Коман Богдан Петрович

Номер патенту: 110461

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/326, H01L 21/26 ...

Мітки: отримання, спосіб, мдн-транзистора, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким формують пари n+областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та електроди стоку і витоку, підзатворного діелектрика на основі SiO2 і затворного електрода, проводять пасивацію та опромінюють отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм рентгенівськими променями при потужності експозиційної дози немонохроматизованого випромінювання 870 Р/с...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/00, H01J 37/30 ...

Мітки: спосіб, мдн-транзистора, кремнієвого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 99369

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Писаревський Володимир Костянтинович, Коман Богдан Петрович

МПК: C30B 25/00, H01L 21/02, C30B 19/00 ...

Мітки: власнодефектних, акцепторів, зниження, спосіб, концентрації, кристалах

Формула / Реферат:

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами  мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...

Номер патенту: 86137

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/203, H01L 21/28

Мітки: металізації, спосіб, кремнієвих, підкладок

Формула / Реферат:

Спосіб металізації кремнієвих підкладок, що включає розміщення підкладки у відкачаній вакуумній камері, нагрівання підкладки та напилення на її поверхню металу із отриманням тонкої плівки, який відрізняється тим, що здійснюють термічне напилення міді із отриманням металевої плівки із товщиною від 10 до 400 нм, яке проводять зі швидкістю 0,2-2 нм/с, при цьому забезпечують у металевій плівці мінімальну величину механічних напруг термічної...

Номер патенту: 86018

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/336, H01L 21/26, H01L 29/76 ...

Мітки: спосіб, кремнієвого, мдн-транзистора, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 та формування затворного електрода, проведення процесів пасивації та наступного опромінення отриманої транзисторної структури з довжиною каналу від 2 до 10 мкм із шириною 50 мкм рентгенівськими променями при...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01J 37/30, H01L 29/00, H01L 21/70 ...

Мітки: спосіб, кремнієвого, мдн-транзистора, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 72308

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01J 37/30, H01L 21/335

Мітки: мдн-транзистора, кремнієвого, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки p-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють a-частинками з...

Номер патенту: 72073

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/26

Мітки: спосіб, кремнієвого, отримання, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 3-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють рентгенівськими...