Ігнатенко Степан Денисович

Номер патенту: 64035

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Ігнатенко Степан Денисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: здійснення, пристрій, алманіт, кремнію, вирощування, способу, карбіду, спосіб, монокристали

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...

Номер патенту: 47544

Опубліковано: 15.07.2002

Автор: Ігнатенко Степан Денисович

МПК: C22C 9/00, C22C 9/06, B22F 7/06 ...

Мітки: одержання, матеріал, композиційний, антифрикційний, спосіб

Формула / Реферат:

1. Антифрикційний композиційний матеріал на основі суміші порошків міді, фосфору, заліза, графіту і локалізованих включень гранул, що містять суміш порошків міді, графіту і дисульфіду молібдену, який відрізняється тим, що він додатково містить порошки фтористого кальцію і нікелю при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: фосфор 0,43 -1,38 залізо 15,0-30,0 ...