Доценко Юрій Павлович
Спосіб виготовлення структур аіг:nd/aiг:cr4+ та ггг:nd/ггг:cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю
Номер патенту: 59061
Опубліковано: 15.08.2003
Автори: Доценко Юрій Павлович, Іжнін Ігор Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Ваків Микола Михайлович, Сиворотка Ігор Михайлович, Матковський Андрій Орестович, Убізський Сергій Борисович, Мельник Сергій Степанович
МПК: H01S 3/11
Мітки: мікрочіпових, виготовлення, пасивно-модульованою, середовищ, активних, добротністю, лазерів, структур, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення структур AIГ:Nd/AІГ:Cr4+ та ГГГ:Nd/ГГГ:Cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення підкладки з алюмо-ітрієвого гранату, легованого іонами неодиму (AІГ:Nd), або галій-гадолінієвого гранату, легованого іонами неодиму (ГГГ:Nd), відповідно, в пересичений розчин-розплав суміші гранатоутворюючих оксидів Y2O3, Аl2О3 або Gа2O3, Gd2O3,...
Спосіб визначення залишкових механічних напружень в багатодолинних напівпровідникових кристалах
Номер патенту: 31782
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Демчина Любомир Андрійович, Венгер Євген Федорович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Доценко Юрій Павлович, Коломоєць Володимир Васильович
Мітки: механічних, спосіб, напружень, напівпровідникових, багатодолинних, кристалах, залишкових, визначення
Текст:
...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...