Сергеєв Олег Тимофійович

Номер патенту: 52152

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00

Мітки: кремнію, карбіду, монокристалів, пристрій, алманітів, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію (алманітів), що містить кристалізатор і затравку, причому кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6 мм рт. ст.),...

Номер патенту: 52151

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Масол Ігор Віталієвич, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, карбіду, кремнію, алманіту

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту, який полягає у тому, що монокристали карбіду кремнію вирощують із кремнію і вуглецю, суть якого полягає у тому, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1x1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка...

Номер патенту: 22257

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: пристрій, карбіду, полікристалічного, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію, що складається із синтезатора, тигля, нагрівального елемента, який відрізняється тим, що синтезатор виконано у вигляді двох циліндрів однакової висоти, у нижній частині синтезатора розміщено тигель, в об’ємі синтезатора поміщені вертикально і горизонтально касети, зверху синтезатор закритий кришкою з отворами, причому синтезатор з тиглем, пластинами всередині і кришкою зверху...

Номер патенту: 22256

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: пристрій, кремнію, алманіту, монокристалів, карбіду, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію, що містить кристалізатор і затравку, який відрізняється тим, що кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6мм рт.ст.),...

Номер патенту: 22255

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: спосіб, алманіту, кремнію, карбіду, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію, що включає  вирощування монокристалів карбіду кремнію із кремнію і вуглецю, який відрізняється тим, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1х1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка синтезатора,...

Номер патенту: 19072

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: спосіб, полікристалічного, кремнію, вирощування, карбіду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію, який включає прямий синтез кремнію і вуглецю, які розташовані в квазізамкнутому об'ємі, виготовленому із графіту, який розташований в нагрівачі високотемпературної печі, який відрізняється тим, що для одержання полікристалічного карбіду кремнію високої чистоти джерелом кремнію є високочистий кремній, розташований в тиглі, виготовлений із ізостатичного графіту високої щільності і чистоти, а...

Номер патенту: 19071

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: алманіт

Формула / Реферат:

АЛМАНІТ - монокристали карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують монокристали особливо чистого карбіду кремнію із вмістом домішок 5х1015-5х1016 см-3, який має біля основи грань у вигляді багатогранника (наприклад, шестигранника, характерного для політипу 6Н) і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристала, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого,...

Номер патенту: 16279

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 15/00

Мітки: покриттів, спосіб, сполук, напівпровідникових, нанесення

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення покриттів із напівпровідникових сполук, які складаються із рідкофазного компонента і компонента, що не має рідкої фази, таких як карбід кремнію, карбід бору, нітрид кремнію, що включає випаровування рідкофазного компонента у вакуумі при нагріванні його в замкнутому об’ємі синтезатора, який виготовлений із компонента, що не має рідкої фази, в якому має місце синтез напівпровідникової сполуки біля внутрішньої поверхні...

Номер патенту: 39430

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Савченко Ян Олексійович, Малєв Валерій Іванович, Сергеєв Сергій Олегович, Панікарська Ольга Іванівна, Яценко Олег Володимирович, Корнієнко Ірина Борисівна, Сергеєв Олег Тимофійович, Немчин Олександр Федорович

МПК: C30B 25/06, C30B 23/02

Мітки: покриттів, спосіб, напівпровідникових, нанесення, сполук

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення покриттів із напівпровідникових сполук шляхом розмі­щення випаровуваного компонента і виробу, що покривається, у вакуумній камері, їх нагрівання в умовах вакууму і наступного підвищення тиску, який відрізняється тим, що випаровуваний компонент напівпровідникової сполуки, який має рід­ку фазу, нагрівають в присутності компонента напівпровідникової сполуки, який має тверду фазу, при тискові 10-4 – 10-6 мм Hg до...

Номер патенту: 66318

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Гребенюк Богдан Олегович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: алманіт, кремнію, карбіду, здійснення, монокристали, способу, спосіб, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію Алманіт, які відрізняється тим, що ці монокристали особливочистого карбіду кремнію містять домішки від 5х1015 до 5х1016 см-3, грань монокристалів біля основи має вигляд багатогранника, наприклад  шестигранника, характерного для політипу 6Н, і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристалу, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого...

Номер патенту: 64035

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Ігнатенко Степан Денисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: вирощування, карбіду, здійснення, пристрій, монокристали, способу, алманіт, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...