C01G 15/00 — Сполуки галію, індію або талію

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Філеп Михайло Йосипович, Когутич Антон Антонович

МПК: C01G 15/00, H01L 35/00, H01L 35/16 ...

Мітки: термоелектричної, тетраталію(і, полікристалічного, спосіб, покращення, потужності, триселеностанату(іі)-тi4snse3

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Номер патенту: 119253

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Роговцов Олександр Олександрович, Железнова Лідія Іванівна, Слюсарчук Людмила Іванівна, Трунова Олена Костянтинівна

МПК: C01G 15/00, C01G 3/00, C01G 51/00 ...

Мітки: гексафторацетилацетонатних, перехідними, металами, індію, спосіб, комплексів, летких, одержання, гетерометалічних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання летких гетерометалічних гексафторацетилацетонатних комплексів індію з перехідними металами загальної формули InM(rOA)n.2AN (М - Со(ІІ), Cu(II), Zn(II), Nd(III); НГФА-гексафторацетилацетон (F3C-C(O)-CH2-C(O)-CF3), AN - ацетонітрил (СН3-CN)), шляхом проведення прямого синтезу в середовищі апротонного розчинника з металевого індію, хлориду 3d-металу або оксиду неодиму та гексафторацетилацетону, який відрізняється тим, що леткі...

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: отримання, арсеніду, шарів, спосіб, галію, поруватих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Риган Михайло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Пісак Роман Петрович

МПК: C30B 11/02, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: синтезу, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, спосіб, матеріалу, сегнетоелектричного, складу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Соломон Андрій Михайлович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 29/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: ііі, термоелектрика, бісмут, tlbise2, спосіб, енергозберігаючого, твердофазного, диселеніду, талій, синтезу, перспективного

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Номер патенту: 102947

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Бояринцев Андрій Юрійович, Реброва Тетяна Павлівна, Дацько Юрій Миколайович, Чергінець Віктор Леонідович

МПК: C01G 15/00, C01G 9/00

Мітки: спосіб, таллію, одержання, виробництва, йодиду, монокристалів, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду Талію, що включає очистку відходів виробництва монокристалів від механічних включень і розчинних домішок, одержання розчину тетрайодоталату Натрію шляхом розчинення осаду йодиду Талію у водному розчині йоду та йодиду Натрію, осадження йодиду Талію розчином гідропероксиду Натрію, який відрізняється тим, що перед стадією осадження йодиду Талію в розчин тетрайодоталату Талію додають комплексоутворювач - натрієву соль...

Номер патенту: 102198

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: твердого, tlbise2–tl4snse4, розчину, матеріал, основі, потужністю, термоелектричною, системі, підвищеною

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій (І) монобісмут (III) диселенід TlBiSe2, який відрізняється тим, що містить у складі тетраталій (І) моностанум (IV) тетраселеніду Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005 має на ~ 50 % вищу термоелектричну потужність та потребує при синтезі в 3 рази менших енерговитрат і в 2 рази менших затрат часу.

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: покращення, евтектичного, добротності, snse2)0.55(tlbise2)0.45, спосіб, сплаву, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Габорець Наталія Йосипівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: ефективний, основі, середньотемпературний, tl5.63bi0.70se3.67, термоелектрик, евтектики

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Номер патенту: 101519

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C01G 15/00

Мітки: спосіб, містять, талію, тіогалат, регенерації, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію, який включає розділення тіогалату талію на сполуки, одна з яких містить талій, а інша галій, який відрізняється тим, що вихідну речовину витримують в атмосфері кисню або повітря при температурі 400-450 °C протягом 0,5-1,0 години, після чого нагрівають до температури 900-950 °C і витримують при цій температурі протягом 2-3 годин в герметичному контейнері, частина якого...

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C21D 1/60 ...

Мітки: основі, tl9bise6, ефективності, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, спосіб, сполуки, матеріалу, термоелектричної, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 81513

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Риган Михайло Юрійович, Пісак Роман Петрович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00

Мітки: спосіб, синтезу, селеногалату, талію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...

Номер патенту: 80203

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Гуранич Оксана Григорівна, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Росул Роман Романович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01L 41/39, C01G 15/00

Мітки: спосіб, складу, сегнетоелектричного, одержання, tlins2)x(tlinse2)1-x, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: tl4snse4-tl9bise6, термоелектричний, композиту, евтектичного, матеріал, системі, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 15/00, C01G 17/00, C01G 19/00 ...

Мітки: талію(і, одержання, матеріалу, основі, tl4sns4, тетратіостанату, термоелектричного, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Номер патенту: 57811

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Сичікова Яна Олександрівна, Кірілаш Олександр Іванович

МПК: C01G 15/00

Мітки: спосіб, p-gaas, травлення, шляхом, електрохімічного, шару, поруватого, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за такою формулою: H2O:HF:HBr=7:5:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 1/12, C01G 15/00, C01G 19/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 87302

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Кобаясі Ясусі, Ваказукі Акіхіро, Сано Хіросі

МПК: C01G 15/00, C25C 1/00

Мітки: спосіб, алюмінатного, містить, витягання, розчину, галію

Формула / Реферат:

1. Спосіб витягання галію з алюмінатного розчину, що його містить, в якому приводять у контакт алюмінатний розчин з хелатуючим агентом, що складається з водонерозчинного заміщеного хінолінолу, проводять екстрагування галію шляхом приведення у контакт розчину для зворотного захоплення, що складається з кислотного водного розчину, який містить заміщений хінолінол, з хелатуючим агентом, що містить захоплений галій, і витягають металічний галій з...

Номер патенту: 83676

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Кулик Олександр Федорович, Білов Юрій Петрович

МПК: C01G 15/00, C01B 9/00

Мітки: домішок, талію, спосіб, чистоти, йодиду, вмістом, особливої, одержання, великим, сировини

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду талію особливої чистоти з сировини з великим вмістом домішок, що містить в своєму складі йодид талію, зокрема з відходів виробництва лужногалоїдних монокристалів, який відрізняється тим, що йодид талію одержують у дві стадії: на першій стадії проводять попереднє очищення сировини від нерозчинних механічних включень та розчинних домішок, одержаний осад йодиду талію розчиняють у водному розчині йоду та йодистого натрію ...

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Переш Євгеній Юлійович, Черешня Володимир Михайлович, Габорець Наталія Йосипівна, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C30B 11/00, C30B 9/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl6sbr4, монокристалів, спосіб, одержання, талію(і)сульфотетрахлориду, сполук, tl6scl4, талію(і)сульфотетраброміду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Переш Євген Юлійович, Севрюков Дмитро Володимирович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01G 23/00, C01B 17/20 ...

Мітки: одержання, спосіб, титану, тl4тіs4, талію, тетрасульфіду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Номер патенту: 17683

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Кулик Олександр Федорович, Білов Юрій Петрович

МПК: C01G 15/00, C01B 9/00

Мітки: йодиду, спосіб, вмістом, чистоти, домішок, талію, особливої, великим, одержання, сировини

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду талію особливої чистоти методом розчинення і осадження домішок та нагрівання, плавлення і грануляції йодиду талію в інертній атмосфері, з сировини з великим вмістом домішок, що містить в своєму складі йодид талію та є відходами виробництва лужногалоїдних монокристалів або йодиду талію з великим вмістом домішок, який відрізняється тим, що одержують йодид талію в дві стадії: на першій стадії після попереднього очищення...

Номер патенту: 67538

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Слободяник Микола Семенович, Стусь Наталія Вікторівна, Смірнова Тамара Іванівна, Лісняк Владислав Владиславович, Стратійчук Денис Анатолійович

МПК: C01B 25/22, C01B 25/18, C01D 13/00 ...

Мітки: отримання, na7(inp2o7)4(po4, монокристалів, спосіб, ортодифосфату, натрію-індію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів ортодифосфату натрію-індію Nа7(InP2О7)4(PО4), який передбачає змішування натрієвмісного, фосфорвмісного компонентів та оксиду індію (Іn2О3) (в кількості 12-14 % мас.), нагрівання отриманої суміші методом ізотермічного насичення до утворення високотемпературного лужно-фосфатного розплаву, який відрізняється тим, що при змішуванні додають метаванадат натрію (NaVO3) в кількості 10-15 % мас.2. Спосіб за п....

Номер патенту: 26859

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Скворцов Олександр Юрійович, Фомічов Юрій Олександрович

МПК: C22B 58/00, C01G 15/00

Мітки: сорбцією, вилучення, спосіб, галію

Формула / Реферат:

Способ извлечения галлия сорбцией из щелочных алюминатных ратворов, включающий предварительную обработку раствора и последующее сорбционное извлечение галлия, отличающийся тем, что предварительная обработка заключается в выделении алюминия из раствора в осадок путем крабонизации растворов углекислым газом, а сорбцию проводят из карбонизированной пульпы или раствора после фильтрации такой пульпы.

Номер патенту: 11021

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Фомічов Юрій Олександрович, Скворцов Олександр Юрійович, Толкачьов Олександр Борисович

МПК: C01G 15/00, C01F 7/46, C22B 58/00 ...

Мітки: галію, спосіб, добування

Формула / Реферат:

1. Способ извлечения галлия из щелочных алюминийсодержащих растворов, включающий осаждение из них алюминия с получением пульпы и сорбцию галлия ионообменником, отличающий­ся тем, что осаждение алюминия ведут в виде каль­циевого гидроалюмината обработкой раствора кальцийсодержащим реагентом, а сорбцию галлия ведут из пульпы или из растворов после выделения осадка из пульпы.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в каче­стве...