Морозов Леонід Михайлович

Номер патенту: 111447

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Горбенко Юлія Юріївна, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: G01N 27/62, G01N 27/12, G01N 29/00 ...

Мітки: спосіб, сенсора, газового, виготовлення, плівкового

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення плівкового газового сенсора, за яким отримують нанокомпозит на основі багатостінних вуглецевих нанотрубок, після чого наносять його на ізолюючу підкладку, який відрізняється тим, що вуглецеві нанотрубки обробляють ульразвуковом з частотою 42 кГц у суміші нітратної і сульфатної кислот у співвідношенні 3:1 упродовж 30 хв і функціоналізують; як основу нанокомпозита використовують полімер PEDOT, який стабілізують водною...

Номер патенту: 110461

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/326, H01L 21/02, H01L 21/26 ...

Мітки: спосіб, отримання, мдн-транзистора, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким формують пари n+областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та електроди стоку і витоку, підзатворного діелектрика на основі SiO2 і затворного електрода, проводять пасивацію та опромінюють отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм рентгенівськими променями при потужності експозиційної дози немонохроматизованого випромінювання 870 Р/с...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Коман Богдан Петрович, Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/26, H01J 37/30, H01L 21/00 ...

Мітки: отримання, мдн-транзистора, спосіб, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 105248

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Соколовський Богдан Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04, H01L 29/861 ...

Мітки: структур, фотовольтаїчних, спосіб, кремнієвих, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...

Номер патенту: 99369

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Коман Богдан Петрович, Писаревський Володимир Костянтинович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: C30B 25/00, H01L 21/02, C30B 19/00 ...

Мітки: спосіб, зниження, концентрації, акцепторів, власнодефектних, кристалах

Формула / Реферат:

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами  мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...

Номер патенту: 96837

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кавич Володимир Йосипович, Писаревський Володимир Костянтинович

МПК: B23K 26/06, C23C 14/24, C23C 16/00 ...

Мітки: спосіб, шарів, епітаксійних, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних шарів, в якому підігрівають підкладку та мішень, випаровують матеріал мішені, транспортують пару та конденсують на підкладку у вакуумній камері, який відрізняється тим, що попередньо підготовлені підкладку та мішень розміщують на відстані 50±5 мм у вакуумній камері з тиском 10-5-10-7 Па, після чого підкладку підігрівають до температури 180-250 °С зовнішнім нагрівачем, а мішень нагрівають імпульсним лазерним...

Номер патенту: 94369

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Бабич Орест Йосипович, Морозов Леонід Михайлович, Габрієль Ігор Ігоревич, Луців Роман Васильович, Матвіїв Мирон Васильович, Бойко Ярослав Васильович, Васюк Микола Миколайович

МПК: C01G 3/02, C01G 13/00, C01G 1/02 ...

Мітки: надпровідників, високотемпературних, отримання, спосіб, нg-вмісних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання Hg-вмісних високотемпературних надпровідників, за яким наважують складові компоненти, перемішують та спікають суміш, отриманий матеріал прожарюють у атмосфері ртуті та кисню, який відрізняється тим, що наважують складові карбонати ВаСО3, СаСО3 та оксид CuO в стехіометричному співвідношенні 2:2:3, суміш пресують під тиском 103 атм і отримують таблетки d=12 мм, h=4 мм, які плавлять електричною дугою в режимі автотигля в...

Номер патенту: 92968

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Оленич Ігор Богданович, Морозов Леонід Михайлович, Соколовський Богдан Степанович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: G01N 29/00, H01L 27/14, G01N 21/00 ...

Мітки: спосіб, газового, отримання, сенсора

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання газового сенсора, який включає електрохімічне травлення монокристалічного кремнієвого матеріалу, створення захисного шару, виготовлення металічних контактів та під'єднання виводів для електричних вимірювань, який відрізняється тим, що проводять травлення монокристалічної кремнієвої пластини n- або р-типу провідності електрохімічним анодуванням у фторопластовій комірці з використанням розчину C2H5OH:HF у концентрації 1:1...

Номер патенту: 86137

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/203

Мітки: спосіб, підкладок, металізації, кремнієвих

Формула / Реферат:

Спосіб металізації кремнієвих підкладок, що включає розміщення підкладки у відкачаній вакуумній камері, нагрівання підкладки та напилення на її поверхню металу із отриманням тонкої плівки, який відрізняється тим, що здійснюють термічне напилення міді із отриманням металевої плівки із товщиною від 10 до 400 нм, яке проводять зі швидкістю 0,2-2 нм/с, при цьому забезпечують у металевій плівці мінімальну величину механічних напруг термічної...

Номер патенту: 86018

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 29/76, H01L 21/26, H01L 21/336 ...

Мітки: спосіб, мдн-транзистора, кремнієвого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 та формування затворного електрода, проведення процесів пасивації та наступного опромінення отриманої транзисторної структури з довжиною каналу від 2 до 10 мкм із шириною 50 мкм рентгенівськими променями при...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 29/00, H01J 37/30, H01L 21/70 ...

Мітки: мдн-транзистора, спосіб, кремнієвого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 72308

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/335, H01J 37/30

Мітки: отримання, кремнієвого, спосіб, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки p-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють a-частинками з...

Номер патенту: 72073

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/26

Мітки: мдн-транзистора, спосіб, кремнієвого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 3-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють рентгенівськими...

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Матвіїв Мирон Васильович, Луців Роман Васильович

МПК: C30B 28/00, C30B 30/00, C30B 9/00 ...

Мітки: ртуті, отримання, кристалів, спосіб, напівпровідникових, халькогенідів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Номер патенту: 71915

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кревс Віктор Євгенович

МПК: C30B 30/00, C30B 28/00

Мітки: спосіб, пристрій, напівпровідникових, отримання, реалізації, кристалів, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...

Номер патенту: 64234

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Новосад Степан Степанович, Новосад Ірина Степанівна, Морозов Леонід Михайлович

МПК: G01T 1/02, G01T 1/00, G01T 1/202 ...

Мітки: сцинтилятор

Формула / Реферат:

Сцинтилятор на основі монокристалічного йодистого кадмію, легованого МnСl2, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить активуючу домішку ЕuСl3 з концентрацією 0,1-1,0 мол. %, а домішку МnСl2 з концентрацією 0,1-1,5 мол. %.