Патенти з міткою «p-n-переходу»
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (t = 77 k) inas фотодіодів
Номер патенту: 47315
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Луцишин Ірина Григорівна, Лук'яненко Володимир Іванович
МПК: H01L 31/00, H01L 31/102, H01L 31/06 ...
Мітки: фотодіодів, структура, чутливої, p-n-переходу, області, охолоджуваних
Формула / Реферат:
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...