H01L 21/205 — розкладанням газової суміші з виходом твердого конденсату або хімічним осадженням

Номер патенту: 112063

Опубліковано: 25.07.2016

Автор: Дассель Марк В.

МПК: C23C 16/52, C23C 16/448, C23C 16/44 ...

Мітки: способи, механічного, псевдозрідження, придатні, кремнію, шару, виробництва, реакторні, системі

Формула / Реферат:

1. Реакторна система, придатна для виробництва кремнію, що містить:реакційний казан, що має внутрішню частину, відділену від його зовнішньої частини за допомогою однієї або декількох стінок казана, які під час роботи утримують перший газоподібний хімічний продукт у щонайменше частині внутрішньої частини реакційного казана, при цьому перший хімічний продукт являє собою щонайменше один з газу силану (SiH4), газу трихлорсилану (SiHCl3)...

Номер патенту: 49439

Опубліковано: 26.04.2010

Автор: ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМ. І.І. МЕЧНИКОВА

МПК: H01L 21/205, C01G 3/00

Мітки: спосіб, комутаційних, плат, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення комутаційних плат, який включає операції: виготовляють діелектричні заготовки з отворами, далі підготовляють поверхні заготовок для нанесення тонкого шару міді, потім осаджують підшар металу на поверхню заготовок і на стінки монтажних (перехідних) отворів, а далі формують рисунок комутаційних плат на поверхні заготовок шляхом нанесення фоторезисту, потім дорощують шар міді на поверхні заготовок і на стінках отворів, далі...

Номер патенту: 80398

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Саворовський Федір Григорович, Маслов Володимир Петрович

МПК: H01L 21/205, G02B 5/08, H01L 21/36, G02B 1/00 ...

Мітки: карбіду, кремнію, дзеркало

Формула / Реферат:

Дзеркало з карбіду кремнію, в якому виконано полегшення у вигляді сот, закритих з тильного боку пластиною, а з протилежного боку розташована передня робоча пластина, на якій виконана оптична поверхня, яке відрізняється тим, що на передню робочу пластину нанесено шар напівпровідникового карбіду кремнію a-модифікації товщиною 0,5-5 мм.

Номер патенту: 16124

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Турецький Олександр Євстафійович, Чемересюк Георгій Гаврилович, Чебаненко Анатолій Павлович

МПК: C01G 11/00, H01L 21/205, C01G 9/00 ...

Мітки: виготовлення, сульфіду, цинку, підкладці, плівок, наприклад, спосіб, металів, халькогенідів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення плівок халькогенідів металів, наприклад сульфіду цинку на підкладці, який полягає в тому, що всередині проточного реактора розміщують на вході кювету з хелатною металоорганічною сполукою, а на виході - підкладку, потім пропускають через проточний реактор газ-носій, після чого нагрівають кювету до температури випаровування хелатної металоорганічної сполуки, а її пари за допомогою газу-носія транспортують до підкладки,...

Номер патенту: 68293

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Кисельов Віталій Семенович, Маслов Володимир Петрович, Саворовський Федір Григорович, Авраменко Сергій Федорович

МПК: H01L 21/205, H01L 21/36

Мітки: вирощування, кремнію, спосіб, зливків, карбіду, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування зливків монокристалів карбіду кремнію, що включає завантаження в графітовий реактор порошку сировини карбіду кремнію, закріплення на графітовому тримачі затравочного кристала карбіду кремнію, вакуумування, напуск інертного газу, нагрівання вихідного матеріалу до температури сублімації карбіду кремнію 22502350°С, а затравочного кристала - до температури...

Номер патенту: 52266

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Удовіченко Володимир Володимирович, Іващенко Тетяна Семенівна, Стрижак Петро Євгенович

МПК: C23C 18/16, H01L 21/205

Мітки: сульфіду, спосіб, нанесення, плівки, напівпровідникової, міді, прозорої

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення прозорої напівпровідникової плівки сульфіду міді на діелектричну підкладку, шляхом висадження сульфіду міді при взаємодії речовин, що містять мідь та сірку, який відрізняється тим, що нанесення проводять у рідкому середовищі, висадження проводять одночасно з утворенням сульфіду міді в присутності кислоти аскорбінової, а як речовини, що містять мідь та сірку, використовують комплексну сполуку міді (П) загальної формули...

Номер патенту: 11378

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/205

Мітки: структур, кремнієвих, спосіб, виготовлення, епітаксіальних

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий формирование скрытых областей n+ -типа на кремниевой подлож­ке р-типа с последующим нанесением слоя поли­кремния, термическую обработку структуры в окислительной среде с образованием на поверхно­сти поликремния слоя оксида, газового травления в среде хлористого водорода и эпитаксиальное на­ращивание слоя n-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и...

Номер патенту: 11377

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Гринюк Іван Дмитрович, Новосядлий Степан Петрович, Маскович Степан Михайлович, Насипайко Олександр Васильович

МПК: H01L 21/205

Мітки: діелектричних, плівок, осадження, півпровідникові, підкладки, лодочка

Формула / Реферат:

Лодочка для осаждения диэлектрических пленок на полупроводниковые подложки, содер­жащая платформу с пазами, установленную на ро­ликах, отличающаяся тем, что, с целью увели­чения срока службы лодочки и повышения качест­ва диэлектрических пленок, лодочка дополнитель­но снабжена боковой планкой с пазами, неподвижными и съемными экранами, предназна­ченными для установки в пазы платформы вместе с подложками и имеющими диаметр, не меньший диаметра...