Мельничук Тетяна Аркадіївна
Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі in4se3
Номер патенту: 50924
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Стребежев Віктор Миколайович, Воробець Георгій Іванович, Мельничук Тетяна Аркадіївна
МПК: C30B 13/00, C30B 29/10, C30B 31/00 ...
Мітки: спосіб, основі, виготовлення, фоточутливої, гетероструктурі, in4se3
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі In4Se3, який включає рідиннофазну епітаксію шару In4Se3 на монокристалічну напівпровідникову підкладку з розчину-розплаву In4Se3-InBi та лазерне опромінення, який відрізняється тим, що рідиннофазну епітаксію In4Se3 проводять на підкладку з монокристалічного германію в інтервалі температур Т=793-778 К зі швидкістю...