Каракулова Аліна Іванівна
Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин
Номер патенту: 41790
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Каракулова Аліна Іванівна, Кравченко Сергій Юрійович
МПК: H01L 21/02
Мітки: плазмохімічного, спосіб, травлення, напівпровідникових, пластин
Формула / Реферат:
Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин, який полягає у тому, що травлення проводять у плазмі, яку утворюють електричним розрядом у вакуумній камері при постійному напусканні і відкачуванні робочого газу, а контроль моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення проводять за допомогою двох електричних зондів, які вводять в зону розряду, перший з яких розташовують біля напівпровідникової пластини зі сторони...