Какошке Рональд
Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента з окремо розміщеним в підкладці з’єднувальним елементом, а також напівпровідниковий елемент, виготовлений цим способом
Номер патенту: 57865
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Кукс Андреас, Какошке Рональд, Штокан Регіна, Плаза Гюнтер, Браун Хельга
МПК: H01L 27/02
Мітки: напівпровідниковий, способом, окремо, елемента, виготовлений, елемент, спосіб, також, виготовлення, підкладці, елементом, цим, з`єднувальним, напівпровідникового, розміщеним
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента, що містить щонайменше частково розміщену у підкладці з'єднувальну систему, причому він містить щонайменше один розміщений у напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (24) і щонайменше один розміщений на напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (14, 18), причому спосіб узгоджений зі способом виготовлення МОН-транзисторів щонайменше двох...