Спосіб отримання поруватого шару p-gaas шляхом електрохімічного травлення

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 57811

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Кірілаш Олександр Іванович, Сичікова Яна Олександрівна

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності струму 200 мА/см2.

3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 15 хвилин при використанні щільності струму 200 мА/см2, після чого для видалення поверхневих оксидів зразки відпалюють у потоці чистого водню Н2 при температурі 820 К протягом 15 хвилин.

Текст

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у 3 57811 склад шарів p-GaAs, з аналізу спектрів яких зрозуміло, що на поверхні підкладки під час електролітичного травлення утворюються оксиди AS2O3 та Ga2О3. Відносна більшість одного або іншого із зазначених оксидів залежіть від умов анодування та складу травника HF:Н2O, що й визначає, очевидно різну ступінь швидкості травлення підґраток арсеніду та галію подвійної сполуки GaAs. Для вилучення оксидів з поверхні підкладка GaAs відпалювалась у потоці чистого водню Н2 при температурі 820 К протягом 15 хвилин. Порівняльний аналіз свідчить про значне зменшення інтенсивності сигналів оксидів у плівках, оброблених нами у потоці водню. На рис. 1 представлено зображення скануючої електронної мікроскопії отриманих нами поруватих шарів GaAs. Порувата структура має дендроїдну форму. Зазначимо, що очевидна регулярність у повторенні структури кристалітів, їх розміру та форми. Аналіз зображення свідчить про наявність макроструктур розміром 3-4 мкм, кожна з яких Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 4 складається із "мікро" кристалітів, розмірами порядку 0,1-1 мкм. Необхідність дотримування вказаної концентрації компонентів електроліту встановлено експериментально. НВr використовується для активізації процесу травлення, так як плавикова кислота не має достатню селективність для розтравлювання поверхонь р-типу. До того ж, бромоводнева кислота сприяє покращенню проникнення електроліту в пори, що допомагає їм вирівнюватися в об'ємі кристалу та кристалографічно орієнтовуватися. Також експериментально встановлено, що травлення краще проводити при щільності струму 200 мА/см2. Запропонований склад електроліту дозволяє швидко отримувати якісні шари поруватого арсеніду галію. Наступне очищення від оксидного дає змогу ефективно застосовувати por-GaAs у якості буферного слою під час епітаксійного вирощування гетероструктур. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for producing of porous layer p-gaas by electrochemical etching

Автори англійською

Sychikova Yana Oleksandrivna, Kidalov Valerii Vitaliiovych, Kirilash Oleksandr Ivanovych

Назва патенту російською

Способ получения пористого слоя p-gaas путем электрохимического травления

Автори російською

Сычикова Яна Александровна, Кидалов Валерий Витальевич, Кирилаш Александр Иванович

МПК / Мітки

МПК: C01G 15/00

Мітки: спосіб, електрохімічного, шару, p-gaas, шляхом, травлення, отримання, поруватого

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-57811-sposib-otrimannya-poruvatogo-sharu-p-gaas-shlyakhom-elektrokhimichnogo-travlennya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання поруватого шару p-gaas шляхом електрохімічного травлення</a>

Подібні патенти