Корпус напівпровідникового нвч діода
Номер патенту: 9375
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Карушкін Микола Федорович, Горлачев Віктор Єфимович, Дворніченко Вячеслав Петрович
Формула / Реферат
Корпус полупроводникового СВЧ-диода, содержащий металлическое основание с присоединенной к нему металлизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выводом диода, и крышку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажения энергетических характеристик СВЧ-диодов, в основании корпуса выполнен прямоугольный в сечении волноводный канал, ори этом плоскости симметрии волноводно-го канала и диэлектрической втулки параллельны, причем плоскость, проходящая через середину широкой стенки волновода, совпадает с одной из плоскостей диэлектрической втулки, а расстояние 1 между осями симметрии волноводного канала и диэлектрической втулки выбирается из соотношения
где l - минимальная длина волны в рабочем диапазоне;
b - высота волновода;
d - внешний диаметр диэлектрической втулки.
Текст
vl ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ЭКЗ № о ' --15 СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (51)4 Н Of L 23/02 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3967957/24-25 (22) 28.10.85 ' • (72) В.П. Дворниченко, В.Е. Горлачев и Н.Ф. Карушкин (53) 621.382.002(088.8) ' ' *" (56) Поликанов Ю.В. и др. Особенности конструкции лавинно-гтролетных диодов миллиметрового диапазона. - Электронная техника, сер. 2 "Полупроводниковые приборы", 1978, вып. 1, с. 62. Spiwace R.R. Inductanc Millimeterwave Semiconductor Packge. IEEE Trans. MTT-19, 1971, № 8, p. 732. (54) КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СВЧДИОДА (57) Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано при конструировании твердотельных радиотехнических устройств различного назначения. Изобретение позволяет уменьшить искажения энергетических характеристик СВЧ-диодов. Конструкция данного корпуса позволяет совмещать волноводный канал диодного корпуса с волноводным каналом диодной камеры встык. Это позволяет избежать короткозамкнутых или разомкнутых шлейфов. Расстояния между осями волноводного канала корпуса и камеры находятся в определенном соотношении с размерами волновода. 3 ил. со СП со 00 1 1345978 Изобретение относится к полупродиода с линией передачи энергии проводниковым приборам и может быть исизводится через металлическую полоспользовано при конструировании тверку 10. Величина связи определяется дотельных радиотехнических устройств как геометрическими размерами полосразличного назначения. ки и линии передачи энергии, так и Целью изобретения является уменьвзаимным расположением диэлектричесшение искажений энергетических хараккой втулки и введенного волноводного теристик СВЧ-диодов. канала, обеспечивающего размещение На фиг. 1 и 2 схематически изобра- і о полоски 10 (штырь связи) в максимуме жена конструкция корпуса СВЧ-диода, электрического поля. две проекции; на фиг. 3 - пример исКонструкция диодного корпуса позпользования корпуса в генераторе на воляет производить совмещение волнолавинно-пролетном диоде (ЛДЦ). водного канала, выполненного в осноПолупроводниковый СВЧ-диод 1 и 15 вании диодного корпуса, с волноводным диэлектрическая втулка 2, металлизиканалом диодной камеры встык, без рованная с торцов, монтируется на осзазора. Это позволяет, в свою оченовании корпуса 3. Контакт полупроредь, избежать образования коротководникового СВЧ-диода 1 с верхним мезамкнутых или разомкнутых шлейфов, таллизированным торцом диэлектрической 20 ухудшающих энергетические характерневтулки 2 осуществляется с помощью зотики СВЧ-устройства. Так, например, применение корпуса в генераторах на лотого диска 4. К верхнему торцу диЛТЩ позволило в диапазоне механичесэлектрической втулки присоединяется кой перестройки частоты уменьшить по крышка 5. В основании корпуса 3 выполнен 25 сравнению с прототипом перепад выходной мощности с tO до 3 дБ при пеметаллический прямоугольный волноводрестройке по частоте на 5% и устраный канал 6. Расстояние I между осянить скачкообразное изменение часми волновода и диэлектрической втултоты . ки выбрано из соотношения Высокое качество совмещения диод30 b+d ного корпуса с СВЧ-устройством исключает необходимость спаивания этих узлов, что повышает процент выхода где Д - минимальная длина волны в годных изделий, так как при пайке рабочем диапазоне; требуется разогрев всего устройства. b - высота волновода; 35 Использование корпуса обеспечиd - внешний диаметр диэлектривает возможность уменьшения потерь ческой втулки. мощности в устройствах СВЧ и их гаВолновод установлен таким обрабаритных размеров за счет уменьшения зом, чтобы его широкая стенка была параллельна одной плоскости симметрии 40 размеров выходного волновода, длина которого может быть ограничена высодиэлектрической втулки и симметрична той резонансной полости, или того относительно другой плоскости симметобъема, в котором устанавливается рии втулки, перпендикулярной первой. диод, а также дает возможность примеПримером использования предлагаемого корпуса может служить генератор 45 нять диоды в радиотехнических.устройствах различного назначения, в на лавинно-пролетном диоде (фиг. 3 ) . частности твердотельных генераторах Корпус с лавинно-пролетным диои усилителях, в коммутирующих устдом 7 присоединяется встык к 'диодной ройствах, в электрических управляемых камере, состоящей из волноводного канала 8 и резонансной полости 9. Пода- 50 аттенюаторах, в смесителях, в детекча питания на полупроводниковый диод торных секциях. производится по металлической полоске 10, изолированной от корпуса с поФ о р м у л а и з о б р е т е н и я мощью диэлектрических прокладок 11. Настройка диодной камеры по частоте Корпус полупроводникового СВЧ-диосуществляется с помощью короткозамкода, содержащий металлическое оснонутого поршня 12, расположенного в вание с присоединенной к нему металволноводном канале основания корпулизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выса диода. Связь полупроводникового к 1345978 между осями симметрии волгіоводного водом диода, и крышку, о т л и ч а ю канала и диэлектрической втулки выщийся тем, что, с целью уменьбирается из соотношения шения искажения энергетических характеристик СВЧ-диодов, в основании корХ-Ъ пуса выполнен прямоугольный в сечении волноводный канал, при этом плоскости симметрии волноводного канала и диэлектрической втулки параллельны, где Д- минимальная длина волны в рабочем диапазоне; причем плоскость, проходящая через 10 b - высота волновода; середину широкой стенки волновода, d - внешний диаметр диэлектрисовпадает с одной из плоскостей дической втулки. электрической втулки, а расстояние I фиг.2 . 1345978 Фиг. 3 Редактор Т. Клюхина Составитель Г.Родионова ТехредМ.Дидык Корректор М. Демчик Заказ 1292/ДСП Тираж 448 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSemiconductor microwave diode body
Автори англійськоюDvornichenko Viacheslav Petrovych, Horlachev Viktor Yukhymovych, Karushkin Mykola Fedorovych
Назва патенту російськоюКорпус полупроводникового диода
Автори російськоюДворниченко Вячеслав Петрович, Горлачев Виктор Ефимович, Карушкин Николай Федорович
МПК / Мітки
МПК: H01L 23/02
Мітки: корпус, нвч, напівпровідникового, діода
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-9375-korpus-napivprovidnikovogo-nvch-dioda.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Корпус напівпровідникового нвч діода</a>
Попередній патент: Пристрій сухого гасіння коксу
Наступний патент: Чутливий елемент газоаналізатора на кисень
Випадковий патент: Аналого-цифрова приймальна система