Горлачев Віктор Єфимович

Номер патенту: 9375

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Дворніченко Вячеслав Петрович, Горлачев Віктор Єфимович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H01L 23/02

Мітки: діода, напівпровідникового, нвч, корпус

Формула / Реферат:

Корпус полупроводникового СВЧ-диода, со­держащий металлическое основание с присоединен­ной к нему металлизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выво­дом диода, и крышку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажения энергетических ха­рактеристик СВЧ-диодов, в основании корпуса вы­полнен прямоугольный в сечении волноводный канал, ори этом плоскости симметрии волноводно-го канала и диэлектрической втулки...