Патенти з міткою «сапфіра»
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (a-al2o3) вертикальною напрямленою кристалізацією розплаву
Номер патенту: 93505
Опубліковано: 10.10.2014
Автори: Пекар Володимир Ярославович, Пекар Ярослав Михайлович, Гаврилов Валерій Олександрович
МПК: C30B 15/00
Мітки: монокристалів, сапфіра, спосіб, a-al2o3, вертикальною, вирощування, кристалізацією, напрямленою, розплаву
Формула / Реферат:
1. Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву, який відрізняється тим, що першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси...
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-al2o3 заданої форми напрямленою кристалізацією розплаву
Номер патенту: 87738
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: C30B 29/20, C30B 17/00, C30B 21/00 ...
Мітки: заданої, монокристалів, a-al2o3, розплаву, напрямленою, форми, вирощування, спосіб, сапфіра, кристалізацією
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-Аl2О3 заданої форми, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та напрямлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між формоутворювачем та стінками тигля по всій...
Спосіб видалення нальоту з поверхні профільованих кристалів сапфіра
Номер патенту: 87087
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Коротенко Антоніна Євгенівна, Андрєєв Євген Петрович, Гайдук Андрій Іванович
МПК: C30B 33/00, C30B 29/20, C30B 33/08 ...
Мітки: спосіб, профільованих, поверхні, кристалів, сапфіра, видалення, нальоту
Формула / Реферат:
Спосіб видалення нальоту з поверхні профільованих кристалів сапфіра шляхом хімічного травлення, який відрізняється тим, що як травник використовують ортофосфорну кислоту з концентрацією 80-85 %, а травлення ведуть протягом 0,15-0,25 години при температурі 60-80 °С, після чого механічно видаляють наліт в процесі промивання у воді кімнатної температури.
Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра
Номер патенту: 86156
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: C30B 33/00, B28D 5/00, C01F 7/00 ...
Мітки: спосіб, виготовлення, сапфіра, підкладок, монокристала
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра, який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричної заготовки, основа якої є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричної заготовки на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який відрізняється тим, що після...
Спосіб визначення кристалографічних площин об`ємного монокристала сапфіра (a-al2o3)
Номер патенту: 30049
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Соломон Андрій Михайлович
МПК: C30B 29/20
Мітки: кристалографічних, спосіб, a-al2o3, монокристала, об`ємного, визначення, площин, сапфіра
Спосіб виготовлення підкладок із монокристалів сапфіра (a-al2o3)
Номер патенту: 29747
Опубліковано: 25.01.2008
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 33/00, C01F 7/00
Мітки: сапфіра, виготовлення, a-al2o3, монокристалів, підкладок, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення підкладок із монокристалів сапфіра (α-Аl2О3), який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричних заготовок, основа яких є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричних заготовок на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який...
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (a-al2o3) заданої форми направленою кристалізацією розплаву
Номер патенту: 29879
Опубліковано: 25.01.2008
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 21/00, C30B 7/00
Мітки: розплаву, сапфіра, направленою, вирощування, кристалізацією, a-al2o3, спосіб, заданої, форми, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра α-Al2O3 заданої форми направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та направлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між...
Спосіб термообробки заготівок активних лазерних елементів з монокристалів сапфіра, що активовані титаном
Номер патенту: 81385
Опубліковано: 25.12.2007
Автори: Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович
МПК: C30B 33/00, C30B 29/20
Мітки: монокристалів, спосіб, сапфіра, активовані, титаном, лазерних, термообробки, активних, заготівок, елементів
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра, що активовані титаном, який включає послідовний відпал в насичених парах термічної дисоціації оксиду алюмінію, а потім в атмосфері аргону з вмістом метану у кількості 10 - 30% об. при температурі 1750 – 2030 °С і відновному потенціалі -100...-170 кДж/моль, який відрізняється тим, що відпал монокристалів в насичених парах...
Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра з титаном (тикору)
Номер патенту: 53469
Опубліковано: 15.12.2005
Автори: Буй Алєксандр Алєксандровіч, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович
МПК: C30B 33/02, C30B 29/20
Мітки: титаном, спосіб, тикору, виробів, монокристалів, сапфіра, термообробки
Формула / Реферат:
1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.
Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра з титаном (тикора)
Номер патенту: 53469
Опубліковано: 15.01.2003
Автори: Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Буй Алєксандр Алєксандровіч
МПК: C30B 33/02, C30B 29/20
Мітки: титаном, термообробки, виробів, тикора, монокристалів, сапфіра, спосіб
Формула / Реферат:
1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.