Когут Ігор Тимофійович

Номер патенту: 65226

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Довгий Віктор Володимирович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: нестандартних, кремній-на-ізоляторі"-структур, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення нестандартних "кремній-на-ізоляторі"-структур, що включає маскування поверхні кремнієвої пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, витравлення в пластині в незамаскованих місцях вертикальних щілин заданої глибини, їх покриття нітридом кремнію та його селективне витравлювання на дні щілин, поглиблення щілин та формування бокових порожнин-тунелів витравлюванням кремнію під поверхнею...

Номер патенту: 62994

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Голота Віктор Іванович, Вуйцик Андрій Михайлович, Довгий Віктор Володимирович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: G01L 9/04, G01B 7/16

Мітки: комірка, кристала, базового, матричного

Формула / Реферат:

Комірка базового матричного кристала, що містить вісім нескомутованих р- і n-канальних польових транзисторів, виготовлених на смугах n- і р-областей і розташованих вздовж шин живлення, при цьому два з них р- та n-транзистори призначені для міжелектродної комутації, яка відрізняється тим, що 3р- і 3n-канальні польові транзистори та 1n- і 1р-канальний польові транзистори попарно розташовані, послідовно з'єднані та діелектрично ізольовані між...

Номер патенту: 62951

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/00

Мітки: чутливий, автоемісійний, елемент, акселерометра

Формула / Реферат:

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра, який складається із напівпровідникової підкладки, що являє собою перший електрод, на яку послідовно нанесені діелектрична плівка з витравленою ділянкою, електропровідна плівка, що являє собою другий електрод, який відрізняється тим, що перший електрод, другий електрод, основою якого є структура "кремній-на-ізоляторі", виготовлені у формі загострених вістер, які розмішені один навпроти...

Номер патенту: 62085

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: B81C 1/00, B82B 3/00

Мітки: кремнієвих, пластинах, спосіб, формування, багаторівневих, порожнин

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування горизонтальних порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію,...

Номер патенту: 49691

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/00

Мітки: структурою, кремній-на-ізоляторі, тривимірний, мон-транзистор

Формула / Реферат:

Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...

Номер патенту: 43198

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: B82B 3/00, B81C 1/00

Мітки: пластинах, формування, кремнієвих, герметизованих, спосіб, порожнин

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування герметизованих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію та окислення...

Номер патенту: 36855

Опубліковано: 10.11.2008

Автор: Когут Ігор Тимофійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: виготовлення, кремній-на-ізоляторі, спосіб, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, капсулюючого і просвітлюючого покрить у вигляді смужок із нітриду кремнію та наступну лазерну перекристалізацію шару полікремнію шляхом сканування лазерним променем, який відрізняється тим, що шар ізолятора...

Номер патенту: 36463

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Сапон Сергій Васильович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: структур, виготовлення, кремній-на-ізоляторі, локальних, спосіб, тривимірних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...

Номер патенту: 34277

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Сапон Сергій Васильович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C04B 41/00

Мітки: спосіб, формування, кремній-на-ізоляторі, типу, мікроструктур, локальних

Формула / Реферат:

Спосіб формування локальних мікроструктур типу "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, який відрізняється тим, що на поверхні кремнієвої пластини формують локально розташовані ділянки ізолятора із окислу або оксинітриду кремнію товщиною 0,3-1,0 мікрометра, топологія яких є...

Номер патенту: 34271

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H05K 3/00

Мітки: виготовлення, розмірів, субмікронних, спосіб, катодів, кремнієвих, автоемісійних, двоелектродних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...

Номер патенту: 29701

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 29/66

Мітки: пристроях, структурами, контакт, інтегральних, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

1. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами "кремній-на-ізоляторі" між шаром металу через контактне вікно у міжшаровому діелектрику до полікремнієвого затвора або стокової чи витокової області МОН-транзистора, сформованого на основі структур "кремній-на-ізоляторі", який відрізняється тим, що розміри контактного вікна в зоні контактування металу і шини із кремнієвої "плівки-на-ізоляторі" є більшими, ніж...

Номер патенту: 29698

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: елемент, ключовий, діодах, структурами, шотткі, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...

Номер патенту: 24157

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H05K 3/00

Мітки: матриць, різних, зображень, автоелектронними, рядів, випромінювачами, топографічних, розмірів, використанням, експонування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб експонування топографічних зображень із використанням рядів матриць із автоелектронними випромінювачами різних розмірів, що включає рухому напівпровідникову пластину, покриту фоторезистом, яка експонується керованим електронним випромінюванням матриці випромінювачів, який відрізняється тим, що використовують ряди матриць випромінювачів різних розмірів.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що в рядах матриць...

Номер патенту: 22368

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Мар'ямова Інна Йосифівна, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/00

Мітки: полях, сенсора, температур, терморезистивного, кріогенних, мікроелектронного, чутливий, магнітних, елемент, сильних, вимірювання

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях, що містить шар полікремнію, легованого бором, який відрізняється тим, що полікремній рекристалізований лазером з концентрацією носіїв заряду (4-5)x1017 cм-3 при кімнатній температурі.

Номер патенту: 20074

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: експонування, топографічного, пристроїв, мікроелектронних, зображення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб експонування топографічного зображення мікроелектронних пристроїв, який виконують методом матрично-емітерної літографії, що включає рухому напівпровідникову пластину, покриту фоторезистом, який експонують керованим випромінюванням матриці емітерів, при цьому експоновані емітерами піксели мають різні розміри, а потрібні величини експозицій пікселів (напівтоновість) набирають дискретною модуляцією тривалостей випромінювання емітерів,...

Номер патенту: 18536

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H05K 3/02

Мітки: зображень, мікроелектронних, топологічних, пристроїв, формування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування топологічних зображень мікроелектронних пристроїв методом подвійної фотолітографії, який включає нанесення на напівпровідникову пластину плівки матеріалу, в якій формуватимуть топологію елементів IC або МСТ, нанесення фоторезисту, експозицію і операції травлення фоторезисту та плівки у немаскованих фоторезистом місцях з наступним зняттям фоторезисту, що складають першу фотолітографію, який відрізняється тим, що введено...

Номер патенту: 7677

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Павлиш Володимир Андрійович

МПК: H03K 19/0948, H01L 27/12

Мітки: кремній-на-ізоляторі, інвертор, структур, основі

Формула / Реферат:

1. Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі, що складається з монокристалічної кремнієвої підкладки з послідовно розміщеними на ній шарами ізолюючого окислу, рекристалізованого полікремнію з активними областями каналів навантажувального та ключового транзисторів протилежних типів провідності, що включають області стоків та витоків, підзатворного діелектрика й електродів затворів із полікремнію, які з'єднані між собою і є входом...

Номер патенту: 34721

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/12

Мітки: спосіб, кремній-на-ізоляторі, структур, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур кремній на ізоляторі, який включає послідовне нанесення на монокремнієву підкладку шару ізолюючого окису, формування контактних областей з монокремнієвою підкладкою, нанесення полікремнієвого шару, капсулюючого та просвітляючого покрить і рекристалізацію полікремнієвого шару лазерним опроміненням, який відрізняється тим, що перед нанесенням полікремнієвого шару в контактних областях з монокремнієвою підкладкою...

Номер патенту: 32784

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/12

Мітки: ізоляторі"-структур, виготовлення, кремній, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення "кремній на ізоляторі"-структур, згідно якого на вихідній кремнієвій пластині послідовно формують шар ізолюючого окису кремнію, шар полікремнію, допоміжні капсулююче та антивідбиваюче покриття, проводять лазерну рекристалізацію шару полікремнію, методом травлення знімають допоміжні покриття, який відрізняється тим, що після зняття допоміжних покрить проводять термічне окислення рекристалізованого полікремнію і...

Номер патенту: 12282

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Романський Ігор Олексійович, Савицька Наталія Григорівна, Насипайко Олександр Васильович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H03K 19/00

Мітки: інвертор

Формула / Реферат:

Формула изобретенияИнвертор, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, первую и вторую полупроводниковые области второго типа проводимости, расположенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, первый диэлектрический слой, paсположенный на поверхности полупроводниковой подложки между первой и второй полупроводниковыми областями, первую проводящую область, расположенную на первом диэлектрическом слое,...

Номер патенту: 11379

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Насипайко Олександр Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/18

Мітки: спосіб, виготовлення, схем, інтегральних, великих

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления больших интеграль­ных схем, включающий формирование кремние­вой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей сторо­не соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирова­ние контактов и герметизирующего слоя, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...

Номер патенту: 9823

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Яворський Петро Васильович, Костур Володимир Георгійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Кеньо Галина Володимирівна, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/105

Мітки: мдн-транзисторів, матриця, кні

Формула / Реферат:

(57) Матрица КНИ МДП-транзисторов, содержащая монокристаллическую кремниевую подложку с последовательно сформированными на ней слоями изолирующего окисла и рекристаллизованного поликремния, имеющую чередующиеся в шахматном порядке области стоков и истоков транзисторов, слои подзатворного диэлектрика и затворов матричной конфигурации, при этом рекристаллизованный поликремний соединен с подложкой посредством контактной области, отличающаяся...

Номер патенту: 4675

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/28

Мітки: схемах, системі, контактно-металізованої, формування, інтегральних, спосіб

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ формирования контактно-метализированной системы в интегральных схемах, включающий нанесение на обратную сторону подложки с активными структурами слоя поликристаллического кремния, формирование с помощью фотолитографии U-образного рельефа на обратной стороне, снятие фоторезиста, формирование полицидной пленки на обратной стороне под ложки с последующей термообработкой, формирование уровня металлизации на лицевой стороне...

Номер патенту: 4120

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Костур Володимир Георгійович, Процайло Ігор Богданович, Кеньо Галина Володимирівна, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/12

Мітки: транзистор, мдн, кнд

Формула / Реферат:

КНД МДП-транзистор, содержащий монокристаллическую подложку с последовательно расположенными на ней слоями изолирующего окисла, рекристаллизованного поликремния с активной областью канала, включающего области истока и стока, подзатворного диэлектрика и электрода затвора из поликремния, контакты к областям стока и истока, планарный дополнительный контакт к канальной области, отличающийся тем, что дополнительный контакт выполнен в виде...

Номер патенту: 3923

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/70

Мітки: схемі, інтегральної, тренування, термострумового, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ термотоковой тренировки интегральной схемы, включающий нагрев интегральной схемы и подачу на нее переменного напряжения, отличающийся тем что нагрев интегральной схемы осуществляют на пластине после формирования на неї структуры металлизации при температуре 85-2500С, а переменное напряжение выбирают синусоидальное или импульсное, которое прикладывают между металлизацией на пластине и подложкой интегральное схемы.2. Способ по...

Номер патенту: 1775

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович, Маскович Степан Михайлович, Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, металізації, схем, стороні, інтегральних, кристалів, зворотної

Формула / Реферат:

Способ металлизации обратной стороны кристалла интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами на кристалле, формирование на его нерабочей стороне соединительного слоя из полицида, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью теплоэлектропроводного клея или эвтектики, отличающийся тем, что соединительный слой на обратной стороне формируют...