Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини залягання p-n-переходу l, i виконуються умови Ln>l, kLn>>1, де k - коефіцієнт поглинання випромінювання на робочій довжині хвилі, Ln - дифузійна довжина нерівноважних електронів в ро-області.

Текст

УКРАЇНА (19) UA (11) 47315 (13) U (51) МПК (2009) H01L 31/102 H01L 31/06 H01L 31/00 МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ ДЕРЖАВНИЙ ДЕПАРТАМЕНТ ІНТЕЛЕКТУАЛЬНОЇ ВЛАСНОСТІ ОПИС видається під відповідальність власника патенту ДО ПАТЕНТУ НА КОРИСНУ МОДЕЛЬ (54) СТРУКТУРА ЧУТЛИВОЇ ОБЛАСТІ p-n-ПЕРЕХОДУ ОХОЛОДЖУВАНИХ (T = 77 K) InAs ФОТОДІОДІВ 1 2 рами D* та Si існує взаємозв'язок, що описується l виразом [3]: 1/ 2 æR Aö (1), = Si ´ ç 0 ÷ ç 4k Т ÷ è Б ø де R0A - добуток диференційного опору фотодіода при нульовій напрузі зміщення R0 на активну площу A; kБ - стала Больцмана, Т - абсолютна температура. Монохроматичну ампер-ватну чутливість можна оцінити за виразом [1]: D* l (13) 47315 D* та монохроматична ампер-ватна чутливість Si l на робочій довжині хвилі l [1, 2]. Під структурою чутливої області слід розуміти послідовність розміщення, тип провідності та рівень легування, а також геометричні розміри активної області р-n-переходів на основі InAs. При реалізації теплового шуму між парамет (11) e e hl = l (1 - R )b[1 - exp (- kd)]ap- n , (2) hc hc де e - заряд електрона, h - стала Планка, с швидкість світла, h - квантова ефективність, R коефіцієнт відбиття, b - квантова ефективність внутрішнього фотоефекту, k - коефіцієнт поглинання, d - товщина структури, aр-n - коефіцієнт збирання нерівноважних носіїв заряду (ННЗ) потенціальним бар'єром фотодіода. В спектральному діапазоні l=2.0-3.0мкм для InAs при Т=77К квантова ефективність внутрішнього фотоефекту b=1 (один квант випромінювання генерує в InAs лише одну пару HHЗ, а значення виразу [1-ехр(-kd)]»1.0, оскільки kd>>1 (k>1´103см-1 [4], d»7х10-2см). З врахуванням вищезазначених оцінок, вираз для Si в спектральному діапазоні l=2.0-3.0мкм набуває вигляду: e Si = l (1 - R )ap -n (3) hc Аналіз формули (3) показує, що найбільший вплив на значення Si має aр-n який обумовлюється конструкцією і параметрами активної області фотодіода, при цьому значення (1-R) може бути доведеним майже до одиниці шляхом використання ефекту просвітлення фронтальної поверхні. Для InAs фотодіода на основі p-n-переходу, збирання Si = UA Запропонована корисна модель належить до мікрофотоелектроніки, а саме до напівпровідникових фотоприймачів - InAs фотодіодів, призначених для виявлення і реєстрації інфрачервоного (ІЧ) випромінювання спектрального діапазону l=2.03.1мкм. До основних фотоелектричних параметрів фотодіодів відносяться питома виявлювана здатність U ється з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-nпереходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.33.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини залягання p-nпереходу l, i виконуються умови Ln>l, kLn>>1, де k коефіцієнт поглинання випромінювання на робочій довжині хвилі, Ln - дифузійна довжина нерівноважних електронів в ро-області. (19) (21) u200908323 (22) 06.08.2009 (24) 25.01.2010 (46) 25.01.2010, Бюл.№ 2, 2010 р. (72) СУКАЧ АНДРІЙ ВАСИЛЬОВИЧ, ТЕТЬОРКІН ВОЛОДИМИР ВОЛОДИМИРОВИЧ, ВОРОЩЕНКО АНДРІЙ ТАРАСОВИЧ, ЛУК'ЯНЕНКО ВОЛОДИМИР ІВАНОВИЧ, ЛУЦИШИН ІРИНА ГРИГОРІВНА (73) СУКАЧ АНДРІЙ ВАСИЛЬОВИЧ, ТЕТЬОРКІН ВОЛОДИМИР ВОЛОДИМИРОВИЧ, ВОРОЩЕНКО АНДРІЙ ТАРАСОВИЧ, ЛУК'ЯНЕНКО ВОЛОДИМИР ІВАНОВИЧ, ЛУЦИШИН ІРИНА ГРИГОРІВНА (57) Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що склада 3 ННЗ, генерованих випромінюванням в активній (чутливій) області, здійснюється з трьох областей: квазінейтральних р- та n-областей, а також області просторового заряду (ОПЗ), тому aр-n=aр+an+aoпз. Зазначимо, що вирази (1, 3) дають можливість теоретично оцінювати верхню межу значень параметрів D* та Si фотодіодів при Т=11 К. l Оцінка максимального значення монохроматичної (l=3.0мкм) ампер-ватної чутливості для ідеального InAs фотодіода за формулою (3) дає величину Si»2.4А/Вт. При розрахунку Si використано наступні значення параметрів: e=1.6´10-19Кл, h=6.63×10-34Дж´с, с=3×108м/с, 1-R»1.0, aр-n»1.0. Зазначимо, що в комерційних охолоджуваних (Т=77К) InAs фотодіодах фірми «Hamamatsu» (Японія) монохроматична (l=3.0мкм) ампер-ватна чутливість при Т=77К становила Si=1.3А/Вт [5]. Про конструкцію активної області та спосіб виготовлення комерційних InAs фотодіодів не повідомляється. Відома структура чутливої області охолоджуваних (T=77К) InAs фотодіодів, яка дозволяє реєструвати ІЧ випромінювання в спектральному діапазоні l=2.0-3.1мкм [6-8]. Так, наприклад, в [6] повідомляється про виготовлення охолоджуваних (Т=77К) InAs р-n-переходів методом молекулярнопучкової епітаксії як на монокристалічних підкладках InAs, так і альтернативних Si і GaAs. Сильнолегований буферний р+-шар з концентрацією дірок р=1´1018см-3 наносився на підкладки для зменшення механічних напружень між альтернативними підкладками і активною областю структур. Товщина цього шару становила ~ 2мкм, а в якості легуючої домішки використано берилій. В подальшому на буферному p+-шарі формувались ІЧ чутливі р0-n0-шари з товщиною 2.0 і 0.25мкм, відповідно. Концентрація основних носіїв заряду в р0шарі становила 5×1016см-3, а в n0-шарі - 3×1016см-3. Розподіл легуючої акцепторної (берилій) в p0-шарі і донорної (кремній) в n0-шарі домішки є однорідним, а межа р0-n0-переходу була різкою. На n0-шар нарощувався шар товщиною 0.25мкм з експоненційним розподілом легуючої донорної домішки від 3×1016см-3 до 6×1017см-3, який призначався для зменшення впливу поверхневої рекомбінації на коефіцієнт збирання ННЗ в чутливій області фотодіодів. Поверх шару з експоненціальним розподілом легуючої домішки вирощувався сильно легований кремнієм шар n+-типу провідності товщиною 0.1мкм з концентрацією електронів ~1х1018см-3, який призначався для формування омічного контакту. Фоточутливі елементи виготовлялись у вигляді мезаструктури глибиною 2.5мкм з активною площею А=1.25×10-4см2 і освітлювались зі сторони n+-шару. Спектральний діапазон чутливості при Т=11К становив l=2.0-3.1мкм за рівнем 0.9 від максимального значення, якому відповідала довжина хвилі lmах=2.95мкм. Монохроматична амперватна чутливість для lmax досліджуваних зразків була приблизно однаковою і дорівнювала Si»0.95А/Вт, що відповідає квантовій ефективності h=0.4. Недоліком запропонованої в [6] структури чутливої області InAs фотодіодів є недостатня ефективність поглинання ІЧ випромінювання на 47315 4 робочій довжині хвилі l=3.0мкм (k×d1´1018см-3. Поверх підкладки виготовлявся буферний n+-шар товщиною 0.1мкм з n=1х1019см-3. За буферним шаром вирощувалась структура n0ni-p+-типу з відповідними товщинами шарів 1.0, 0.7 та 0.1мкм. Концентрація електронів в n0- шарі становила 5´1016см-3, ni-шар спеціально не легувався, тому концентрація основних носіїв заряду в ньому авторами роботи не визначена. Область р+-типу провідності формувалась у вигляді двох сильно легованих берилієм шарів товщиною 0.1мкм кожен і відповідною концентрацією дірок 1х1018 та 1х1019см-3 (верхній шар). Наявність ni шару обумовлює досить низькі темнові струми через потенціальний бар'єр фотодіода при Т=11К: параметр R0A=1.3´106Ом´см2, що майже в 200 разів більше ніж в [6]. Ампер-ватна чутливість виготовлених фотодіодів не вимірювалась, проте слід очікувати, що вона гірша, ніж у [6], внаслідок того, що товщина чутливої області (d=1.7мкм) менше і це зумовить гіршу ефективність поглинання ІЧвипромінювання. Крім того, дифузійна довжина нерівноважних дірок в фоточутливій n0-області, як правило, на порядок менше, ніж нерівноважних електронів в р0-області при однакових концентраціях носіїв заряду n0=р0. Тому коефіцієнт збирання нерівноважних дірок в n0-області буде меншим, ніж в р0-області, за умови однакової їх товщини. Таким чином, з аналізу структури чутливої області охолоджуваного InAs фотодіода, запропонованої в [6], у порівнянні зі структурою чутливої області, запропонованої в [7], випливає суттєва перевага в ефективності реєстрації ІЧ-випромінювання на робочій довжині хвилі l=3.0мкм. Найбільш близькою до заявленого технічного рішення є структура чутливої області охолоджуваного (Т=77К) InAs фотодіода, що запропоновано в роботі [8] і вибрано нами як найближчий аналог. Чутлива область найближчого аналога, яка складається з квазінейтральної р-області з концентрацією рівноважних дірок ~6´1015см-3, квазінейтральної n-області з концентрацією рівноважних електронів ~1´1016см-3 та товщини ОПЗ р-nпереходу W 0=0.2мкм. Фотодіода, виготовлені методом газофазної епітаксії шарів InAs n-типу провідності з металоорганічних сполук на монокристалічні підкладки InAs p-типу провідності. За результатами вимірювань високочастотних (f=1МГц) вольт-фарадних характеристик (ВФХ) встановлено різкий розподіл основних носіїв заряду на межі р-n-переходів. Діапазон спектральної чутливості становив l=1.3-3.1мкм з максимумом 5 чутливості lmax=2.4мкм. Монохроматична амперватна чутливість для lmах дорівнювала Si=1.6А/Вт, тоді як для l=3.0мкм - Si=0.6А/Вт. Розрахунок квантової ефективності за формулою (2) для l=3.0мкм і Si=0.6А/Вт дає значення h=0.25, а у комерційних охолоджуваних (T=77К) InAs фотодіодів [5] h=0.54. Суттєвим недоліком запропонованої в [8] структури чутливої області охолоджуваних (T=77К) InAs фотодіодів є мале значення Si для l=3.0мкм, що обумовлене як недостатньо ефективним поглинанням ІЧ-випромінювання з l>2.4мкм в ній, про що свідчить зсув максимуму спектральної чутливості в короткохвильову ділянку спектра, так і порівняно високою концентрацією основних носіїв заряду в квазінейтральних р-n-областях. В основу технічного рішення поставлено завдання удосконалення структури чутливої області охолоджуваних (Т=77К) InAs фотодіодів для підвищення їх монохроматичної (l=3.0мкм) амперватної чутливості. Монохроматична (l=3.0мкм) ампер-ватна чутливість охолоджуваних (T=77К) комерційних InAs фотодіодів з Si=1.3А/Вт [5] є цільовим параметром для запропонованої структури охолоджуваних (T=77К) InAs фотодіодів. Запропонована структура чутливої області охолоджуваного (Т=77К) InAs фотодіода, що складається з квазінейтральної області p-типу провідності, області просторового заряду p-n-переходу та квазінейтральної області n-типу провідності, відрізняється тим, що з обох сторін межі р-nпереходу формується слабо легована область з концентрацією основних носіїв заряду р0=n0=(0.33.0)´1015см-3, причому товщина p0-області не менше глибини залягання р-n-переходу l, і виконуються умови Ln>l, kLn>>1, де k - коефіцієнт поглинання випромінювання на робочій довжині хвилі, Ln - дифузійна довжина нерівноважних електронів в р0-області. Залежність монохроматичної (l=3.0мкм) ампер-ватної чутливості охолоджуваних (T=77К) InAs фотодіодів від параметрів їх активної області наведено в таблиці. Чутливим елементом фотодіодів є р-n-переходи, виготовлені методом дифузії акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки InAs n-типу провідності. В таблиці наведено також і технологічні режими виготовлення дифузійних р-n-переходiв. Монохроматична (l=3.0мкм) ампер-ватна чутливість Si вимірювалась при вентильному вмиканні зразка в режимі струму короткого замикання при Т=77К. Джерелом ІЧ випромінювання була кварцово-галогенна лампа, а потужність падаючого з монохроматора на зразок випромінювання вимірювалась каліброваною в абсолютних одиницях вакуумованою напівпровідниковою термопарою. Характер розподілу концентрації основних носіїв заряду на межі р-n-переходів та в квазінейтральних областях встановлювався з вимірювань високочастотних (f=1МГц) ВФХ при Т=77К за методикою, описаною в [9]. Процес дифузії проводився у вакуумованих до залишкового тиску (5-6)´10-3Па кварцових ампулах. В якості підкладок використовувались плас 47315 6 тини n-InAs виготовлені на ЗАТ "Чисті метали", м. Світловодськ. Порушений шар з поверхні пластин після розрізання зливку видалявся механічним та хіміко-динамічним поліруванням з використанням розчину 98% метилового спирту та 2% Вr2. Наявність порушеного шару на пластинах контролювалась рентгенівським методом за півшириною кривих гойдання, і в разі його відсутності значення півширини становило 25-27 кутових секунд. Концентрація рівноважних електронів та їх рухливість у підкладках n-InAs становила nе=(2-3)´1016см-3 та mе=(3.0-4.0)´104см2/В´с при T=77К. Кварцові ампули виготовлялись з оптично прозорих кварцових трубок і перед завантаженням необхідними для проведення дифузії компонентами проходили процес термічної обробки та хімічного очищення. Після цього в кварцові ампули завантажували підкладки InAs та дифузант, в якості якого використано сполуку CdAs2, і в подальшому ампули вакуумувались і відпаювались. Маса дифузанта на одиницю вільного об'єму ампули дорівнювала ~4´10-2г/см3, що забезпечувало реалізацію в об'ємі ампули тиску насичених парів кадмію і молекулярного арсену (As4) до температур ~ 720°С. Підготовлену до проведення дифузії кварцову ампулу зі зразками і дифузантом розміщували у тепловій зоні вертикально розташованої електронагрівальної пічки. Двозонна конструкція пічки дозволяла проводити процес дифузії як в ізотермічному режимі, при якому температура дифузанта і підкладок була однаковою, так і неізотермічному, при якому температура дифузанта була меншою, ніж температура підкладок. Температура кожної із теплових зон пічки попередньо градуювалась і автоматично регулювалась з точністю не гірше ±1°С. Після завершення процесу дифузії ампула виймалась з теплової зони і охолоджувалась на повітрі. Глибина залягання p-n-переходу визначалась із вимірювання знаку термо-е.р.с при пошаровому травленні р-області поліруючим травником. Операція травлення проводилась тільки на незначній частині зразка, тоді як інша була захищена хімічно стійким лаком. На межі р-n-переходу відбувається зміна полярності термо-е.р.с, а глибина l, на якій цей факт спостерігається, вимірювалась мікроскопом МИИ-4 з точністю ±0.5мкм. Після зняття хімічно стійкого лаку з активної поверхні зразка та її очищення наносились і формувались омічні контакти до р- та n-області p-n-переходу за методикою, викладеною в [10]. Монохроматична (l=3.0мкм) ампер-ватна чутливість вимірювалась при вентильному вмиканні зразка в режимі струму короткого замикання при Т=77К. Джерелом ІЧ випромінювання була кварцово-галогенна лампа, а потужність падаючого з монохроматора випромінювання на активну площу зразка вимірювалась каліброваною в абсолютних одиницях вакуумною напівпровідниковою термопарою. Ампер-ватна чутливість визначалась за виразом Si=I0/N, де I0 - струм короткого замикання, N потужність падаючого на зразок монохроматичного (l=3.0мкм) випромінювання. Дифузійна довжина 7 47315 нерівноважних електронів Ln в квазінейтральній р0області зразків визначалась за методикою, запропонованою в роботі [11] і випробуваною на InAs pn-переходах в [12]. Зауважимо, що величина ампер-ватної чутливості як в різких симетрично легованих, так і в плавних InAs р-n-переходах визначається більше ніж на 90% коефіцієнтом збирання ННЗ з квазiнейтральної р0-області, тобто ap-n»aр. [12]. Товщина ОПЗ р-n-переходів при нульовій напрузі зміщення W0 визначалась з вимірювань ВФХ за формулою W 0=ee0А/C0, де e=14.6 - діелектрична стала InAs, e0=8.85´10-12Ф/м - електрична стала, С0 - ємність потенціального бар'єра p-nпереходу при нульовій напрузі зміщення, А - активна площа зразка. В таблиці наведено ті технологічні режими виготовлення InAs p-n-переходів, при яких розподіл концентрації основних носіїв заряду на межі p-nпереходів є різким, а в квазінейтральних симетрично легованих (р0=n0) областях - однорідним. Аналіз впливу параметрів чутливої області на Si InAs р-n-переходів (табл. № 1-4) показує, що значення Si для l=3.0мкм перевищує аналогічний параметр комерційних InAs фотодіодів [5] при виконанні умов р0£3´1015см-3, Ln>l та kLn>>1, де k=2´103см-3 коефіцієнт поглинання випромінювання в InAs для l=3.0мкм. При р0>3´1015см-3 значення Si менші ніж у комерційних фотодіодів (табл. № 5, 6), незважаючи на те, що можуть виконуватись умови Ln=l, kLn>1 (табл. № 5). Тобто, концентрація рівноважних дірок р0=3´1015см-3 є верхньою межею, при якій в квазінейтральній р0-області реалізується достатнє значення Ln, і aр для досягнення цільового значення Si³1.3А/Вт охолоджуваних (Т=77К) 8 InAs фотодіодів без врахування ефекту просвітлення. Найбільше значення Si досягнуто при концентрації рівноважних дірок ~3.0´1014см-3 в квазінейтральній р0-області InAs р-n-переходу і виконанні умов Ln>l, kLn>>1 (табл. № 1). Експериментальні пошуки оптимізації технологічних режимів виготовлення InAs р-n-переходів з метою подальшого зменшення концентрації рівноважних дірок в р0області не дали бажаного результату, а тому концентрація дірок р0»3.0´1014см-3 відповідає експериментально встановленій нижній межі. У порівнянні з найближчим аналогом суттєвою відмінною ознакою є діапазон концентрацій рівноважних носіїв заряду в квазінейтральних областях InAs р-n-переходів, що призводить до покращення часу життя ННЗ, і про це свідчить залежність Ln від р0 (див. табл.). Чим менше р0, тим більше Ln а, значить, і більший коефіцієнт збирання ННЗ, що, в свою чергу, обумовлює збільшення Si (див. формулу (3)). Структура чутливої області охолоджуваних (Т=77К) InAs фотодіодів, а саме, симетрично легований різкий InAs р-n-перехід з однорідним розподілом концентрації основних носіїв заряду в квазінейтральних областях p0-n0-n-типу і з діапазоном концентрації р0=n0=(0.3-3.0)×1015см-3 в квазінейтральних областях і, при виконанні умов Ln>l, kLn>>1 дозволило у сукупності вирішити поставлене завдання - підвищити ампер-ватну чутливість на робочій довжині хвилі l=3.0мкм, у порівнянні з найближчим аналогом і комерційними InAs фотодіодами. Таблиця Параметри чутливої області охолоджуваних (Т=11К) InAs p-n-переходів. № п/п Si, А/Вт l, мкм Р0, cм-3 Ln, мкм W0, MKM 1 2 3 4 5 6 1.43 1.39 1.36 1.34 1.12 0.85 19.0 19.0 13.0 10.0 15.0 7.0 2.9·1014 5.0·1014 13·1015 3.0·1015 5.2·1015 8.0·1015 37.0 33.0 28.0 25.0 15.0 9.0 2.0 1.5 1.0 0.6 0.5 0.4 Технологічні режими Т1, °С Т2, °С t, хвилин 600 570 60 650 650 15 580 580 30 600 600 15 550 550 50 550 550 15 Примітка: Si - монохроматична (l=3.0мкм) ампер-ватна чутливість, l - глибина р-n-переходу, Р0 - концентрація рівноважних дірок в квазінейтральній p-області, Ln - дифузійна довжина нерівноважних електронів в p-області, W0 - товщина області просторового заряду, T1 - температура підкладок, Т2 - температура дифузанта, t = тривалість процесу дифузії. Література 1. Анисимова И.Д., Викулин И.М., Заитов Ф.А., Курмашев Ш.Д. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний диапазоны спектра. М.: Радио и связь, 1984, 216 с. 2. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003, 636 с. 3. Киес Р. Дж., Крузе П.В., Патли Э.Г. и др. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов. М.: Радио и связь, 1985, 328 с. 4. Dixon I.R., Ellis J.M. Optical properties of ntype indium arsenide in the fundamental absorption edre region. Phys. Rev. 1961. V. 123, № 5. P. 15601565. 5. InAs Photovoltaic Detectors. Catalog. Hamamatsu Photonics K.K. 2008, P. 1-5. 6. Dobbelaere W., Boeck J.De, Heremans P. et al.InAs p-n-diodes grown on GaAs and GaAs-coated Si by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60, №7. P. 868-870. 9 47315 7. Lin Ray-Ming, Tang Shiang-Feng, Lee Si-Chen et al. Room temperature unpassivated InAs p-i-n+ Photodetectors grown by molecular beam epitaxy. IEEE Transactions on Electron Devices. 1997. V. 44, №2. P. 209-213. 8. Кижаев С.С., Михайлова М.П., Молчанов С.С. и др. Выращивание InAs фотодиодных структур из металлорганических соединений. Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, №7. С. 1-7. 9. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972, 104 с. 10. Любченко А.В., Сукач А.В., Сыпко С.А. и др. Влияние термообработки на электрические и шумовые характеристики структур In/Zn/p-InAs и Комп’ютерна верстка А. Крулевський 10 In/n-InAs. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев: Наукова думка, 2000. Вып. 35.С. 149-156. 11. Субашиев В.К. Определение рекомбинационных постоянных по спектральным характеристикам фотоэлемента с р-n-переходом. Физика твердого тела. 1960. Т. 2, №2. С. 205-212. 12. Сукач А.В., Олейник Г.С., Тетеркин В.В. и др. Особенности изготовления диффузионных InAs p-n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев: Наукова думка, 2004. Вып. 39. С. 162-171. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Structure of an active region of p-n junction of cooled (t=77 k) inas photodiodes

Автори англійською

Sukach Andrii Vasyliovych, Tetiorkin Volodymyr Volodymyrovych, Voroschenko Andrii Tarasovych, Lukianenko Volodymyr Ivanovych, Lutsyshyn Iryna Hryhorivna

Назва патенту російською

Структура чувствительной области р-n-перехода охлаждаемых (т = 77 к) inas фотодиодов

Автори російською

Сукач Андрей Васильевич, Тетеркин Владимир Владимирович, Ворощенко Андрей Тарасович, Лукьяненко Владимир Иванович, Луцишин Ирина Григорьевна

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00, H01L 31/102

Мітки: p-n-переходу, структура, фотодіодів, охолоджуваних, чутливої, області

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/5-47315-struktura-chutlivo-oblasti-p-n-perekhodu-okholodzhuvanikh-t-77-k-inas-fotodiodiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (t = 77 k) inas фотодіодів</a>

Подібні патенти