H01L 21/335 — польових транзисторів

Номер патенту: 56117

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Стрижакова Наталія Григорівна, Малєтін Юрій Андрійович, Слєзін Олександр Олександрович

МПК: H01G 9/004, H01G 9/04, H01G 9/00 ...

Мітки: конденсатор, подвійного, шару, електричного

Формула / Реферат:

1. Конденсатор подвійного електричного шару, що містить корпус, струмовиводи з кінцевими частинами, електроди, іонопровідний сепаратор і електроліт, який відрізняється тим, що струмовиводи виконано складеними і нерознімними, при цьому кінцеві частини струмовиводів виконані з металу або сплаву з низьким контактним опором, що не перевищує 100 мкОм на 1 см2.2. Конденсатор за п. 1, який відрізняється тим, що кінцеві частини...

Номер патенту: 72308

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/335, H01J 37/30

Мітки: отримання, кремнієвого, спосіб, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки p-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють a-частинками з...