Базилєва Ірина Валентинівна

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Базилєва Ірина Валентинівна, Назаренко Володимир Миколайович, Переверзев Анатолій Васильович, Пантюк Володимир Олександрович

МПК: H01L 27/06, H01L 29/00

Мітки: високовольтний, біполярний, транзистор

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...