H01L 27/105 — компоненти з польовим ефектом
Матриця кні мдн-транзисторів
Номер патенту: 9823
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Кеньо Галина Володимирівна, Яворський Петро Васильович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Костур Володимир Георгійович
МПК: H01L 27/105
Мітки: кні, матриця, мдн-транзисторів
Формула / Реферат:
(57) Матрица КНИ МДП-транзисторов, содержащая монокристаллическую кремниевую подложку с последовательно сформированными на ней слоями изолирующего окисла и рекристаллизованного поликремния, имеющую чередующиеся в шахматном порядке области стоков и истоков транзисторов, слои подзатворного диэлектрика и затворов матричной конфигурации, при этом рекристаллизованный поликремний соединен с подложкой посредством контактной области, отличающаяся...