H01J 37/30 — електронно-променеві або іонно-променеві прилади для місцевої обробки об’єктів

Номер патенту: 117777

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Гаращенко Ярослав Миколайович, Доброскок Володимир Ленінмирович

МПК: G06F 17/50, G06F 19/00, B29C 35/08 ...

Мітки: виробів, лазерним, промінням, стратегією, багатопрохідною, спосіб, базі, обробки, тріангуляційної, побудови, пошарової, моделі

Формула / Реферат:

Спосіб пошарової побудови виробів на базі тріангуляційної 3D моделі за багатопрохідною стратегією обробки лазерним промінням, що включає періодичне опускання столу на величину кроку побудови і подальше формування шарів, який відрізняється тим, що при формуванні кожного наступного шару матеріалу одиничні треки розбивають на парну кількість груп з почерговим розміщенням треків за групами, послідовність проходження лазерного проміння одиничних...

Номер патенту: 117768

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Доброскок Володимир Ленінмирович, Гаращенко Ярослав Миколайович

МПК: B29C 35/08, B29C 41/02, G06F 19/00 ...

Мітки: базі, лазерним, промінням, пошарової, обробки, моделі, стратегією, побудови, заданою, виробів, спосіб, тріангуляційної

Формула / Реферат:

Спосіб пошарової побудови виробів на базі тріангуляційної 3D моделі за заданою стратегією обробки лазерним промінням, що включає періодичне опускання столу на величину кроку побудови і подальше формування шарів, який відрізняється тим, що при формуванні кожного наступного шару матеріалу змінюють стратегію обробки лазерним промінням шляхом задання напрямку одиничних треків випадковим чином при забезпеченні умов:

Номер патенту: 109084

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Шматков Валерій Юрійович, Дмитренко Петро Петрович, Мацепа Сергій Михайлович, Канашевич Георгій Вікторович, Голуб Микола Васильович

МПК: H01J 37/30, C23C 14/30

Мітки: електронно-променевого, виробів, пристрій, полірування

Формула / Реферат:

Пристрій для електронно-променевого полірування виробів, що містить вертикально розташований ниткоподібний катод електронно-променевої гармати, блок завантаження виробів, які складають співвісну концентричну систему з можливістю обертання навколо осі, який відрізняється тим, що ниткоподібний катод електронно-променевої гармати залишається нерухомим, а прикатодний електрод і анод, які коструктивно з'єднані між собою, обертаються навколо...

Номер патенту: 111794

Опубліковано: 10.06.2016

Автор: Уваров Вячеслав Лаврентійович

МПК: G01T 1/02, H01J 37/30

Мітки: дози, опромінюванні, електронному, вимірювання, об'єкти, спосіб, поглинутої

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання поглинутої дози в об'єкті при його електронному опромінюванні, що включає:вимірювання величини електричного сигналу, який формується при поглинанні електронів у розташованому за опромінюваним об'єктом детекторі електронів, при умові пропорційності цього сигналу заряду зібраних електронів, встановлення співвідношення між амплітудою цього сигналу і поглинутою у об'єкті дозою електронного випромінення, який...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/00, H01J 37/30, H01L 21/26 ...

Мітки: мдн-транзистора, кремнієвого, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 87880

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Аксьонов Дмитро Сергійович, Васильєв Володимир Васильович, Стрельницький Володимир Євгенійович, Аксьонов Іван Іванович

МПК: C23C 14/00, C23C 14/56, C23C 14/35 ...

Мітки: вакуумно-дугове, плазми, джерело

Формула / Реферат:

1. Вакуумно-дугове джерело плазми, що включає еродуючий катод, анод, охоплений електромагнітною фокусуючою котушкою, прямолінійний плазмовід, охоплений зовнішньою електромагнітною транспортуючою котушкою, всередині якого розташована внутрішня електромагнітна відхиляюча котушка з осьовим каналом і підключенням її до джерела електроструму зустрічно до підключення транспортуючої котушки, яке відрізняється тим, що осьовий канал внутрішньої...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 29/00, H01J 37/30, H01L 21/70 ...

Мітки: спосіб, отримання, мдн-транзистора, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 73725

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Марікоккі Антоніо Френк, Брюс Роберт Вілліам, Еванс Джон Дуглас, старший

МПК: C23C 14/24, C23C 14/30, C23C 14/56 ...

Мітки: покриття, парової, деталь, пристрій, конденсацією, електронно-променевий, нанесення, фазі

Формула / Реферат:

 Електронно-променевий пристрій (10) для нанесення покриття на деталь конденсацією із парової фази, який включає: покривну камеру (12), що містить покривний матеріал та функціонує в умовах підвищеної температури та субатмосферного тиску; електронно-променеву пушку (30), що проектує електронний промінь на покривний матеріал (26), розташований у покривній камері (12), розплавлюючи покривний матеріал (26) та випаровуючи його при цьому; засоби...

Номер патенту: 72308

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/335, H01J 37/30

Мітки: кремнієвого, спосіб, мдн-транзистора, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки p-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють a-частинками з...

Номер патенту: 71924

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Лагеманн Кристофер Лі, Вігв'є Рудольфо, Віллен Вілліам Сез, Вортмен Девід Джон, Брюс Роберт Вілліам, Марікоккі Антоніо Френк, Рігні Девід Вінсент, Еванс Джон Дуглас Ср., Бетшер Кейт Хамфріс

МПК: H01J 37/305, H01J 37/30, C23C 14/30, C23C 14/54 ...

Мітки: електронно-променевий, покриття, фазі, пристрій, конденсацією, нанесення, парової

Формула / Реферат:

1. Електронно-променевий пристрій (10) для нанесення покриття конденсацією із парової фази, який включає: покривну камеру (12), що містить покривний матеріал (26), причому покривна камера виконана з можливістю функціонування в умовах підвищеної температури та субатмосферного тиску, електронно-променеву гармату (30) для проеціювання електронних променів (28) на покривний матеріал (26), розташований в покривній камері (12), причому функція...

Номер патенту: 69394

Опубліковано: 15.09.2004

Автор: Сандерсон Аллан

МПК: H01J 37/30, H01J 37/06

Мітки: одержання, зварювальний, пучка, заряджених, пристрій, апарат, частинок, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для випромінювання заряджених частинок, що містить випромінювач заряджених частинок однієї полярності, трубчастий екранний електрод, що оточує по периферії випромінювач і має при роботі ту ж полярність, що і заряджені частинки, і трубчастий прискорюючий електрод, що розташований переважно співвісно з екранним електродом і має при роботі полярність, протилежну полярності екранного електрода для фокусування в пучок заряджених...

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Думбров Володимир Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Романюк Борис Миколайович, Марченко Ростислав Іванович, Шаповалов Віталій Павлович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/265, H01J 37/30

Мітки: спосіб, шарів, кремнію, одержання, автоепітаксіальних

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...