Карушкін Микола Федорович
Потужний нвч напівпровідниковий помножувач частоти
Номер патенту: 20455
Опубліковано: 15.07.1997
Автори: Карушкін Микола Федорович, Бєлкін Володимир Володимирович, Касаткін Леонід Веніамінович, Косінський Олексій Сергійович
МПК: H03B 19/00
Мітки: нвч, частоти, потужний, напівпровідниковий, помножувач
Формула / Реферат:
Мощный СВЧ полупроводниковый умножитель частоты, содержащий входной и выходной волноводы прямоугольного поперечного сечения, связанные друг с другом отрезком коаксиальной линии с центральным проводником, являющимся штырем связи, проходящим через широкую стенку выходного волновода перпендикулярно к ней, полупроводниковый умножительный диод, установленный в разрыве штыря связи, режекторный фильтр, пропускающий входной и отражающий выходной...
Hапівпровідhиковий hвч діод
Номер патенту: 15048
Опубліковано: 30.06.1997
Автори: Карушкін Микола Федорович, Буторін Вячеслав Михайлович
МПК: H01L 29/868, H01L 47/00
Мітки: діод, hапівпровідhиковий, hвч
Формула / Реферат:
Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий меза-структуру в виде кольца и диэлектрическую втулку, установленные соосно на металлическом теплоотводе, металлическую крышку в виде диска, присоединенную через контактный элемент к верхнему торцу диэлектрической втулки, и к металлизированному торцу кольцевой меза-структуры, отличающийся тем, что ширина кольца меза-структуры выбрана равной глубине скинслоя в области взаимодействия носителей заряда в...
Корпус напівпровідникового нвч діода
Номер патенту: 9375
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Дворніченко Вячеслав Петрович, Карушкін Микола Федорович, Горлачев Віктор Єфимович
МПК: H01L 23/02
Мітки: корпус, напівпровідникового, нвч, діода
Формула / Реферат:
Корпус полупроводникового СВЧ-диода, содержащий металлическое основание с присоединенной к нему металлизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выводом диода, и крышку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажения энергетических характеристик СВЧ-диодов, в основании корпуса выполнен прямоугольный в сечении волноводный канал, ори этом плоскости симметрии волноводно-го канала и диэлектрической втулки...