, Куценко Віктор Іванович, Арєшкін Алєксєй Андрєєвіч, Кужель Богдан Степанович

МПК: H01C 7/00

Мітки: прецизійних, матеріал, високоомний, тонкоплівкових, резисторів

Формула / Реферат:

Высокоомный материал для прецизионных тонкопленочных резисторов, содержащий иттрий, хром и кремний, отличающийся тем, что он выполнен в виде сплава иттрия, хрома и кремния при следующем соотношении исходных компонентов, мас.%: Иттрий 2,44-4,83 Хром 46,12-44,25 Кремний 51,44-50,92.

Номер патенту: 11185

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Куделін Юрій Васильович, Усенко Ніна Миколаївна, Гончаров Олександр Андрійович, Ігнатенко Петро Іванович, Соколова Ірина Василівна, Муза Михайло Анатолійович

МПК: H01C 7/00

Мітки: виготовлення, резисторів, тонкоплівкових, матеріал

Формула / Реферат:

(57) Материал для тонкопленочных резисторов, содержащий твердый раствор на основе дисилицида хрома и дисилицида никеля, отличающийся тем, что он дополнительно содержит нитрид кремния при следующем соотношении компонентов, мас. %: дисилицид никеля 19-20 нитрид кремния 3-6 дисилицид хрома остальное.

Номер патенту: 11037

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Калашник Ліна Дмитрівна, Котик Василь Степанович, Кузьма Юрій Богданович, Підковка Володимир Олексійович, Яворів Ігор Богданович, Левін Євген Михайлович, Тебенько Ігор Васильович, Прокопишин Іван Юрійович, Бодак Оксана Іванівна, Шередько Микола Андрійович

МПК: H01B 1/06, H01C 7/00

Мітки: резисторів, товстоплівкових, матеріал

Номер патенту: 11394

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Волкова Ольга Олександрівна, Дворіна Людмила Андріївна, Кудь Ірина Володимирівна, Єрьоменко Людмила Іванівна, Ганієв Рев Вазіхович, Шпилевський Едуард Михайлович

МПК: H01C 7/00

Мітки: матеріал, резисторів, тонкоплівкових, виготовлення

Формула / Реферат:

Материал для изготовления тонкопленочных резисторов, включающий кремний, хром, марга­нец, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную область, исходные компоненты взя­ты в следующем количественном соотношении, мас.%:хром               35,0-43,4марганец        5,1-14,4кремний         остальное.