Патенти з міткою «діода»

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, перегріву, діода, визначення, спосіб, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Номер патенту: 118793

Опубліковано: 28.08.2017

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/761, H01L 21/02, H01L 21/00 ...

Мітки: виготовлення, діода, спосіб, імпульсного, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур імпульсного діода, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, дифузію бору в дві стадії з твердого джерела В2О3 для одержання р-n-переходу, витримку пластини у розчині на основі золотохлористоводневої кислоти, дифузію золота, термообробку діодних структур, який відрізняється тим, що перед термічним окисленням...

Номер патенту: 111697

Опубліковано: 25.11.2016

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 29/47

Мітки: шотткі, кільцем, спосіб, діода, виготовлення, охоронним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, проведення дифузії бору в дві стадії для одержання р-n переходу області охоронного кільця, утворення випрямляючих контактів з бар'єром Шотткі, який відрізняється тим, що після термічного окислення на зворотній стороні пластини формують гетеруючий шар...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: робочого, діода, напівпровідникового, спосіб, перегріву, визначення, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: діода, перегріву, спосіб, кристала, визначення, напівпровідникового, величини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Номер патенту: 82982

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Крижановська Олександра Сергіївна, Семиноженко Володимир Петрович, Ващенко Валерій Володимирович, Матвієнко Оксана Олеговна, Саввін Юрій Миколайович, Погорелова Наталія Володимирівна

МПК: H01L 33/00

Мітки: світловипромінюючого, основі, спосіб, виготовлення, нанокомпозитної, органо-неорганічної, діода, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого діода на основі нанокомпозитної планарної органо-неорганічної гетероструктури, що включає послідовне нанесення на підкладку з електропровідним покриттям ІТО дірково-інжекційного шару, дірково-транспортного шару, емісійного шару з напівпровідникових нанокристалів, електрон-інжекційного шару та катода, який відрізняється тим, що емісійний шар на основі напівпровідникових нанокристалів наносять у вигляді...

Номер патенту: 47826

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Мітки: широкозонного, ефективно, визначення, заряду, основних, спосіб, базі, носіїв, концентрації, діода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ефективної концентрації основних носіїв заряду в базі широкозонного діода, що включає вимірювання залежності бар'єрної ємності діода від зворотного зміщення, який відрізняється тим, що ефективну концентрацію основних носіїв заряду в базі діода визначають шляхом фіксації напруги змикання діода в процесі вимірювань, при досягненні нульового значення похідної бар'єрної ємності діода по напрузі, а величину ефективної...

Номер патенту: 42419

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/102, H01L 31/18 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, теплового, напівпровідникового, діода

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n

Номер патенту: 24320

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Лошицький Павло Павлович, Павлюченко Андрій Валерійович

МПК: H03B 29/00

Мітки: спосіб, живлення, лавинно-пролітного, діода

Формула / Реферат:

Спосіб живлення лавинно-пролітного діода, що включає прикладання постійної зворотної напруги до контактів діода, який відрізняється тим, що вищевказана напруга менша на 0,1В, ніж напруга пробою діода (Uпр), при цьому на неї накладають імпульси тривалістю 2-4 нс, а амплітуду та шпаруватість яких регулюють в межах від 0 В до Uпр і від 50 до 500 одиниць відповідно.

Номер патенту: 17438

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Воробець Георгій Іванович, Воробець Олександр Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, телуриду, діода, шотткі, кадмію, спосіб, основі, високоомного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі на основі телуриду кадмію, який включає механічну та хімічну обробку пластин телуриду кадмію, створення бар'єра Шотткі та омічних контактів вакуумним напиленням та лазерного опромінювання, який відрізняється тим, що лазерне опромінювання з певною довжиною хвилі здійснюють в режимі модульованої добротності в квазіадіабатичних умовах при використанні серії з 20 імпульсів тривалістю

Номер патенту: 57845

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Сміт Стенлі Дезмонд, Ешлі Тімоті, Краудер Джон Грехем, Маннхайм Фолькер Пауль

МПК: G01N 21/35, G01N 21/01, G01J 3/00 ...

Мітки: роботи, приведення, іч-діапазону,спосіб, іч-діапазону, дію, включає, містить, датчика, свд, діода, спосіб, датчик, себе, світловипромінювального, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій світловипромінювального діода (СВД), що містить СВД (30) ІЧ-діапазону, який випускає позитивну люмінесценцію при напрузі прямого зміщення і випускає негативну люмінесценцію при напрузі зворотного зміщення,засіб збудження для подачі напруг прямого і зворотного зміщення, що чергуються, на СВД,який відрізняється тим, що рівні напруг прямого (+ν1) і зворотного (-ν2) зміщень, що подаються засобом збудження, встановлюють так,...

Номер патенту: 57222

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Загуральський Микола Федорович, Погоріла Любов Михайлівна, Соколовський Іван Івановіч, Плаксін Сергей Вікторович, Житник Микола Явтухович

МПК: H01P 1/00, H01P 1/10

Мітки: вузол, кріплення, напівпровідникового, діода

Формула / Реферат:

Вузол кріплення напівпровідникового діода, що містить штир з цанговим конусоподібним наконечником і гніздом для установлення напівпровідникового діода на одному кінці і гвинтом - на іншому кінці, гайку і направляючу втулку, встановлену в металевій основі, що має наскрізний подовжній проріз і два торцеві конусоподібні заглиблення, у першому з яких розміщений конусоподібний цанговий наконечник із гніздом для установлення напівпровідникового...

Номер патенту: 55798

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Литвиненко Віктор Миколайович, Литвиненко Сергій Вікторович

МПК: H01L 29/40

Мітки: спосіб, структур, виготовлення, діода, бар'єром, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур діода з бар'єром Шотткі, що включає осадження нітриду і двооксиду кремнію на кремнієві пластини, фотолітографію, травлення меза-структур і їх термічне окислення, видалення нітриду кремнію з контактних майданчиків і формування на них випрямляючих контактів, який відрізняється тим, що перед видаленням нітриду кремнію проводять дифузію бору в робочу сторону пластин при Т = 950 -1050°С протягом 20-30 хвилин в...

Номер патенту: 9375

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Карушкін Микола Федорович, Дворніченко Вячеслав Петрович, Горлачев Віктор Єфимович

МПК: H01L 23/02

Мітки: нвч, напівпровідникового, діода, корпус

Формула / Реферат:

Корпус полупроводникового СВЧ-диода, со­держащий металлическое основание с присоединен­ной к нему металлизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выво­дом диода, и крышку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажения энергетических ха­рактеристик СВЧ-диодов, в основании корпуса вы­полнен прямоугольный в сечении волноводный канал, ори этом плоскости симметрии волноводно-го канала и диэлектрической втулки...