H01L 27/06 — містять кілька окремих компонентів, конфігурація яких не повторюється

Номер патенту: 72234

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Мельцль Міхаель, Фішбах Райнхар, Зассе Торстен, Ополка Хайнц, Вітте Маркус, Гроссманн Райнер, Гьолльнер Райнхард, Хаммер Клаус, Гайманн Андреас, Фон Бассе Пауль-Вернер, Ростекк Томас, Бірнер Юстін, Петерс Крістіан, Шайтер Томас, Сіпрак Домагой

МПК: H01L 23/58, H01L 27/04, H01L 21/70 ...

Мітки: захисна, міститься, ньому, структура, елемент, електронний, конструктивний

Формула / Реферат:

1. Електронний конструктивний елемент, що містить основу (10), на яку нанесений діелектричний шар (2), виконані на діелектричному шарі електропровідні площадки (4; 14) і електропровідну захисну структуру (6), виконану у рівні над електропровідними площадками (4) таким чином, що електропровідні площадки (4; 14) не повністю покриті захисною структурою (6) і захисна структура (6) розміщена вздовж проміжних зон (Z) між електропровідними...

Номер патенту: 23327

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Антошин Сергій Володимирович

МПК: H01L 29/40, H01L 27/06

Мітки: високовольтного, пристрій, формування, перемикання, траєкторії, транзистора

Формула / Реферат:

1. Устройство формирования траектории переключения высоковольтного транзистора, содержащее индуктивность, включенную в цепи нагрузки, конденсатор и стабилитрон, включенные параллельно выходным выводам ключевого транзистора, отличающееся тем, что содержит дополнительно статический индукционный транзистор, затвор которого соединен с первым выводом ключевого транзистора и общей шиной ключа, сток соединен со вторым выводом ключевого транзистора и...

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Назаренко Володимир Миколайович, Пантюк Володимир Олександрович, Базилєва Ірина Валентинівна

МПК: H01L 29/00, H01L 27/06

Мітки: біполярний, транзистор, високовольтний

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...