Назаренко Володимир Миколайович

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Базилєва Ірина Валентинівна, Переверзев Анатолій Васильович, Пантюк Володимир Олександрович, Назаренко Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 27/06

Мітки: транзистор, високовольтний, біполярний

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...

Номер патенту: 22193

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Пантюк Володимир Олександрович, Назаренко Володимир Миколайович, Гаращенко Микола Павлович, Переверзев Анатолій Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: діод, індукційний, статичний

Формула / Реферат:

Статический индукционный диод, содержащий базовую область n-типа, в которой на одинаковом расстоянии друг от друга сформированы глубокие области р+-типа, соединенные между собой нанесенной на поверхность структуры металлической пленкой, отличающийся тем, что в приповерхностном слое базы между р+-областями выполнен тонкий слой n+-типа, электрически соединенный с р+-областями металлической пленкой.