Патенти з міткою «алманіт»

Алманіт

Завантаження...

Номер патенту: 19071

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: алманіт

Формула / Реферат:

АЛМАНІТ - монокристали карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують монокристали особливо чистого карбіду кремнію із вмістом домішок 5х1015-5х1016 см-3, який має біля основи грань у вигляді багатогранника (наприклад, шестигранника, характерного для політипу 6Н) і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристала, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого,...

Монокристали карбіду кремнію алманіт, спосіб їх вирощування та пристрій для здійснення способу

Завантаження...

Номер патенту: 66318

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Гребенюк Богдан Олегович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: вирощування, карбіду, здійснення, пристрій, монокристали, способу, кремнію, спосіб, алманіт

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію Алманіт, які відрізняється тим, що ці монокристали особливочистого карбіду кремнію містять домішки від 5х1015 до 5х1016 см-3, грань монокристалів біля основи має вигляд багатогранника, наприклад  шестигранника, характерного для політипу 6Н, і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристалу, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого...

Монокристали карбіду кремнію алманіт, спосіб їх вирощування і пристрій для здійснення способу

Завантаження...

Номер патенту: 64035

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Ігнатенко Степан Денисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: спосіб, вирощування, здійснення, карбіду, монокристали, кремнію, пристрій, способу, алманіт

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...