Кисельов Віталій Семенович

Номер патенту: 76618

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кисельов Віталій Семенович

МПК: A61C 8/00

Мітки: виробів, виготовлення, композитних, спосіб, карбіду, кремнію, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення композитних виробів на основі карбіду кремнію для використання як імплантатів, що включає виготовлення заготовки з заболонної частини стовбуру деревини листвяних розсіяно судинних порід, розмір якої для компенсації усадки при піролізі на 25-30 % більший, ніж розмір потрібного виробу, проведення піролізу в атмосфері інертного газу, після якого, одержаній таким чином, вуглецевій матриці надають потрібної форми та розміри, а...

Номер патенту: 60572

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кисельов Віталій Семенович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: A61C 8/00

Мітки: карбіду, матеріалу, зубних, композитного, трансплантації, виготовлення, імплантів, губчастих, кісток, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення композитного матеріалу з карбіду кремнію для трансплантації губчастих кісток та зубних імплантів, що включає виготовлення вуглецевої матриці потрібної форми з відкритою пористістю шляхом піролізу заготовки із заболонної частини стовбура деревини листвяних розсіяно судинних порід, просочення її рідким кремнієм та синтез карбіду кремнію, який відрізняється тим, що для виготовлення вуглецевої матриці розмір заготовки з...

Номер патенту: 87187

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кисельов Віталій Семенович

МПК: C01B 33/00, C01B 31/36

Мітки: виготовлення, карбіду, кремнію, виробів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення виробів з карбіду кремнію, що включає використання вуглецевої матриці потрібної форми з відкритою пористістю, просочення її рідким кремнієм та синтез карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують вуглецеву матрицю з відстанню між порами не більше 2Н, де Н товщина синтезованого карбіду кремнію, просочення її рідким кремнієм виконують в атмосфері інертного газу всмоктуванням кремнію в пори методом зниження тиску...

Номер патенту: 68293

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Саворовський Федір Григорович, Маслов Володимир Петрович, Кисельов Віталій Семенович, Авраменко Сергій Федорович

МПК: H01L 21/205, H01L 21/36

Мітки: карбіду, спосіб, кристалів, зливків, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування зливків монокристалів карбіду кремнію, що включає завантаження в графітовий реактор порошку сировини карбіду кремнію, закріплення на графітовому тримачі затравочного кристала карбіду кремнію, вакуумування, напуск інертного газу, нагрівання вихідного матеріалу до температури сублімації карбіду кремнію 22502350°С, а затравочного кристала - до температури...