Дзеркало з карбіду кремнію
Номер патенту: 80398
Опубліковано: 25.09.2007
Автори: Маслов Володимир Петрович, Саворовський Федір Григорович
Формула / Реферат
Дзеркало з карбіду кремнію, в якому виконано полегшення у вигляді сот, закритих з тильного боку пластиною, а з протилежного боку розташована передня робоча пластина, на якій виконана оптична поверхня, яке відрізняється тим, що на передню робочу пластину нанесено шар напівпровідникового карбіду кремнію a-модифікації товщиною 0,5-5 мм.
Текст
Дзеркало з карбіду кремнію, в якому виконано полегшення у вигляді сот, закритих з тильного боку пластиною, а з протилежного боку розташована передня робоча пластина, на якій виконана оптична поверхня, яке відрізняється тим, що на передню робочу пластину нанесено шар напівпровідникового карбіду кремнію a-модифікації товщиною 0,5-5мм. (19) (21) 2004032272 (22) 29.03.2004 (24) 25.09.2007 (46) 25.09.2007, Бюл. №15, 2007р. (72) Саворовський Федір Григорович, Маслов Володимир Петрович (73) СПЕЦІАЛЬНЕ КОНСТРУКТОРСЬКОТЕХНОЛОГІЧНЕ БЮРО З ДОСЛІДНИМ ВИРОБНИЦТВОМ ІНСТИТУТУ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАЦІОН АЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ Н АУК УКРАЇНИ (56) US 20010033936 25.10.2001 JP 2003057419 26.02.2003 US 5106687 21.04.1992 3 80398 звя'заного карбіду кремнію, сотове полегшення (2), передню робочу пластину з самозвя'заного карбіду кремнію (3), шар напівпровідникового карбіду кремнію α-модифікації (4), на поверхні якого виконана оптична поверхня (5). Застосування запропонованої конструкції дозволяє зменшити кількість дефектів на оптичній поверхні від 5÷10% до 0,1÷0,5%. Позитивний ефект досягається тим, що напівпровідниковий карбід кремнію є високоякісним матеріалом, в якому залишкова кількість домішок складає менше 0,001%, а формування цього шару за те хнологією напівпровідникового виробництва методом ревипарювання у вакуумі при температурах ви ще 2000°С практично виключає пористість напорошеного шару та забезпечує дифузійне зрощування його з пластиною (3) самозвя'заного карбіду кремнію, що розташована знизу. Товщина шару напівпровідникового кремнію 0,5÷5мм є оптимальною, оскільки при величинах менше 0,5мм під час шліфування, полірування цей шар може бути механічно видалено, а при величинах більше 5мм невиправдано збільшується тривалість технологічного циклу наопрошення без додаткового покращення якості дзеркала. Для реалізації запропонованого винаходу було використано самозв'язаний карбід кремнію виробництва Броварського заводу порошкової металургії. На деталях методом фрезерування на станку Комп’ютерна в ерстка В. Клюкін 4 типу 3Б попередньо обробляли робочу поверхню. Інструмент - алмазна фреза на металевій зв'язці M1, алмази зернистістю 315/250. Після фрезерування поверхню доводили на оптичних станках типу ШП з використанням водної суспензії алмазних мікропорошків (послідовно, 40/28; 14/10; 5/3; 1/0). Після цього підкладку промивали, сушили та контролювали під мікроскопом наявність дефектів. Потім її розташовували в графітовому тиглі високотемпературної вакуумної печі опору. В тигель попередньо засипали кристали напівпровідникового карбіду кремнію (α-модифікації). Реактор відкачували до 5•10-5мм. рт. ст. та нагрівали до температури 2000÷2200°С так, що зона з вихідним порошком напівпровідникового карбіду кремнію була на 30÷100°С вище, ніж підкладка дзеркала. Витримували при вказаному режимі 10÷20 годин, а потім піч охолоджували. Після напорошення на підкладці дзеркала шару напівпровідникового карбіду кремнію (α-модифікації), робочу поверхню додатково шліфували-полірували за описаною вище те хнологією, промивали, сушили та контролювали наявність дефектів на оптичній поверхні. Результати порівняльного контролю показали, що оптична поверхня запропонованого дзеркала практично не містить дефектів типу пор та раковин (0,5÷0,1%), а відоме дзеркало має зазначені дефекти до 10%. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMirror from silicon carbide
Автори англійськоюSavorovskyi Fedir Hryhorovych, Maslov Volodymyr Реtrоvусh, Maslov Volodymyr Petrovych
Назва патенту російськоюЗеркало из карбида кремния
Автори російськоюСаворовский Федор Григорьевич, Маслов Владимир Петрович
МПК / Мітки
МПК: G02B 5/08, H01L 21/205, H01L 21/36, G02B 1/00
Мітки: карбіду, дзеркало, кремнію
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-80398-dzerkalo-z-karbidu-kremniyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Дзеркало з карбіду кремнію</a>
Попередній патент: Мобільний радіотехнічний комплекс
Наступний патент: Застосування специфічних доз натрій-фондапаринуксу для лікування гострих коронарних синдромів
Випадковий патент: Автономне перезаряджувальне джерело струму постійної напруги