Патенти з міткою «монокристали»

Номер патенту: 87656

Опубліковано: 10.08.2009

Автор: Ільті Ален

МПК: C01F 17/00, C09K 11/77, C30B 29/12 ...

Мітки: блоків, металів, монокристали, одержання, блоки, галогенідів, рідкісноземельних, одержані, полікристалічні, полікристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного блока масою щонайменше 10 г, який є галогенідом загальної формули LnfX3f, в якій Ln означає один або більше рідкісноземельних металів, Х означає один або більше атомів галогену, вибраних з Сl, Вr або І, f більше або дорівнює 1, де згаданий блок містить менше ніж 0,1 мас.% води і менше ніж 0,2 мас.% оксигалогеніду рідкісноземельного металу, який містить стадію нагрівання суміші щонайменше однієї сполуки,...

Номер патенту: 66318

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Гребенюк Богдан Олегович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: пристрій, алманіт, карбіду, спосіб, здійснення, монокристали, способу, вирощування, кремнію

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію Алманіт, які відрізняється тим, що ці монокристали особливочистого карбіду кремнію містять домішки від 5х1015 до 5х1016 см-3, грань монокристалів біля основи має вигляд багатогранника, наприклад  шестигранника, характерного для політипу 6Н, і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристалу, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого...

Номер патенту: 64035

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Ігнатенко Степан Денисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: алманіт, карбіду, здійснення, вирощування, кремнію, монокристали, пристрій, спосіб, способу

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...

Номер патенту: 15151

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Колесніченко Валерій Григорович, Бродовий Олександр Володимирович, Солонін Сергій Михайлович, Скороход Валерій Володимирович

МПК: C30B 30/00

Мітки: металеві, монокристали, температурою, переходу, надпровідного, високою

Формула / Реферат:

1. Металлические монокристаллы с высокой температурой сверхпроводящего перехода с целенаправленно генерированными структур­ными дефектами, отличающиеся тем, что эти дефекты представляют собой нарушения сплош­ности металла и являются квазидвумерными об­разованиями, обладающими свободной поверхностью.2. Металлические монокристаллы по п.1, отли­чающиеся тем, что линейный размер структур­ных дефектов составляет 1-5 мкм, а их концентрация в...