Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин

Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин, який полягає у тому, що травлення проводять у плазмі, яку утворюють електричним розрядом у вакуумній камері при постійному напусканні і відкачуванні робочого газу, а контроль моменту закінчення процесу плазмохімічного тра 3 41790 4 сторони відкачування, а другий - зі сторони напуснеобхідний технологічний режим тиску робочого кання робочого газу на такій же відстані від пласгазу, і за допомогою електрода 3 запалюють газотини, значення величин плаваючого потенціалу вий розряд, який є джерелом хімічно активної плаплазми, які реєструють першим і другим електричзми. Блоком забезпечення 6 встановлюють робоними зондами, перетворюють в електричні частотчий режим вимірювання плаваючого потенціалу ні сигнали, частота яких залежить від величини плазми першого електричного зонда 4 і другого плаваючого потенціалу плазми, а самі частотні електричного зонда 5. Перший електричний зонд сигнали порівнюють між собою і за величиною 4, який розташовано над напівпровідниковою пларізниці частот визначають момент закінчення простиною 1 зі сторони напускання робочого газу, цесу плазмохімічного травлення. фіксує величину плаваючого потенціалу плазми і в На кресленні наведено схему пристрою для якості інформативного сигналу передає його на реалізації способу плазмохімічного травлення начастотний перетворювач 7, де цей сигнал з аналопівпровідникових пластин. гової форми перетворюють у частотний з частоПристрій містить напівпровідникову пластину тою f1. Другий електричний зонд 4, який розташо1, вакуумну камеру 2, електрод 3, перший електвано над напівпровідниковою пластиною 1 зі ричний зонд 4, другий електричний зонд 5, блок сторони відкачування, також фіксує величину плазабезпечення 6, перший вхід якого з'єднано з виваючого потенціалу плазми і в якості інформативходом першого електричного зонда 4, а другий ного сигналу передає його на частотний перетвовхід - з виходом другого електричного зонда 5, рювач 8, де цей сигнал з аналогової форми перший частотний перетворювач 7, вхід якого перетворюють у частотний з частотою f2. Далі часз'єднано з першим виходом блоку забезпечення 6, тотний сигнал з частотного перетворювача 7 подругий частотний перетворювач 8, вхід якого з'єддають на перший вхід частотного компаратора 9, а нано з другим виходом блоку забезпечення 6, часчастотний сигнал з частотного перетворювача 8 тотний компаратор 9, перший вхід якого з'єднано з подають на другий вхід частотного компаратора 9. виходом першого частотного перетворювача 7, а В частотному компараторі 9 сигнали f1 та f2 порівдругий вхід - з виходом другого частотного перенюються між собою, в результаті чого на виході творювача 8. компаратора 9 отримують результуючий частотСпосіб здійснюється наступним чином. ний сигнал (∆f), за величиною якого судять про Напівпровідникову пластину 1 розташовують у момент закінчення процесу плазмохімічного траввакуумній камері 2, де за допомогою систем відкалення. чування і напуску робочого газу встановлюють Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601