Матковський Андрій Орестович
Спосіб виготовлення структур аіг:nd/aiг:cr4+ та ггг:nd/ггг:cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю
Номер патенту: 59061
Опубліковано: 15.08.2003
Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Мельник Сергій Степанович, Сиворотка Ігор Михайлович, Ваків Микола Михайлович, Іжнін Ігор Іванович, Доценко Юрій Павлович, Матковський Андрій Орестович, Убізський Сергій Борисович
МПК: H01S 3/11
Мітки: лазерів, виготовлення, мікрочіпових, добротністю, спосіб, активних, середовищ, структур, пасивно-модульованою
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення структур AIГ:Nd/AІГ:Cr4+ та ГГГ:Nd/ГГГ:Cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення підкладки з алюмо-ітрієвого гранату, легованого іонами неодиму (AІГ:Nd), або галій-гадолінієвого гранату, легованого іонами неодиму (ГГГ:Nd), відповідно, в пересичений розчин-розплав суміші гранатоутворюючих оксидів Y2O3, Аl2О3 або Gа2O3, Gd2O3,...