Патенти з міткою «кремнієвого»

Номер патенту: 110461

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/326, H01L 21/02 ...

Мітки: кремнієвого, отримання, мдн-транзистора, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким формують пари n+областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та електроди стоку і витоку, підзатворного діелектрика на основі SiO2 і затворного електрода, проводять пасивацію та опромінюють отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм рентгенівськими променями при потужності експозиційної дози немонохроматизованого випромінювання 870 Р/с...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/26, H01J 37/30, H01L 21/00 ...

Мітки: спосіб, мдн-транзистора, кремнієвого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 103089

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Козловський Вадим Олексійович, Толчеєв Юрій Захарович

МПК: A61K 31/7016, A61K 31/715, A61K 31/695 ...

Мітки: композиційний, полімеру, ентеросорбент, кремнієвого, основі

Формула / Реферат:

1. Композиційний ентеросорбент на основі кремнієвого полімеру, вибраний із групи, що містить ксерогель метилкремнієвої кислоти або гідрогель метилкремнієвої кислоти, який відрізняється тим, що він містить щонайменше один компонент, вибраний із групи: лактулоза, інулін, лігнін, фруктоолігосахариди, альгінова кислота у вигляді її фармацевтично прийнятних солей, хітозан, пектин, камедь, бета-глюкан, у кількості від 0,1 до 10 частин на 1 мас....

Номер патенту: 77670

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Стребков Дмитро Семенович, Кіріченко Михайло Валерійович, Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Поляков Володимир Іванович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вертикальними, ккд, кремнієвого, фотоелектричного, підвищення, спосіб, діодними, комірками, перетворювача

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів, котрий включає їх обробку у стаціонарному магнітному полі з індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що працюючий багатоперехідний кремнієвий фотоелектричний перетворювач з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками і сонячний модуль з таких...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: перетворювача, монокристалічного, фотоелектричного, ккд, кремнієвого, підвищення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Номер патенту: 86018

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/336, H01L 29/76, H01L 21/26 ...

Мітки: мдн-транзистора, спосіб, кремнієвого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 та формування затворного електрода, проведення процесів пасивації та наступного опромінення отриманої транзисторної структури з довжиною каналу від 2 до 10 мкм із шириною 50 мкм рентгенівськими променями при...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01J 37/30, H01L 29/00, H01L 21/70 ...

Мітки: кремнієвого, мдн-транзистора, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 72308

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/335, H01J 37/30

Мітки: мдн-транзистора, отримання, спосіб, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки p-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють a-частинками з...

Номер патенту: 72073

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/00

Мітки: спосіб, кремнієвого, отримання, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 3-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють рентгенівськими...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Рачинський Любомир Ярославович, Копаєва Ольга Вікторівна, Полухін Олексій Степанович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: відокремлюючими, напівпровідникового, кремнієвого, кристалу, виготовлення, областями, спосіб, приладу

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...