H01L 21/36 — нанесення напівпровідникових матеріалів на підкладку, наприклад епітаксіальне нарощування

Номер патенту: 80398

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Маслов Володимир Петрович, Саворовський Федір Григорович

МПК: H01L 21/205, G02B 5/08, G02B 1/00 ...

Мітки: карбіду, дзеркало, кремнію

Формула / Реферат:

Дзеркало з карбіду кремнію, в якому виконано полегшення у вигляді сот, закритих з тильного боку пластиною, а з протилежного боку розташована передня робоча пластина, на якій виконана оптична поверхня, яке відрізняється тим, що на передню робочу пластину нанесено шар напівпровідникового карбіду кремнію a-модифікації товщиною 0,5-5 мм.

Номер патенту: 68293

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Маслов Володимир Петрович, Саворовський Федір Григорович, Кисельов Віталій Семенович, Авраменко Сергій Федорович

МПК: H01L 21/36, H01L 21/205

Мітки: кристалів, вирощування, карбіду, зливків, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування зливків монокристалів карбіду кремнію, що включає завантаження в графітовий реактор порошку сировини карбіду кремнію, закріплення на графітовому тримачі затравочного кристала карбіду кремнію, вакуумування, напуск інертного газу, нагрівання вихідного матеріалу до температури сублімації карбіду кремнію 22502350°С, а затравочного кристала - до температури...