H01L 29/788 — з плаваючим затвором

Спосіб виготовлення енергонезалежної напівпровідникової запам’ятовуючої комірки з окремим тунельним вікном

Завантаження...

Номер патенту: 73508

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Хуккельс Кай, Шпрінгманн Олівер, Реннекамп Райнхольд, Лудвіг Хрістоф, Куттер Хрістоф, Вольф Конрад, Штайн фон Камінскі Елард, Хайтцш Олаф, Рьоріх Майк, Вавер Петер

МПК: H01L 29/788, H01L 21/336

Мітки: тунельним, напівпровідникової, енергонезалежної, окремим, комірки, спосіб, вікном, виготовлення, запам'ятовуючої

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення енергонезалежної напівпровідникової запам'ятовуючої комірки з окремим тунельним вікном, що включає технологічні операції виготовлення комірки тунельного вікна (TF) шляхом формування тунельної області (TG), тунельного шару (4), запам'ятовуючого шару (Т5) тунельного вікна, діелектричного шару (Т6) тунельного вікна і шару (Т7) керуючого електрода тунельного вікна, і транзисторної запам'ятовуючої комірки (TZ) шляхом...

Самосуміщувана енергонезалежна запам’ятовуюча комірка і спосіб її виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 57034

Опубліковано: 16.06.2003

Автор: Темпель Георг

МПК: H01L 27/115, H01L 29/788

Мітки: виготовлення, енергонезалежна, спосіб, запам'ятовуюча, комірка, самосуміщувана

Формула / Реферат:

1. Самосуміщувана енергонезалежна запам'ятовуюча комірка, в якій зони витоку і стоку МОН-транзистора розміщені в поверхневій області напівпровідникової підкладки (1), причому плаваючий затвор (12) і керуючий затвор (16) МОН-транзистора, взаємно перекриваючись, розміщені в заглибленні (8), а канал (17) транзистора виконано у поверхневій зоні заглиблення (8), яка відрізняється тим, що напівкруглий канал (17) транзистора розміщений на краї...