H01L 23/02 — корпусу; ущільнення

Номер патенту: 68228

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Пундік Василь Іванович, Годованюк Василь Миколайович, Белоус Володимир Михайлович

МПК: H01L 23/02, H01L 31/06

Мітки: скла, захисного, кріплення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб кріплення захисного скла шляхом створення заглиблення в оправі по формі деталі із дещо збільшеними розмірами і заповнення зазору клеючою речовиною, який відрізняється тим, що у поверхні, яка збігається з торцевою гранню захисного скла, у заглибленні в оправі формується паз, на поверхню, яка містить паз, та на торцеву поверхню захисного скла наноситься клеюча речовина, захисне скло вкладається в оправу і здійснюється затвердіння клеючої...

Номер патенту: 61126

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Клака Свен, Келлер Томас, Клетт Олександр, Майбах Філіпп, Грюнінг Хорст, Едегард Б'єрн, Реес Йохен

МПК: H01L 23/02

Мітки: силовий, пристрій, напівпровідниковий, елементом, цим, елемент

Формула / Реферат:

1.Силовий напівпровідниковий елемент (3), зокрема тиристор, що містить розміщену в корпусі (30) напівпровідникову підкладку (31), анод (33), катод (34), кільцевий вивід (35) керуючого електрода, що виступає за корпус (30), і кільцевий вивід (36) допоміжного катода, що виступає за корпус (30) для забезпечення контакту допоміжного катода, який відрізняється тим, що вивід (36) допоміжного катода і/або вивід (35) керуючого електрода мають на...

Номер патенту: 56620

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Рибак Роман-Мирон Йосипович, Рожковська Людмила Вікторівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Костюченко Віра Георгієвна, Павлинів Ярослав Ілліч

МПК: H01L 23/02, H01L 29/02

Мітки: напівпровідниковий, силовий, прилад, контактами, варіанти, притискними

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами, який містить корпус з металевими струмопровідними електродами, між контактними поверхнями яких розташований напівпровідниковий кристал з одним або двома плоскими термокомпенсаторами, який відрізняється тим, що хоча б одна контактна поверхня термокомпенсатора, яка не є прилеглою до напівпровідникового кристалу, вкрита шаром напиленого алюмінію.2. Прилад за п. 1, який...

Номер патенту: 9375

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Дворніченко Вячеслав Петрович, Горлачев Віктор Єфимович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H01L 23/02

Мітки: корпус, напівпровідникового, діода, нвч

Формула / Реферат:

Корпус полупроводникового СВЧ-диода, со­держащий металлическое основание с присоединен­ной к нему металлизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выво­дом диода, и крышку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажения энергетических ха­рактеристик СВЧ-диодов, в основании корпуса вы­полнен прямоугольный в сечении волноводный канал, ори этом плоскости симметрии волноводно-го канала и диэлектрической втулки...