Патенти з міткою «транзистор»

Номер патенту: 23623

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Богатиренко Вячеслав Валерійович

МПК: G02F 1/00, G02F 3/00

Мітки: транзистор, оптичний

Формула / Реферат:

1. Оптичний транзистор, що містить джерело короткохвильового оптичного випромінювання, яке опромінює напівпровідниковий елемент, виготовлений з матеріалу із шириною забороненої зони, меншою за енергію кванта цього випромінювання, який відрізняється тим, що додатково введено пристрій для нагрівання напівпровідникового елемента, причому робоча температура елемента, форма і розміри елемента, коефіцієнти відбивання випромінювання від поверхні...

Номер патенту: 16473

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Коломоєць Володимир Васильович, Громова Галина Володимирівна, Горін Андрій Євгенович

МПК: H01L 29/772, H01L 29/72

Мітки: транзистор, p-мон

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, який складається з монокристалічної напівпровідникової підкладнки п-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки S1-xGex, плівки діелектрика і металічного затвору, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку [110].2. р-МОН-транзистор за п. 1,...

Номер патенту: 75025

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Бауер Фрідхельм, Целлер Ханс-Рудольф

МПК: H01L 23/48, H01L 29/739

Мітки: транзистор, ізольованим, затвора, біполярний, електродом

Формула / Реферат:

1. Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT), що містить щонайменше один кристал (1) біполярного транзистора з ізольованим затвором з безліччю паралельно з’єднаних окремих чарунок (2) біполярного транзистора з ізольованим затвором, а кожний кристал містить перший (3) і другий основні виводи і щонайменше один вивід (4) затвора, який електрично з’єднаний з електродами (5) затвора окремих чарунок біполярного транзистора з ізольованим...

Номер патенту: 5392

Опубліковано: 15.03.2005

Автор: Левандовський В'ячеслав Олександрович

МПК: G02F 1/00

Мітки: транзистор, фотонний

Формула / Реферат:

Фотонний транзистор для модулювання інфрачервоного випромінювання у діапазоні 2,5-2,85 нанометрів, який містить кювету-світловод, дзеркало-охолоджувач, інфрачервоний випромінювач, зрізувальний фільтр, який відрізняється тим, що кювета-світловод заповнена сумішшю води, кисню, хлору та соляної кислоти.

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Пантюк Володимир Олександрович, Базилєва Ірина Валентинівна, Переверзев Анатолій Васильович, Назаренко Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 27/06

Мітки: біполярний, високовольтний, транзистор

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...

Номер патенту: 4120

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Костур Володимир Георгійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Кеньо Галина Володимирівна, Процайло Ігор Богданович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/12

Мітки: транзистор, мдн, кнд

Формула / Реферат:

КНД МДП-транзистор, содержащий монокристаллическую подложку с последовательно расположенными на ней слоями изолирующего окисла, рекристаллизованного поликремния с активной областью канала, включающего области истока и стока, подзатворного диэлектрика и электрода затвора из поликремния, контакты к областям стока и истока, планарный дополнительный контакт к канальной области, отличающийся тем, что дополнительный контакт выполнен в виде...

Номер патенту: 2974

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Соловйова Любов Валентинівна, Соловйов Іван Іванович

МПК: H01L 29/73

Мітки: транзистор, високовольтний

Формула / Реферат:

1. Высоковольтный транзистор, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, слой защитного диэлектрика с окнами для контактов к активным областям, при этом в области коллектора расположены кольцевые охранные области противоположного коллектору типа проводимости, отличающийся тем, что на защитном диэлектрике сформирован полевой электрод, расположенный над коллекторной областью вне области пространственного заряда охранных колец и соединенный...