Убізський Сергій Борисович
Спосіб виготовлення кристалічного зразка для бреггівської комірки світла
Номер патенту: 83390
Опубліковано: 10.09.2013
Автори: Убізський Сергій Борисович, Андрущак Анатолій Степанович, Дем'янишин Наталія Михайлівна, Бурий Олег Анатолійович, Юркевич Олег Володимирович
МПК: G01N 21/41
Мітки: спосіб, світла, виготовлення, кристалічного, бреггівської, комірки, зразка
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення кристалічного зразка для Бреггівської комірки світла, який полягає в тому, що з джерела випромінювання на кристалічний матеріал скеровують поляризовану електромагнітну хвилю, одночасно збуджують в зразку акустичну хвилю, вимірюють зміну оптичного параметра електромагнітної хвилі та встановлюють напрямки поширення та поляризації електромагнітної і акустичної хвиль, при яких акустооптична ефективність є максимальною, і...
Магніточутливий зонд
Номер патенту: 92384
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Хрістофороу Евангелос, Павлик Любомир Пилипович, Убізський Сергій Борисович
МПК: G01R 33/00
Мітки: зонд, магніточутливий
Формула / Реферат:
Магніточутливий зонд, який складається з першого чутливого елемента у вигляді тонкої плівки магнітом'якого матеріалу, розміщеного у першій парі намагнічуючих котушок з ортогональними осями х та у, виконаної з можливістю створення магнітного поля, що обертається у площині ху, та у першій вимірювальній котушці з віссю, орієнтованою в напрямку x або у, а також з другого чутливого елемента, ідентичного першому чутливому елементу, розміщеного в...
Спосіб виготовлення структур аіг:nd/aiг:cr4+ та ггг:nd/ггг:cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю
Номер патенту: 59061
Опубліковано: 15.08.2003
Автори: Іжнін Ігор Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Матковський Андрій Орестович, Мельник Сергій Степанович, Доценко Юрій Павлович, Ваків Микола Михайлович, Убізський Сергій Борисович, Сиворотка Ігор Михайлович
МПК: H01S 3/11
Мітки: пасивно-модульованою, середовищ, активних, виготовлення, спосіб, лазерів, добротністю, мікрочіпових, структур
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення структур AIГ:Nd/AІГ:Cr4+ та ГГГ:Nd/ГГГ:Cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення підкладки з алюмо-ітрієвого гранату, легованого іонами неодиму (AІГ:Nd), або галій-гадолінієвого гранату, легованого іонами неодиму (ГГГ:Nd), відповідно, в пересичений розчин-розплав суміші гранатоутворюючих оксидів Y2O3, Аl2О3 або Gа2O3, Gd2O3,...