Патенти з міткою «p-gaas»
Спосіб отримання поруватого шару p-gaas шляхом електрохімічного травлення
Номер патенту: 57811
Опубліковано: 10.03.2011
Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Сичікова Яна Олександрівна, Кірілаш Олександр Іванович
МПК: C01G 15/00
Мітки: шляхом, поруватого, травлення, p-gaas, спосіб, електрохімічного, шару, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за такою формулою: H2O:HF:HBr=7:5:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності...