C30B 35/00 — Пристрої взагалі, спеціально призначені для вирощування, одержання або подальшої обробки монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою

Номер патенту: 115607

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Євген Петрович, Андрєєв Олександр Євгенійович, Гайдук Андрій Ігоревич

МПК: C30B 15/34, C30B 35/00, B23K 28/00 ...

Мітки: кристалічних, з'єднання, спосіб, деталей

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання сапфірових деталей, що включає розташування деталей відносно один одного з капілярним зазором між контактними поверхнями, подачу розплаву в зону з'єднання та подальшу кристалізацію контактної зони, який відрізняється тим, що подача розплаву в зону з'єднання здійснюють з поверхні краплі розплаву, яку створюють в поглибленні на торці утримувача, форма і розмір якого збігаються з конфігурацією контактної зони, а об'єм краплі...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 28/06 ...

Мітки: заготовок, виготовлення, спосіб, кристалічних, кристалізатор, напівпровідникових, виробництва

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович, Локшин Михайло Маркович

МПК: C30B 35/00, C30B 25/00, C30B 23/00 ...

Мітки: вирощування, кристалів, пристрій, методом, вільного, сублімації

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Номер патенту: 108420

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: пристрій, монокристалів, розплаву, витягування

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву, що містить ростову камеру і розміщені в ній конічний тигель для розплаву і живильник у вигляді тора, розташований коаксіально тиглю, з'єднаний з ним через дозатор транспортною трубкою, введеною вертикально в дозатор через його дно, при цьому електроконтактний щуп введений через кришку ростової камери і електрично з'єднаний з входом блока управління підживленням, донний нагрівач, підключений...

Номер патенту: 107982

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Андрєєв Олександр Євгенійович, Сафронов Роман Ігоревич, Андрєєв Євген Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34, C30B 15/32, C30B 15/36 ...

Мітки: профільованих, витягування, кристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування профільованих кристалів, що включає шток витягаючого механізму, який розташовано співвісно або має зсув у горизонтальній площині щодо осі тигля, на якому закріплено затравкоутримувач у вигляді диска з затравками, який відрізняється тим, що затравкоутримувач з затравкою кріпиться до штоку витягаючого механізму, через перехідну муфту, в якій за допомогою гвинтів для фіксування, закріплено шток горизонтальної втулки, що...

Номер патенту: 107662

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Найденкова Марія Володимирівна, Сушко Борис Іванович

МПК: C30B 35/00, C30B 7/00, C30B 11/00 ...

Мітки: злитків, розчинів, спосіб, вирощування, об'ємних, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування об'ємних кристалічних злитків з розчинів в розплавах легкоплавких металів, що здійснюють в вакуумованій камері, що містить нагрівальну піч, тигель, в якому швидкість вирощування злитків визначається переміщенням розчину-розплаву, обумовлена природною конвенцією з області насичення в область кристалізації злитка на затравці, що охолоджують з подальшим переміщенням збідненого розчину в область його насичення, відокремленої...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06, C30B 15/08 ...

Мітки: кремнію, зливків, матеріалу, установка, завантажувального, вигляді, плавильній, одержання, подачі, містить, розплавленому, вузол

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Номер патенту: 106103

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Довбиш Анатолій Степанович, Суздаль Віктор Семенович, Шелехов Ігор Володимирович, Проценко Сергій Іванович, Москаленко В'ячеслав Васильович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/20, G05D 27/00 ...

Мітки: пристрій, адаптивного, розплаву, вирощуванням, монокристалів, керування

Формула / Реферат:

Пристрій для адаптивного керування вирощуванням монокристалів із розплаву, що містить електропривод кристалотримача, підключений до блока корекції переміщення кристалотримача, який з'єднаний з датчиком дискретного переміщення кристалотримача, датчик рівня розплаву, підключений до блока корекції підживлення і з'єднаний з підживлювачем, блоки контролю і корекції температури донного і бічного нагрівачів, контролю і корекції тиску і температури...

Номер патенту: 105885

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Андрєєв Олександр Євгенійович, Андрєєв Євгеній Петрович, Сафронов Роман Ігоревич, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: B23K 28/00, C30B 15/34, B23K 20/00 ...

Мітки: спосіб, з'єднання, сапфіру, деталей, кристалічних, зокрема

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання кристалічних деталей, зокрема з сапфіру, що включає зварювання деталей шляхом кристалізації розплавленої контактної зони, який відрізняється тим, що контактні поверхні кристалічних деталей розташовують з капілярним зазором відносно одна до одної, а як припій використовують розплав кристалічного матеріалу, з якого виконано деталі, при цьому припій подається до зони з'єднання з тигля через капілярну систему.

Номер патенту: 90566

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Пекар Володимир Ярославович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: G01N 23/20, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, визначенні, кристалографічних, пристрій, площин, кріплення

Формула / Реферат:

Пристрій для кріплення монокристалів при визначенні кристалографічних площин, що містить платформу, виконану з можливістю обертання відносно її вертикальної осі, та оправку для кріплення кристала, який відрізняється тим, що платформа, фіксована на поворотному столі дифрактометра, містить регульовану в горизонтальній площині опорну поперечну пластину, а оправка складається з двох квадратних пластин, з'єднаних між собою за допомогою чотирьох...

Номер патенту: 105530

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Тонкошкур Володимир Миколайович, Демченко Вячеслав Васильович, Суздаль Віктор Семенович, Соболєв Олександр Вікторович, Стрельніков Микола Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Козьмін Юрій Семенович

МПК: C30B 15/20, C30B 35/00, G05D 27/00 ...

Мітки: розплаву, вирощування, монокристалів, ампулі, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу із речовиною, що кристалізується у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку із двигуном і приводом її переміщення, відліковий пристрій величини переміщення ампули, термопари встановлені на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного...

Номер патенту: 85867

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Кольнер Володимир Борисович, Кривоносов Євген Володимирович, Сініцин Павло Вікторович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 35/00

Мітки: пристрій, кріплення, вузла, затравочного, кристала

Формула / Реферат:

Пристрій вузла кріплення затравочного кристала, що містить циліндричний вузол кріплення затравки з пазом і фіксатор, який вставляється в заглиблення в затравочному кристалі і фіксує його, який відрізняється тим, що вузол кріплення затравки додатково містить паз, розташований нижче основного, і фіксатор, при цьому обидва фіксатори виконано з горизонтальними проточками для їх закріплення, а верхній фіксатор входить у паз і затравку з меншим...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00, C30B 29/06 ...

Мітки: кремнієвих, мультикристалічних, вирощування, спосіб, злитків

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Номер патенту: 97932

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Будаковський Сергій Валентинович, Демченко Вячеслав Васильович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20, C30B 11/00, C30B 35/00 ...

Мітки: розплаву, ампулі, управління, пристрій, росту, монокристалів, процесом

Формула / Реферат:

Пристрій управління процесом росту монокристалів з розплаву в ампулі, що містить вертикальну піч із нагрівачах у верхній і нижньої її зонах, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, термопари, установлені на зазначених нагрівачах, регулятори зворотного зв'язку по температурі нагрівачів верхньої й нижньої зони печі, підключені до відповідних термопар і самих нагрівачів, блок програмно-логічного управління й...

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/06

Мітки: пристрій, печі, кремнієвих, злитків, мультикристалічних, завантаження, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Номер патенту: 67586

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C01B 33/021, C30B 35/00

Мітки: методом, мультикристалічного, виробництва, індукційним, кремнію, автоматизована, система

Формула / Реферат:

1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...

Номер патенту: 96653

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Маковеєв Олександр Володимирович, Воронов Олексій Петрович, Маковеєв Володимир Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сало Віталій Іванович

МПК: C30B 35/00, C30B 7/00, C30B 29/14 ...

Мітки: спосіб, пристрій, калію, дигідрофосфату, вирощування, монокристалів, здійснення, орієнтованих, групи

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку на платформі в ростовій камері зародка, вирощування кристала методом рециркуляції розчинника, який відрізняється тим, що у первинний розчин додатково вводять іони заліза з концентрацією 1,0·10-4-3,0·10-4 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Номер патенту: 96345

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович

МПК: C30B 30/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: виробів, отримання, металів, структурою, тугоплавких, пристрій, полікристалічною, профільованих, вирощування, певною, монокристалічною, монокристалів, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який виконаний з можливістю  переміщення у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке виконане з можливістю  переміщення в...

Номер патенту: 95674

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Власенко Тімур Віктрович, Берінгов Сергій Борисович, Тьощин Володимир Вікторович, Лясковський Олександр Анатолійович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: G01F 11/34, F27D 3/10, C30B 35/00 ...

Мітки: мультикристалічного, розплав, легуючого, введення, пристрій, елемента, завантажку, печі, вирощування, безконтактного, лігатури, кремнію

Формула / Реферат:

1. Пристрій для безконтактного введення легуючого елемента та/або лігатури до печі вирощування мультикристалічного кремнію в завантажку та/або розплав, який відрізняється тим, що включає трубу для подачі легуючого елемента та/або лігатури, кульовий кран, трубоподібний накопичувальний бункер та заглушку, що з'єднані послідовно, в одній осі, з можливістю від'єднання трубоподібного накопичувального бункера в процесі експлуатації пристрою для...

Номер патенту: 95541

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович, Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович

МПК: B32B 7/04, B32B 1/00, C30B 11/14 ...

Мітки: виготовлення, певною, тиглів, профільованих, монокристалічною, матеріалів, тугоплавких, полікристалічною, посудин, виробів, труб, структурою, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів тугоплавких металів та сплавів пошаровим наплавленням з використанням плазмового джерела енергії, що дозволяє створити локальну розплавлену зону матеріалу, а при організації її руху у горизонтальному просторі, з підживленням рідким металом, отримують шар матеріалу, який відрізняється тим, що тиглі, посудини, труби та профільовані вироби з тугоплавких матеріалів виготовляють з використанням різновидів...

Номер патенту: 95515

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Андрєєв Євген Петрович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/36, C30B 15/34 ...

Мітки: профільованих, пристрій, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що включає засіб захвата затравки, який виконано у вигляді тяг, нижня частина яких оснащена полками для розміщення затравки, а верхня частина закріплена на штоку витягувального механізму, при цьому центри ваги тяг зміщені до місця розташування осі тигля, який відрізняється тим, що тяги у верхній частині мають призматичні упори і установлені в пазах опорного диска, який закріплено на штоку...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Шевчук Андрій Леонідович, Онищенко Володимир Євгенович

МПК: B22D 11/00, B22D 11/08, C30B 11/00 ...

Мітки: пристрій, спосіб, здійснення, індукційним, полікристалічного, методом, одержання, кремнію, зливків

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Номер патенту: 52152

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00

Мітки: пристрій, алманітів, монокристалів, кремнію, вирощування, карбіду

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію (алманітів), що містить кристалізатор і затравку, причому кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6 мм рт. ст.),...

Номер патенту: 52151

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, кремнію, алманіту, карбіду, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту, який полягає у тому, що монокристали карбіду кремнію вирощують із кремнію і вуглецю, суть якого полягає у тому, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1x1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка...

Номер патенту: 51285

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Гніздило Олександр Миколайович, Шаповалов Віктор Олександрович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович

МПК: C30B 35/00, B32B 1/00, B32B 7/00 ...

Мітки: спосіб, профільованих, матеріалів, певною, тиглів, тугоплавких, полікристалічною, сосудів, труб, структурою, виробів, монокристалічною, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення тиглів, сосудів, труб та профільованих виробів з тугоплавких матеріалів з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою, який відрізняється тим, що тиглі, сосуди, труби та профільовані вироби з тугоплавких матеріалів виготовляють пошаровим наплавленням з використанням різновидів висококонцентрованого джерела енергії, що дозволяє створити локальну розплавлену зону матеріалу, а при організації її руху у...

Номер патенту: 89717

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C04B 35/565, C04B 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: застосування, виробництва, обробки, тигель, розплавленого, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Тигель для обробки розплавленого кремнію, який відрізняється тим, що включає основний корпус з нижньою поверхнею та боковими стінками, які обмежують внутрішній об'єм, основний корпус містить:- принаймні 65 мас. % карбіду кремнію,- від 12 до 30 мас. % складової, вибраної з оксиду або нітриду кремнію, причому основний корпус також включає принаймні одне покриття з оксиду кремнію та/або нітриду кремнію, принаймні на...

Номер патенту: 89491

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Лочер Джон Волтер, Занелла Стівен Ентоні, Бейтс Херберт Еллсворт, Маклін Ральф Лемпсон, мол.

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20, C30B 35/00 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, монокристал, сапфіру

Формула / Реферат:

1. Монокристал сапфіру, який відрізняється тим, що являє собою монокристалічну пластину в стані після вирощування, довжина, ширина і товщина якої є між собою в такому співвідношенні: довжина > ширини > товщини, причому ширина є не менше, ніж приблизно 25 см, товщина є не менше, ніж 0,5 см, і варіація товщини не перевищує 0,2 см.2. Монокристал за п. 1, який відрізняється тим, що товщина є не менше, ніж приблизно 0,6 см.3....

Номер патенту: 89284

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/00, B22D 41/02, C04B 35/584 ...

Мітки: кремнію, спосіб, виготовлення, тигель, кристалізації

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) захисне покриття на основі нітриду кремнію (3), спрямоване до внутрішнього об'єму;причому вищезгадане захисне покриття (3) містить від 80 до 95 мас. % нітриду кремнію, від 5 до 20 мас. % низькотемпературної мінеральної зв'язувальної речовини, загальний...

Номер патенту: 88964

Опубліковано: 10.12.2009

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C01B 33/021, B22D 41/02, C04B 35/14 ...

Мітки: кремнію, тигель, спосіб, виготовлення, кристалізації

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) шар підкладки (25), який включає від 80 до 100 мас. % нітриду кремнію на поверхні бокових стінок (22), спрямованій до внутрішнього об'єму;c) проміжний шар (3), який включає від 50 до 100 мас. % кремнезему над шаром підкладки (25); таd) поверхневий шар...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Галенін Євгеній Петрович, Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Нагорняк Володимир Теодорович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/00, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, розплаву, вирощування, методом, чохральського, спосіб, пристрій, здійснення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Єлісєєв Валерій Андрійович, Кравченко Віктор Леонович, Куліковський Станіслав Володимирович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, C30B 15/00 ...

Мітки: сигналізації, розплаву, протікання, індикацією, одержання, кремнію, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Номер патенту: 86168

Опубліковано: 25.03.2009

Автор: Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06, C30B 35/00 ...

Мітки: пристрій, матеріалу, спосіб, розплавленого, рафінування

Формула / Реферат:

1. Спосіб рафінування матеріалу, який включає стадії: утворення розплаву матеріалу в ємності; приведення температурно-контрольованої контактної поверхні у контакт з поверхнею розплаву, при цьому вказана температурно-контрольована контактна поверхня не контактує зі стінками ємності і забезпечує кристалізацію розплавленого матеріалу та його утримування; і поступової кристалізації розплавленого матеріалу зверху вниз з утворенням твердого зливка...

Номер патенту: 86154

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/10

Мітки: тиглів, коштовних, відновлення, спосіб, іридію, металів, зокрема

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення тигля з коштовного металу, зокрема з іридію, що містить його попередній відпал при тиску 10-1 – 10-3 торр з подальшим зварюванням тріщин, який відрізняється тим, що відпал здійснюють при 2000-2200 °С протягом 0,5-1,0 години з подальшим охолодженням зі швидкістю 400-700 град/год.

Номер патенту: 83148

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Шевченко Петро Миколайович, Перепеченко Борис Іванович, Асніс Юхим Аркадійович, Статкевич Ігор Іванович, Заболотін Станіслав Павлович, Щегельський Микола Євдокимович, Патон Борис Євгенович, Юрченко Микола Миколайович, Порєв Володимир Андрійович

МПК: C30B 13/00, C30B 1/00, C30B 35/00 ...

Мітки: матеріалу, мікрогравітації, космосі, вакууму, космічного, зонної, умовах, електронно-променевої, установка, плавки

Формула / Реферат:

1. Установка для електронно-променевої зонної плавки матеріалу в космосі в умовах мікрогравітації і космічного вакууму, що складається з ростової вакуумної камери, яка має вакуумно-щільний корпус з циліндричними охолоджуваними стінками і кришкою,  електронно-променевого нагрівача, приводу переміщення електронно-променевого нагрівача, приводу вертикального переміщення електронно-променевого нагрівача, утримувачів зразка матеріалу, патрубка для...

Номер патенту: 81184

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Гніздило Олександр Миколайович, Шаповалов Віктор Олександрович, Торхов Геннадій Федорович

МПК: C30B 11/10, C30B 35/00

Мітки: металів, пристрій, вирощування, тугоплавких, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування плоских монокристалів тугоплавких металів, який містить механізм подачі прутків витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, здатний переміщуватися у вертикальній площині, плазмове джерело нагріву, виконане з можливістю переміщуватися в горизонтальній площині, високочастотний індуктор, прикріплений співвісно піддону до стінок камери і складений з паралельно сполучених котушок, верхня з яких має...

Номер патенту: 22375

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Бялик Гаррі Абрамович, Луньов Валентин Васильович, Наумик Валерій Владиленович

МПК: C30B 35/00, C30B 21/00

Мітки: кристалізації, фізичного, спосіб, виливків, металів, процесів, зливків, моделювання, сплавів

Формула / Реферат:

Спосіб фізичного моделювання процесів кристалізації виливків і зливків металів та сплавів, що включає покривання зразка шаром олова, його нагрівання до плавлення олова та подальше охолодження, який відрізняється тим, що зразок з металу або сплаву, кристалізація якого моделюється, розміщують на плоскому нагрівачі до повного розплавлення олова, а охолодження здійснюють на плоскому мідному водоохолоджувальному кристалізаторі при пересуванні з...

Номер патенту: 22257

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: полікристалічного, карбіду, пристрій, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію, що складається із синтезатора, тигля, нагрівального елемента, який відрізняється тим, що синтезатор виконано у вигляді двох циліндрів однакової висоти, у нижній частині синтезатора розміщено тигель, в об’ємі синтезатора поміщені вертикально і горизонтально касети, зверху синтезатор закритий кришкою з отворами, причому синтезатор з тиглем, пластинами всередині і кришкою зверху...

Номер патенту: 22256

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: карбіду, вирощування, кремнію, монокристалів, пристрій, алманіту

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію, що містить кристалізатор і затравку, який відрізняється тим, що кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6мм рт.ст.),...

Номер патенту: 22255

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: спосіб, монокристалів, карбіду, алманіту, вирощування, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію, що включає  вирощування монокристалів карбіду кремнію із кремнію і вуглецю, який відрізняється тим, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1х1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка синтезатора,...

Номер патенту: 19072

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: спосіб, полікристалічного, вирощування, карбіду, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію, який включає прямий синтез кремнію і вуглецю, які розташовані в квазізамкнутому об'ємі, виготовленому із графіту, який розташований в нагрівачі високотемпературної печі, який відрізняється тим, що для одержання полікристалічного карбіду кремнію високої чистоти джерелом кремнію є високочистий кремній, розташований в тиглі, виготовлений із ізостатичного графіту високої щільності і чистоти, а...