Переверзев Анатолій Васильович
Автономна вітроелектрогенеруюча система
Номер патенту: 26494
Опубліковано: 25.09.2007
Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Стрункін Гліб Миколайович, Омельчук Наталія Анатоліївна, Веселов Костянтин Ігорович, Семенов Всеволод Всеволодович, Таранець Андрій Вікторович, Алексієвський Дмитро Геннадійович, Буров Олексій Миколайович
МПК: H02K 17/34
Мітки: автономна, система, вітроелектрогенеруюча
Формула / Реферат:
Автономна вітроелектрогенеруюча система на основі асинхронного вентильного каскаду, складеного із асинхронного генератора з фазним ротором і роторного та статорного перетворювачів, яка відрізняється тим, що роторний перетворювач містить некерований випрямляч, навантаженням якого є імпульсний перетворювач постійного струму, а як статорний перетворювач містить автономний інвертор напруги.
Високовольтний складений ключ
Номер патенту: 23339
Опубліковано: 31.08.1998
Автор: Переверзев Анатолій Васильович
Мітки: складений, високовольтний, ключ
Формула / Реферат:
Высоковольтный составной ключ, содержащий биполярный транзистор, коллектор которого через сопротивление нагрузки соединен с первым полюсом, эмиттер - со вторым полюсом высоковольтного источника питания и общей шиной ключа, база соединена с истоком первого МДП-транзистора, затвор которого подключен к первому входу управляющее сигнала и со стоком второго МДП-транзистора, исток которого соединен с общей шиной ключа, а затвор - со вторым входом...
Пристрій формування траєкторії перемикання високовольтного транзистора
Номер патенту: 23327
Опубліковано: 31.08.1998
Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Антошин Сергій Володимирович
МПК: H01L 29/40, H01L 27/06
Мітки: траєкторії, високовольтного, пристрій, транзистора, формування, перемикання
Формула / Реферат:
1. Устройство формирования траектории переключения высоковольтного транзистора, содержащее индуктивность, включенную в цепи нагрузки, конденсатор и стабилитрон, включенные параллельно выходным выводам ключевого транзистора, отличающееся тем, что содержит дополнительно статический индукционный транзистор, затвор которого соединен с первым выводом ключевого транзистора и общей шиной ключа, сток соединен со вторым выводом ключевого транзистора и...
Джерело напруги
Номер патенту: 23367
Опубліковано: 31.08.1998
Автор: Переверзев Анатолій Васильович
МПК: H02M 7/155
Формула / Реферат:
1. Источник напряжения, содержащий источник питания, регулирующий элемент, включенный между полюсами источника питания и вывод которого соединен с выходом, отличающийся тем, что в качестве регулирующего элемента содержит полевой транзистор с управляющим р-n-переходом, сток которого соединен с одним полюсом источника питания, затвор - с другим полюсом и первым выводом источника напряжения, а источник соединен со вторым выводом источника...
Високовольтний біполярний транзистор
Номер патенту: 22218
Опубліковано: 30.06.1998
Автори: Назаренко Володимир Миколайович, Базилєва Ірина Валентинівна, Пантюк Володимир Олександрович, Переверзев Анатолій Васильович
МПК: H01L 27/06, H01L 29/00
Мітки: транзистор, біполярний, високовольтний
Формула / Реферат:
Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...
Статичний індукційний діод
Номер патенту: 22193
Опубліковано: 30.06.1998
Автори: Пантюк Володимир Олександрович, Переверзев Анатолій Васильович, Гаращенко Микола Павлович, Назаренко Володимир Миколайович
МПК: H01L 29/00
Мітки: діод, індукційний, статичний
Формула / Реферат:
Статический индукционный диод, содержащий базовую область n-типа, в которой на одинаковом расстоянии друг от друга сформированы глубокие области р+-типа, соединенные между собой нанесенной на поверхность структуры металлической пленкой, отличающийся тем, что в приповерхностном слое базы между р+-областями выполнен тонкий слой n+-типа, электрически соединенный с р+-областями металлической пленкой.
Високовольтний стабілітрон
Номер патенту: 22192
Опубліковано: 30.06.1998
Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Антошин Сергій Володимирович
МПК: H01L 29/00
Мітки: високовольтний, стабілітрон
Формула / Реферат:
Высоковольтный стабилитрон, содержащий низковольтный стабилитрон, соединенный с источником напряжения, отличающийся тем, что он содержит статический индукционный транзистор, сток которого соединен с полюсом источника напряжения, а затвор, через низковольтный стабилитрон, соединен с истоком и с другим полюсом источника напряжения.
Пристрій захисту високовольтного ключа
Номер патенту: 23135
Опубліковано: 30.06.1998
Автори: Антошин Сергій Володимирович, Переверзев Анатолій Васильович
МПК: H02H 7/10
Мітки: ключа, захисту, високовольтного, пристрій
Формула / Реферат:
1. Устройство защиты высоковольтного ключа, содержащее индуктивность с шунтирующим обратным диодом, один вывод которой соединен с первым выходным выводом ключевого транзистора, другой - с полюсом высоковольтного источника питания, конденсатор, один вывод которого соединен со вторым выходным выводом ключевого транзистора, со вторым полюсом высоковольтного источника питания и общей шиной ключа, отличающееся тем, что дополнительно содержит...