H01L 27/02 — містять напівпровідникові компоненти, спеціально призначені для випрямлення, генерування, посилення або перемикання, в яких є щонайменше один потенційний або поверхневий бар’єр; включаючи елементи на пасивних інтегральних схемах щонайменше з одним потенційним або поверхневим бар’єром
Інтегральна мікросхема із захистом від аналізу і спосіб її виготовлення
Номер патенту: 75379
Опубліковано: 17.04.2006
Автор: Янке Маркус
МПК: H01L 23/58, H01L 27/02
Мітки: захистом, спосіб, аналізу, виготовлення, мікросхема, інтегральна
Формула / Реферат:
1. Інтегральна мікросхема, що містить підкладку (9), на якій розміщені схемні елементи і щонайменше один рівень (10-13) міжз'єднань, що містить першу систему доріжок (20), яка відрізняється тим, що у рівні міжз'єднань області (1), вільні від доріжок (20) першої системи, заповнені доріжками (30) другої системи для захисту інтегрального схемного пристрою.2. Інтегральна мікросхема за п. 1, яка відрізняється тим, що до доріжок (30)...
Напівпровідниковий чіп з поверхневим покриттям
Номер патенту: 58535
Опубліковано: 15.08.2003
Автори: Аллінгер Роберт, Поккрандт Вольфганг
МПК: H01L 27/02, H01L 23/52
Мітки: чіп, покриттям, напівпровідниковий, поверхневим
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий чіп, який містить схеми (Т1, Т2), реалізовані у щонайменше одному шарі напівпровідникової підкладки (1) і розміщені у щонайменше одній функціональній групі, а також доріжки живлення і сигнальні доріжки (Vм, Vж, СД1, СД2), розміщені над схемами у щонайменше одному з'єднувальному рівні (3), який відрізняється тим, що у щонайменше одному з'єднувальному рівні (3) над щонайменше однією групою схем доріжки живлення і...
Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента з окремо розміщеним в підкладці з’єднувальним елементом, а також напівпровідниковий елемент, виготовлений цим способом
Номер патенту: 57865
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Браун Хельга, Кукс Андреас, Плаза Гюнтер, Какошке Рональд, Штокан Регіна
МПК: H01L 27/02
Мітки: окремо, елемента, напівпровідникового, також, цим, елемент, підкладці, спосіб, з`єднувальним, розміщеним, виготовлення, елементом, напівпровідниковий, способом, виготовлений
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента, що містить щонайменше частково розміщену у підкладці з'єднувальну систему, причому він містить щонайменше один розміщений у напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (24) і щонайменше один розміщений на напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (14, 18), причому спосіб узгоджений зі способом виготовлення МОН-транзисторів щонайменше двох...