Патенти з міткою «гетероструктурі»
Фотодіод на основі гетероструктури mooх/n-cdte
Номер патенту: 116033
Опубліковано: 10.05.2017
Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Мостовий Андрій Ігорович, Солован Михайло Миколайович, Ульяницький Костянтин Сергійович
МПК: H01L 31/073, H01L 31/07, H01L 31/072 ...
Мітки: фотодіод, основі, гетероструктурі
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.
Фотодіод на основі гетероструктури
Номер патенту: 92084
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Мостовий Андрій Ігорович
МПК: H01L 33/00
Мітки: гетероструктурі, основі, фотодіод
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.
Спосіб виготовлення світловипромінюючого діода на основі нанокомпозитної органо-неорганічної гетероструктури
Номер патенту: 82982
Опубліковано: 27.08.2013
Автори: Саввін Юрій Миколайович, Крижановська Олександра Сергіївна, Погорелова Наталія Володимирівна, Семиноженко Володимир Петрович, Матвієнко Оксана Олеговна, Ващенко Валерій Володимирович
МПК: H01L 33/00
Мітки: гетероструктурі, основі, нанокомпозитної, органо-неорганічної, виготовлення, діода, світловипромінюючого, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення світловипромінюючого діода на основі нанокомпозитної планарної органо-неорганічної гетероструктури, що включає послідовне нанесення на підкладку з електропровідним покриттям ІТО дірково-інжекційного шару, дірково-транспортного шару, емісійного шару з напівпровідникових нанокристалів, електрон-інжекційного шару та катода, який відрізняється тим, що емісійний шар на основі напівпровідникових нанокристалів наносять у вигляді...
Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі in4se3
Номер патенту: 50924
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Мельничук Тетяна Аркадіївна, Стребежев Віктор Миколайович, Воробець Георгій Іванович
МПК: C30B 13/00, C30B 29/10, C30B 31/00 ...
Мітки: гетероструктурі, спосіб, in4se3, основі, фоточутливої, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі In4Se3, який включає рідиннофазну епітаксію шару In4Se3 на монокристалічну напівпровідникову підкладку з розчину-розплаву In4Se3-InBi та лазерне опромінення, який відрізняється тим, що рідиннофазну епітаксію In4Se3 проводять на підкладку з монокристалічного германію в інтервалі температур Т=793-778 К зі швидкістю...
Спосіб отримання гетероструктури nalgaаs-palgaas-p+algaas з варізонною активною областю
Номер патенту: 43132
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Ваків Микола Михайлович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Круковський Семен Іванович
МПК: H01L 27/14
Мітки: гетероструктурі, отримання, областю, варізонною, активною, nalgaаs-palgaas-p+algaas, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-p+AlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії в температурному інтервалі 850-700 °С, що передбачає на першій стадії на підкладці nGaAs формування буферного шару nAlxGa1-xAs, а на другій стадії утворення р-n-переходу в цьому шарі, який відрізняється тим, що формування буферного варізонного епітаксійного шару nAlxGa1-xAs із зростанням ширини...
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Макарова Тетяна Викторівна, Горєв Микола Борисович, Еппель Володимир Ілліч, Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович, Коджеспірова Іна Федорівна
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: визначення, центрів, напівпровіднику, глибоких, gaalas, гетероструктурі, транзистора, спосіб, легуванням, широкозонному, прямій, концентрації, селективним, польового
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...